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Fターム[5F051FA03]の内容

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Fターム[5F051FA03]に分類される特許

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【課題】長期間、気密性を維持することにより、作動信頼性の高い光電変換装置を得ること。
【解決手段】光電変換装置X1は、第1の主面を有する透光性基板1と、第1の主面に対向する第2の主面を有する支持基板9と、透光性基板1と支持基板9間で形成された間隙内に配された電解質4と、透光性基板1と支持基板9を接合する、耐蝕材から成る第1の封止部材5と、第1の封止部材5の外側に第1の封止部材5と離間して配置され、透光性基板1と支持基板9を接合する、無機材料を含む第2の封止部材7と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】光電変換用増感色素の提供。
【解決手段】下記式で示される光機能材料。


[式中、R1及びR2は、無置換もしくは置換基を有するアルキル基、無置換もしくは置換基を有するアリール基を表す。また、R1及びR2は互いに結合して環を形成してもよい。R3乃至R12は、水素原子、無置換もしくは置換基を有するアルキル基を表す。R13及びR14は電子吸引基を表す。X1、X2は、無置換もしくは置換基を有する二価のチオフェン残基、あるいは、無置換もしくは置換基を有する二価の縮合チオフェン残基を表す。また、m、nは整数を表し、mとnの和は2乃至6である。] (もっと読む)


【課題】1100nm以上の長波光を利用可能な特性の高い薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板1上に、第一電極層2、p型半導体層31とn型半導体層35の間に光電変換層を備えた一以上の光電変換ユニット3、第二電極層4を順次配置した薄膜光電変換装置であって、少なくとも一つの光電変換ユニットの光電変換層が実質的に真性または弱n型の結晶質ゲルマニウム半導体を含む結晶質ゲルマニウム光電変換層33であり、かつp型半導体層と結晶質ゲルマニウム光電変換層との間またはn型半導体層と結晶質ゲルマニウム光電変換層との間の界面のうち、結晶質ゲルマニウム光電変換層からみて基板から遠い側の界面に、実質的に真性な非単結晶シリコン半導体層からなる第二界面層を配置したことを特徴とする薄膜光電変換装置。 (もっと読む)


【課題】I3-/I-系の酸化還元系の電解質を含む電解液に対して耐久性の高い白金触媒電極を備えた色素増感太陽電池の提供。
【解決手段】光増感色素を含む半導体電極、該半導体電極と対向して配置される触媒電極、及び前記2つの電極間に電解質層を有する色素増感太陽電池であって、前記電解質層は、I3-/I-系の酸化還元系を有し、前記触媒電極は、電極基板上に形成された白金触媒層を有し、該白金触媒層上に多孔質膜が形成されていることを特徴とする色素増感太陽電池。 (もっと読む)


【課題】p型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるp型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるp型半導体膜を提供する。
【解決手段】p型半導体膜1は、p型半導体で構成され、太陽電池Aの光吸収層として使用される。前記p型半導体膜1は、光入射方向に沿って積層されたN個(NはN≧2を満たす自然数)の層で構成される。前記N個の層のうち、最も光入射側に配置される層から第M番目(Mは2≦M≦Nを満たす自然数)の層までのM個の層では、互いに隣接する任意の二層のうち光入射側に配置された一方の層の禁制帯幅が他方の層の禁制帯幅より大きいと共に層間に生じる禁制帯幅の変化が階段状である。或いは光入射側に配置された一方の層の電子親和力が他方の層の電子親和力より小さいと共に層間に生じる電子親和力の変化が階段状である。 (もっと読む)


【課題】長期にわたり擬固体形状を安定に維持し、電解液の保持性が高い電解質を形成するための塗工液を提供することを目的とする。また、そのような塗工液を用いて作製される、耐久性に優れた色素増感型太陽電池、及び太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】色素増感型太陽電池の電解質を形成するための塗工液であって、酸化還元対及びイオン性液体からなる電解液と、メソ孔を有する、金属酸化物粒子及び導電性粒子から選ばれる一以上とを少なくとも含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】出力電流を大きくした太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池モジュール70は、透光性基板1と、透光性基板1上の第1面上に形成された太陽電池10と、太陽電池10の一部を構成する電極と同じ材料からなり、透光性基板1の第2の面に設けられ、且つ基板側からの光を反射する第1反射部14´と、を備える。 (もっと読む)


【課題】長期間、気密性を維持することが可能な信頼性の高い光電変換装置を得ること。
【解決手段】光電変換装置Xは、収容部を有するとともにこの収容部と外部とを連通する孔部8を有する基体20と、収容部に収容された光電変換体21と、孔部8の開口を覆うように、基体20に接合材12を介して接合された蓋体10と、を備え、接合材12の断面において、接合材12は、孔部8側の端部12aおよびその反対側の端部12cよりも中央部12bが薄くなっている。 (もっと読む)


【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、2つの光電変換層3と、裏面電極層4とを形成する工程を含む光電変換装置100の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Cu薄膜形成工程とを備え、前記Cu薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、2×10−4Pa以下であって、前記製膜工程の温度が、120℃以上240℃以下であることを含む光電変換装置100の製造方法。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30、i型層32、n型層34を積層した薄膜太陽電池の製造方法であって、i型層32はアモルファスシリコン層であり、n型層34は微結晶シリコン層であり、n型層34を形成する工程において、i型層32から離れるにしたがってn型ドーパントのドーピング濃度を高くする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34を積層したアモルファスシリコンユニットを有する太陽電池の製造工程において、p型層30を成膜する工程は、i型層32から離れるにしたがってp型層30に含まれるp型ドーパントのドーピング濃度を高くするものであり、特に、高吸収アモルファス炭化シリコン層と低吸収アモルファス炭化シリコン層とをプラズマを発生させた状態を維持したまま連続的に形成するものとする。 (もっと読む)


【課題】精密な位置決めができ、作成後の剥離がスムースで、かつ作成過程で剥離することのないデバイス作成用の積層体および積層体回路板を提供する。
【解決手段】ガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属から選ばれた一種の無機層の一面と、透明なポリイミドフィルムの一面とが、接着剤層を介することなく貼り合わされた積層体であって、ポリイミドフィルムの貼り合わされた面が表面粗さ、P-V値で15nm以下である積層体および積層体回路板。 (もっと読む)


【課題】有機光電変換材料を用いた光電変換デバイスの構造を改善し、光電変換効率を高め易い光電変換デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】互いに対をなす第1電極層13と第2電極層17とによって有機光電変換層15が挟まれた積層構造を有する光電変換部20Aを1組以上備えた光電変換デバイス50Cを構成するにあたり、光電変換部の1つの側面を受光面とすることで有機光電変換層15での光路長を稼ぎ、これにより有機光電変換層15での光吸収量を増やして光電変換効率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34と、を積層したアモルファスシリコンユニットを含む太陽電池を形成する際に、p型層30を成膜する工程において、p型ドーパントが第1ドーパント濃度で添加された高吸収アモルファス炭化シリコン層30aと、高吸収アモルファス炭化シリコン層30aよりi型層32側にp型ドーパントが第1ドーパント濃度よりも低い第2ドーパント濃度で添加された低吸収アモルファス炭化シリコン層30bと、低吸収アモルファス炭化シリコン層30bとi型層32との間に炭化シリコンバッファ層とを成膜し、特に、低吸収アモルファス炭化シリコン層30bを成膜後、供給ガスの混合比の調整を行う前に成膜装置内を真空に排気しないようにする。 (もっと読む)


【課題】 CdTe太陽電池などの原料として有用な高品位なCdTe結晶を、特殊な加熱装置を用いることなく、安全且つ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】 ショット状のTe原料とCd原料を配合して、機械的に混合する前の原料におけるCdのモル分率の標準偏差をσ、機械的に混合した後の原料におけるCdのモル分率の標準偏差をσとしたとき、M=1−(σ/σ)で表される混合度Mが0.7以上1.0以下となるように機械的に混合した後、得られた原料混合物を石英容器内に入れて真空中又は不活性ガス雰囲気中で封止し、450〜1000℃の温度で加熱処理した後、冷却してCdTe結晶を得る。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の新たな用途展開の一環として、用途にあわせて太陽電池の意匠性、特に表面色のコントロール性に優れた太陽電池ユニットとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた透明電極と対極の間にp型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含有する光電変換層を有する有機光電変換素子からなる太陽電池ユニットであって、光入射側の基材の透明電極とは反対側の面に少なくとも複数の異なる屈折率を有する材料から構成される可視光反射層を有すことを特徴とする太陽電池ユニット。 (もっと読む)


【課題】接合材のクラック伸長を抑制することが可能な接合信頼性の高い接合構造を提供すること
【解決手段】対向する一対の基板を接合材で接合した接合構造であって、前記接合材が一部に気泡を含んでおり、前記一対の基板の対向面に直交する前記接合材の断面において、前記気泡の占有面積は、前記接合材の両側面側の端部よりも中央部の方が大きい。 (もっと読む)


【課題】光利用効率を向上させて発電効率を向上させるとともに、その効果を維持することが可能な薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板1上に透明電極層3と光電変換層4と裏面電極層5とが順に積層された複数の単位太陽電池セル2が所定の方向に配列され、各単位太陽電池セル2が直列に接続されて構成された太陽電池において、反射構造体10を備える。この反射構造体10は、頂部の内角が鋭角となるように交わる2つの光反射面を有し、頂部が透光性絶縁基板1の光の入射面側に配置された状態で、透光性絶縁基板1内部の単位太陽電池セル2間の接続部分に対応する位置に埋置される。 (もっと読む)


【課題】色素増感型光電変換素子に用いられる、新規で酸化物半導体への吸着性が良く変換効率が高い化合物を提供し、高効率の色素増感型光電変換素子及びそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】対向電極間に、少なくとも色素を半導体に担持してなる半導体層と電荷輸送層とが設けられている色素増感型光電変換素子において、少なくとも特定構造を有する一般式(1)で表される化合物を含有する。
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【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを積層したアモルファスシリコン太陽電池ユニットを備え、p型層30は、p型ドーパントが添加された高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、p型ドーパントが実質的に添加されていないアモルファスシリコンバッファ層30bとを含んだものとする。ここで、アモルファスシリコンバッファ層30bのバンドギャップは1.65eV以上とする。 (もっと読む)


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