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Fターム[5F051CB27]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 電極形成法 (898)

Fターム[5F051CB27]に分類される特許

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【課題】 薄膜太陽電池に好適に用いられる透明導電膜つき基板において、好ましい凹凸形状をもつ基板を得る。
【解決手段】 透明導電膜の凹凸形状においては、その凹凸形状の凸部の頂上が略部分球面からなり、明瞭な稜線が見られない凹凸形状を透明導電膜が好ましい。その凹凸形状は、ピラミッド状の凸状突起群をもつ透明導電膜として、CVD法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を作製し、その凸状突起群を遊離砥粒で適切に研磨することによって製造する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 比表面積が1m2/g以上20m2/g以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スズ(Sn)およびタングステン(W)からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末または酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行う。好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、15m2/g以下であり、さらに好ましくは、6m2/g以下である。 (もっと読む)


本発明は、薄膜太陽電池およびそのような電池を製造する方法に関する。特に本発明は、薄い吸収材層を備えたCu(In,Ga)Se(CIGS)系薄膜太陽電池における複合裏面コンタクト(314)の使用に関する。複合裏面コンタクト(314)は、基材(105)と吸収材(115)との間に設けられ、吸収材/複合裏面コンタクト界面における反射率を上昇させる裏面反射体層(311)と、少なくとも1つのコンタクト層であって、吸収材に関して裏面コンタクトの適切な電気特性を確保するコンタクト層(310、313)と、および/または面内電流に対して低いシート抵抗を確保するコンダクタンス層(312)と、を含む。 (もっと読む)


本発明は溶剤を含み、支持体に付着する導電性ペースト状物質を塗布し、続いて物質を硬化することによって、支持体上に線状及び/又は点状構造を形成し、特に太陽電池の上にすじ状の導電性コンタクトを形成するための方法に関する。支持体への陰影を最小化し、同時に構造の抵抗を低くするために、物質を支持体に塗布した後、極性分子を含む媒質を支持体及び/又は物質上に被着し、物質に含まれる溶剤をこの媒質によって抽出することを提案する。 (もっと読む)


同時蒸発蒸着プロセスによって製造される銅インジウムガリウムジセレン化物(CIGS)太陽電池の組成制御のためのインライン製造装置および方法について述べる。蒸着条件は、蒸着されたCu過剰全体組成が、最終CIGS膜であるCu不足全体組成に変換されるようになっている。モリブデン層を備えた基材(21)は、CIGSプロセスチャンバ(7)内を一定の速度で移動する。基材上での銅豊富組成から銅不足組成への転移は、転移に関する物理パラメータ、たとえば放射を検知するセンサを使用することによって検知される。本発明の代わりの好ましい実施形態において、蒸着層中の元素の組成を検知するセンサ(20)が提供される。センサに接続されたコントローラ(17)は、基材の幅に渡って均一な組成および均一な厚さのCIGS層を提供するために、蒸発物源(11、12、13)からの流量を調整する。2列の蒸発物源の使用は、基材の幅に渡るCIGS層の元素組成および厚さの調整を可能にする。 (もっと読む)


裏側表面構造を有する裏面電極型太陽電池及びこの太陽電池の作製方法である。裏側の裏面は、表面安定化層、窒化層、拡散バリア及び/又は金属バリアに限定されない少なくとも1つの誘電層を通った小さい電極を有する。誘電層は、好ましくはスクリーン印刷されたものである。大きなグリッド領域が誘電層にめっきされている。方法は、p型電極領域を最小化し、p型基板の裏面にn型ドープ領域を最大化することによって、効率を増加させるものを提供する。
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安価な希釈ガスを用いて、高透過、低抵抗、かつ優れた表面形状を有する酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を均一性良く簡便に製造する製造方法、及びその製造方法を含むタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の透明導電膜の製造方法は、製膜室中に有機亜鉛、希釈ガス、および酸化剤を導入し、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を前記製膜室内に配置された基板上に形成する方法であって、前記希釈ガスが水素であることを特徴とする透明導電膜の製造方法であって、水素は熱伝導率が大きく安価であるので特性が優れかつ低コストな透明導電膜を提供することが出来る。 (もっと読む)


エミッターラップスルー(EWT)バックコンタクト型太陽電池の製造方法と、その方法で製造された電池が提供される。前面あるいは背面の平均ドーパント濃度と比較して高い濃度のドーパントが導電バイアに提供され、効率を高める。また、印刷されたドーパントペーストの利用により、導電バイアの形成のために孔の選択的ドーピングが提供される。ドーパントを含んだスピンオングラス基板の利用法も提供される。
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【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜(TCO膜)であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Znターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が2.3原子%より少なく; 基板のための加熱器を、200℃より高い該基板温度に調整される様に調整し;
190nm/分より早い静的溶着速度に相当する50nm*m/分より早い動的溶着速度に調整し;そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 (もっと読む)


色素太陽電池のためのナノ微粒子電極の製造方法は、導電性基板を準備する工程と、基板上にナノ微粒子層を形成する工程と、ナノ微粒子層に色素を塗布する工程とを含み、ナノ微粒子層を電解液中で電解処理する更なる工程を含む。

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ITO膜の耐酸性に優れた透明導電性基板は、透明基材とこの透明基材上に形成されたITO膜とを備える。ITO膜の酸化スズの含有割合が30重量%以上である。色素増感型太陽電池用電極は、この透明導電性基板と、そのITO膜上に形成された色素吸着半導体膜とを有する。この色素増感型太陽電池用電極を色素増感型半導体電極として用いた色素増感型太陽電池が提供される。SnOの割合を30重量%以上に増加させると耐酸性が大幅に向上する。ITO膜上に、交互吸着法により形成した交互吸着膜を酸処理により凹凸化してレプリカ層を形成し、このレプリカ層上に半導体膜を形成して色素増感型太陽電池用色素増感型半導体電極が形成される。 (もっと読む)


半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板1あるいは2は、幅又は厚さ、あるいは径に対して10倍以上の長さを持つ線状の基材3に所望の薄膜4を1層以上形成している。薄膜4に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板1あるいは2は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 (もっと読む)


ノボラックなどの有機樹脂材料(17)の薄膜がエッチングマスクとして用いられ、開口部(32)がマスクに所定のパターンで形成されて、開口部により画定される選択された部分が処理される。開口部(32)は、開口部が形成されるべき部分に、水酸化ナトリウム(NaOH)又は水酸化カリウム(KOH)などの苛性エッチング液の液滴(76)のパターンを適用することにより形成される。液滴(76)は、インクジェットプリンタ(90)を用いて適用され、インクジェットプリンタは液滴が適用される際に有機樹脂の表面の上方でスキャンされる。液滴(76)は、開口部(32)の寸法を定め、液滴(76)の下側の有機樹脂(17)を完全に除去できる大きさのものである。エッチング液が有機樹脂をエッチングして貫いて下にある表面(12)を露出させた後、エッチング液は有機樹脂及び開口部(32)から洗い流される。

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【課題】めっき電極の機械的密着性および電気的接触性を向上させると共に簡便な工程で、低コストで高効率な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の電極形成方法は、めっき法により半導体基板1上に電極11,12を形成した後、熱処理により半導体基板1とめっき電極11,12との界面に、半導体とめっき金属との合金層15,16を形成することを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、めっき法により半導体基板1上に電極11,12を形成した後、熱処理により半導体基板1とめっき電極11,12との界面に、半導体とめっき金属との合金層15,16を形成する方法により製造されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上に透明電極を形成しても、ガラス基板が高い衝撃強度と優れた切断性を有する太陽電池基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン太陽電池に使用される透明電極を備えた太陽電池基板の製造方法において、480℃〜570℃の温度に加熱したガラス基板上に透明電極膜を製膜する製膜工程と、製膜した該基板を20℃/分以下の冷却速度で該温度から少なくとも450℃まで冷却する冷却工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 透明導電性酸化膜が形成された薄膜太陽電池用ガラス基板の低抵抗化処理を施す際に、効率的かつ低コストで低抵抗化処理を実施できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 透明導電性酸化膜が形成された薄膜太陽電池用ガラス基板を熱処理して透明導電性酸化膜を低抵抗化する装置であって、基板を酸素分圧が100Torr以下の雰囲気で100℃まで加熱するゾーン(12)、基板を酸素分圧が10Torr以下の雰囲気で200℃以上に加熱するゾーン(13)、基板を酸素分圧が10Torr以下の雰囲気で200℃以下まで冷却するゾーン(14)、および基板を酸素分圧が100Torr以下の雰囲気で100℃以下まで冷却するゾーン(15)を連続的に設けた熱処理炉(10)を有する。 (もっと読む)


【課題】裏面反射を有効に使える太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の光入射側48から見て、p-型Si層25とn+型Si層24の順に配列して半導体層を積層する。半導体層24、25の裏面に、n+型Si層24を超えp-型Si層25をもえぐる凹部(スクライブライン)45があり、前記凹部45のなかにp+型Si層26を介して正電極32が埋め込まれている。また、SUS基板などで構成される負電極27が絶縁領域43を介して正電極32を覆い、負電極27がn+型Si層24と接している。正電極26が光反射性材料で構成される。また、負電極27も光反射性材料で構成され、半導体層24、25の全体を覆っている。 (もっと読む)


【課題】入射した光の一部を基板の反対側へ透過させて採光ができる透光部分有する薄膜太陽電池、および簡易で、低コストな薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板1上に、順に金属電極層2、光電変換層3および透明電極層4が、または、順に透明電極層、光電変換層および金属電極層が形成されてなる単位太陽電池を有し、基板表面に少なくとも金属電極層および半導体薄膜が無い部分が透光部Tとして設けられている薄膜太陽電池の製造方法において、基板上に少なくとも透光部の形状を含むマスクF1を付着してから、光電変換層および金属電極層を形成した後、このマスクを基板上から剥離して、同時にマスク上の金属電極層および光電変換層を除去することによって透光部を形成する。 (もっと読む)


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