電子活性光装置（Ｄ）は、基板（１）と、少なくとも１層のカソード層（２）と、少なくとも１層のアノード層（４）と、アノード層とカソード層（２、４）の間に少なくとも部分的に挟まれた少なくとも１層の有機化合物系活性材料（３）とを含む。層（２、３、４）は、装置（Ｄ）が発光エネルギーを電気的エネルギーに、またはその逆に変換できるように、基板（１）上に所定の形態で配置される。基板（１）はフロートガラスから作られる。

（もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

ＩＴＯ膜の耐酸性に優れた透明導電性基板は、透明基材とこの透明基材上に形成されたＩＴＯ膜とを備える。ＩＴＯ膜の酸化スズの含有割合が３０重量％以上である。色素増感型太陽電池用電極は、この透明導電性基板と、そのＩＴＯ膜上に形成された色素吸着半導体膜とを有する。この色素増感型太陽電池用電極を色素増感型半導体電極として用いた色素増感型太陽電池が提供される。ＳｎＯ_２の割合を３０重量％以上に増加させると耐酸性が大幅に向上する。ＩＴＯ膜上に、交互吸着法により形成した交互吸着膜を酸処理により凹凸化してレプリカ層を形成し、このレプリカ層上に半導体膜を形成して色素増感型太陽電池用色素増感型半導体電極が形成される。 （もっと読む）

接触しているｐ型領域とｎ型領域を有するダイオードであって、これらｐ型領域又はｎ型領域の少なくとも一方が、非移動性ドーパントでドープされた共役有機材料を含む前記ダイオード、該ダイオードに組み込むための共役有機材料、及びこのようなダイオードと材料の製造方法を提供する。 （もっと読む）

集積した半導体素子を有する太陽電池の直列接続の方法を提供する。一つ以上の導電性素子、及び、球状、又は、粒状の半導体素子が絶縁性支持層にパターンに従って組み入れられ、また、前記素子は少なくとも前記絶縁性支持層の片側面からはみ出し、また、前記パターンは、少なくとも一つの連続した、幅Ｂの、導電性素子から成る分離線を有する、こととする。前記分離線の隣、又は、複数の分離線の間のエリアには、半導体素子が組み入れられる。
（もっと読む）

【課題】電子デバイス用の複合電極を提供する。
【解決手段】複合電極は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属からなる群から選択された少なくとも１つの金属の少なくとも１つのハライド化合物を含む第１の層（３２）と、導電性材料を含む第２の層（３４）とを含む。第２の層（３４）は、第１の層（３２）と電子デバイス（１０）の電子活性材料（４０）との間に配置される。本複合電極は、有機発光デバイス又は有機光起電力電池の陰極として機能させることができる。本複合電極は、実質的に透明であるように製造することができる。 （もっと読む）

薄膜状に形成でき、電界電子放出体、太陽電池、光センサ等に好適に用いることのできる導電性高分子薄膜複合体を提供する。 本発明に係るめっき導電性高分子薄膜複合体は、導電性高分子にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が配合された導電性高分子薄膜１８と、導電性高分子薄膜１８の一方の面に形成された透明金属酸化物半導体膜１６とを具備することを特徴とする。透明金属酸化物半導体膜１６に電極を取り付けて、電界電子放出体あるいは帯電防止材などに用いることができる。また、導電性高分子薄膜１８の他方の面にも電極を形成して、太陽電池用セルあるいは光センサなどに用いることができる。 （もっと読む）

【解決手段】
本発明は、２室構造又は多室構造の光起電力電池、その使用方法及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は光を透過させることができる、膜電極アセンブリ、すなわち、陰極／膜／陽極アセンブリの使用を伴う。本発明の第一の態様は、光を透過させることができる膜電極アセンブリである光電池である。膜材料は好ましくは強イオン性基を含むポリマーである。アセンブリは好ましくは触媒及び／又は染料増感剤を含む。本発明の第二の態様は本発明の光電池を照射することを含む電圧の発生方法である。
（もっと読む）

【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）

【課題】 透明導電性酸化膜が形成された薄膜太陽電池用ガラス基板の低抵抗化処理を施す際に、効率的かつ低コストで低抵抗化処理を実施できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 透明導電性酸化膜が形成された薄膜太陽電池用ガラス基板を熱処理して透明導電性酸化膜を低抵抗化する装置であって、基板を酸素分圧が１００Ｔｏｒｒ以下の雰囲気で１００℃まで加熱するゾーン（１２）、基板を酸素分圧が１０Ｔｏｒｒ以下の雰囲気で２００℃以上に加熱するゾーン（１３）、基板を酸素分圧が１０Ｔｏｒｒ以下の雰囲気で２００℃以下まで冷却するゾーン（１４）、および基板を酸素分圧が１００Ｔｏｒｒ以下の雰囲気で１００℃以下まで冷却するゾーン（１５）を連続的に設けた熱処理炉（１０）を有する。 （もっと読む）

【課題】 大型基板上に形成された光電変換装置の複数の個々の装置への分割を、半導体層と裏面電極との間で剥離を生ずることなく行うことを可能とする、光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に、第１の電極層、半導体層、および第２の電極層を順次積層する工程と、前記第２の電極層の、複数のモジュールに分割される予定領域を所定の幅に除去し、前記第２の電極層をモジュールごとに複数に区分する工程と、前記複数に区分された第２の電極層の全体に封止樹脂を被覆する工程と、前記封止樹脂が被覆された構造を、前記第２の電極層が除去されている、前記複数のモジュールに分割される予定領域に沿って切断して、複数の光電変換装置モジュールを形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換装置の効率を改善できる方法を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に、透明電極（２）と、一導電型層（１１１）、実質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層（１１２）および逆導電型層（１１３）を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニット（１１）と、光反射性金属電極（１２２）を含む裏面電極（１２）とを順次形成したシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、下地温度が２００℃以下の条件でＭＯＣＶＤ法により、平均膜厚が０．３〜３μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０〜５００ｎｍであるＺｎＯからなる透明電極（２）を形成する。 （もっと読む）