【課題】低バンドギャップポリマーによる高い光電変換効率のため、高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体含有の有機光電変換素子等を提供する。
【解決手段】対極と透明電極間に、下記一般式（１）の化合物含有の有機層を設ける。
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【課題】塗布・低温プロセスでフレキシブル基板上への陰極形成が可能で、エネルギー変換効率に優れ、光耐久性、熱保存性に優れる有機薄膜型太陽電池及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも陽極、光電変換層、電子輸送層及び陰極を有する有機薄膜型太陽電池であって、前記陰極が少なくとも銀化合物及び還元剤を含む塗布液から形成され、かつ、前記電子輸送層の少なくとも１層が、前記陰極に隣接した層であり、有機アルカリ金属塩を含有することを特徴とする有機薄膜型太陽電池。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極１３、陽極１２、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層１４を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。


（一般式（１）において、ｎ１は０又は１を表す。） （もっと読む）

【課題】化合物半導体太陽電池において、化合物半導体層とバッファー層界面において接合の不整合性に起因してキャリアの再結合が起こるために、太陽電池特性の低下が起こる可能性がある。
【解決手段】基板上に電極層、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ₂型化合物半導体からなる化合物半導体層Ａ、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ₂型化合物半導体からなる化合物半導体層Ｂ、格子定数が０．４９０〜０．５５０ｎｍを有するバッファー層、透明電極層がこの順に形成されている化合物半導体太陽電池であって、当該化合物半導体層Ｂが当該バッファー層に隣接しており、かつ当該化合物半導体層Ｂの格子定数が０．５００〜０．５６０ｎｍを有し、さらに当該化合物半導体層Ａと異なる組成からなることを特徴とする化合物半導体太陽電池とすることで、化合物半導体とバッファー層界面でのキャリアの再結合を抑制することができ、特に開放電圧を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び耐久性の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】透明電極、対極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子において、該光電変換層に下記一般式（１Ａ）〜（１Ｃ）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイ。
【化１】
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【課題】下層の光電変換素子に光を入射させる透光性を低下させることなく、接合部でのキャリア伝導性を向上させること。
【解決手段】透明電極層２と第１のｐ型半導体層３ａと第１のｉ型半導体層３ｂと第１のｎ型半導体層３ｃとが透光性絶縁基板１上に順次積層され、第１光電変換層３と、第１の中間層４ａと第２の中間層４ｂとが順次積層された中間層４と、第２のｐ型半導体層５ａと第２のｉ型半導体５ｂと第２のｎ型半導体層５ｃとが順次積層された第２光電変換層５と、裏面電極層６とを有し、中間層４は、第１の中間層４ａとしてｎ型半導体層３ｃのエネルギーバンドを負の方向へ傾斜させる透光性材料からなる層と、第２の中間層４ｂとしてｐ型半導体層５ａのエネルギーバンドを正の方向へ傾斜させる透光性材料からなる層を含み、第１光電変換層３と第２光電変換層５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの変換効率の向上を図り得る太陽電池を提供する。
【解決手段】金属電極２と、この金属電極２の上面に配置されたｐ型半導体基板３と、この半導体基板３の上面に垂直に複数並置されたカーボンナノチューブ４と、これら各カーボンナノチューブ４の金属電極２とは反対側に配置された透明電極５とを具備し、各カーボンナノチューブ４を金属として形成すると共に、これら各カーボンナノチューブ４にリン（Ｐ）をドーピングし、さらにこれらカーボンナノチューブ４の直径を一方側から他方側に向かって段階的に変化させると共に、これらのカーボンナノチューブ４に磁石体22により磁力を付与するように構成した太陽電池21である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規で酸化物半導体への吸着性が良く、光電変換効率が高い化合物（色素）を用いた耐久性の高い光電変換素子及び太陽電池を提供することにある。
【解決手段】対向する一対の電極間に、少なくとも増感色素を半導体に担持してなる半導体層及び電荷輸送層が設けられている色素増感型の光電変換素子において、前記増感色素は下記一般式（１）で表される化合物を含有し、該下記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ_４で表される部位が、特定の基であることを特徴とする光電変換素子。
【化１】
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【課題】光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】光電変換装置２１は、基板１と、基板１上に設けられ、第１の溝Ｐ１によって分割された複数の下部電極２と、複数の下部電極２上および第１の溝内Ｐ１に設けられ、下部電極２上で貫通した第２の溝Ｐ２を有する光電変換層５と、光電変換層５上に設けられた上部電極６と、第２の溝Ｐ２内に設けられ、上部電極６と下部電極２とを電気的に接続する接続導体７と、上部電極２を平面視して第１の溝Ｐ１を覆うように上部電極２上に設けられた遮光層８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池や発光素子等の光学素子において、光の利用効率を改善することができるガラス基板及びガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面の長手方向に、突条と条溝との周期的な繰り返し構造を有するガラス基板であって、波長３００nm〜８００nmのヘイズ率が３０%以上であることを特徴とするガラス基板。ガラス母材の少なくとも一面に、突条と条溝との周期的な繰り返し構造を形成し、次に、前記ガラス母材を加熱して前記突条及び前記条溝の長さ方向に延伸する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有し、耐久性の高い光電変換素子、該素子の製造方法及び前記素子を用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】対向電極間に、色素を担持している酸化チタンを含有する半導体層と電荷輸送層とが設けられている色素増感型光電変換素子において、少なくとも光入射面に無機紫外線吸収剤を含有する紫外線吸収層を有し、該紫外線吸収層の吸収端波長が３７０ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲にあり、且つ、前記紫外線吸収層は波長３５０ｎｍの紫外光入射時に蛍光を発し、該蛍光の発光ピーク波長が４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して精度の高い検査を、簡易にかつ確実に実施することができる検査装置を提供する。
【解決手段】少なくとも太陽電池モジュール２を構成する光電変換層１３が形成された透光性基板１１Ａが載せられる支持部と、光電変換層１３にエネルギを入力する入力部１４０と、入力されたエネルギに対する光電変換層１３の反応を測定する測定部１６０と、支持部に対して水平方向に相対移動可能とされ、入力部１４０および測定部１６０の一方が配置される移動部１５０と、支持部を上下方向に移動させ、透光性基板１１Ａと移動部１５０との間隔を変更する昇降部と、外光を遮蔽するとともに、支持部、昇降部、入力部１４０、測定部１６０および移動部１５０を内部に収納する暗室１１０と、が設けられ、入力部１４０および測定部１６０の他方は、支持部に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短絡部へ太陽電池セルの耐電圧以下の所要の電圧を安定して印加させることで短絡部除去効果を安定化させ、また装置コスト及び保守コストの低減を図り得る太陽電池の短絡部除去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、第１の太陽電池セル１Ｂにおける第１の電極層３ｂの一方の端部付近に接触させる第１の電圧印加部材８ａと、第１の太陽電池セル１Ｂに隣接する第２の太陽電池セル１Ｃにおける第１の電極層３ｃであって第１の太陽電池セル１Ｂにおける第２の電極層５ｂに同電位に接続される当該第２の太陽電池セル１Ｃにおける第１の電極層３ｃの他方の端部付近に接触させる第２の電圧印加部材８ｂと、第１の電圧印加部材８ａと第２の電圧印加部材８ｂとの間に接続され第１の太陽電池セル１Ｂに対し耐電圧以下の逆方向電圧を印加する直流電源９とを有する太陽電池の短絡部除去装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】反射特性が最適化された中間コンタクト層を備える光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に基板１と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層２と、透明電極層２上に２つの発電層９１，９２からなる光電変換層３と、光電変換層３上に裏面電極層４と、２つの発電層９１，９２の間に設けられる中間コンタクト層５とを備え、中間コンタクト層５が、基板１側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、酸化チタン膜の膜厚が、裏面側透明導電膜の膜厚が５ｎｍのときに６５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下、１０ｎｍのときに６５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、１５ｎｍのときに６５ｎｍ以上９０ｎｍ以下、２０ｎｍのときに６０ｎｍ以上８５ｎｍ以下、２５ｎｍのときに５５ｎｍ以上７０ｎｍ以下、及び、３０ｎｍのときに５５ｎｍ以上６５ｎｍ以下で表される領域の範囲内である光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び応答速度に優れ、かつ暗電流が低減された有機光電変換素子を提供すること。
【解決手段】導電性電極と、前記導電性電極と接する有機半導体層とを含む有機半導体素子であって、前記導電性電極と前記有機半導体層との接合界面における真空準位シフトが、前記接合界面への光照射により調整された、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で逆電子移動が防止され、発電効率が著しく改善された色素増感型太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】基材、および上記基材上に形成された第１電極層を有する色素増感型太陽電池用基材と、上記色素増感型太陽電池用基材に対向するように配置され、電極としての機能を備える対電極基材と、上記色素増感型太陽電池用基材および上記対電極基材の間に形成された電解質層と、上記色素増感型太陽電池用基材または上記対電極基材のいずれか一方に積層され、かつ上記電解質層と接するように形成されており、表面に色素増感剤が担持された金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、を有する色素増感型太陽電池であって、上記電解質層と上記多孔質層の幅が異なっており、かつ前記シール材が上記電解質層および多孔質層の端部を覆い、さらに上記多孔質層が積層された基材の表面に上記電解質層が接しないように形成されていることを特徴とする色素増感型太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、光電変換素子の製造方法および太陽電池の製造方法を提供す
ることに関する。
【解決手段】 基板、前記基板上に形成された、少なくとも一方が透明な一対の電極と、
電極間に形成された半導体層を備えた光電変換素子の製造方法であって、該半導体層の製造工程に、
（１）半導体化合物（Ａ）を蒸着法により成膜する工程
（２）半導体化合物（Ｂ）及び／又は半導体化合物（Ｂ）の前駆体（Ｂ‘）、及び他の半導体化合物（Ｃ）及び／又は半導体化合物（Ｃ）の前駆体（Ｃ‘）を含む層を成膜する工程
（但し、該半導体化合物（Ｂ）と該半導体化合物（Ｃ）は異なる極性を有す化合物である）
（３）（２）で作成した膜中に含有する該半導体化合物前駆体を半導体化合物に変換する工程
を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】色素増感太陽電池１は、光増感色素１４を担持するｎ型のＩＩＩ族窒化物半導体が形成された半導体層１０と、ＩＩＩ族窒化物半導体に接合したオーミック電極１１と、対向電極１２と、ＩＩＩ族窒化物半導体と対向電極１２との間に、光増感色素１４を含む電解液が封入された電解質層１３とを備える。 （もっと読む）