【課題】光電変換層表面での光の反射を低減し、光電変換層に光閉じ込めを有効に行なうことができる光閉じ込め構造を有する太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】基板１上に凹凸構造を有する凹凸層２を形成し、前記凹凸構造が、直径４１０ｎｍ〜１１９０ｎｍの開口面を有する略半球形状または円錐形状のホールであり、前記凹凸構造の高さの二乗平均値が、３０ｎｍ〜５９０ｎｍであり、かつ前記凹凸構造の平均線と前記凹凸表面とがなす傾斜角をθとしたとき、ｔａｎθが０．０８〜０．１９である太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 高い変換効率を有する光電変換装置を安定的に製造する。
【解決手段】 微結晶シリコン層４中の基板１側のラマンスペクトルにおけるラマンピーク比と、基板１と反対側のラマンスペクトルにおけるラマンピーク比とに基づいて、光電変換装置における微結晶シリコン光電変換層４の製膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収効率の向上を図り、面積当りの光エネルギー変換効率を向上可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】増感色素が担持された半導体層２を付着した作用極である第一の電極１と、半導体層２に対向配置された第二の電極３と、第一の電極１と第二の電極３により挟持されたヨウ素を含む電荷輸送層４とを有し、第一の電極１側から光が入射し、第二の電極３が入射光５を半導体層２に反射する光電変換素子であって、半導体層２に対向する第二の電極３の面に、光が照射される略全面にわたる凹部８を設け、この凹部８の内周形状が底部へ近づくにつれて小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層による光吸収効率を大幅に向上させて高い発電効率を実現する有機太陽電池及び有機太陽電池モジュールを提供するとともに、連続製造プロセスによる生産性の高い製造方法を提供する。
【解決手段】有機太陽電池１０は、開口長さに対して軸方向が十分長い線条体の構造としている。導光部１１は、その上端から光を入射させ、その内部に入射された光をＰ型有機半導体１３とＮ型有機半導体１４とからなる太陽電池層に入射させて吸収させるようにしている。また、太陽電池層の外周には、反射膜１５が形成されていることから、太陽電池層で吸収されずに通過した光は、反射膜１５で反射されて再び太陽電池層に入射して吸収されるか、あるいは吸収されずに導光部１１に戻る。 （もっと読む）

【課題】
特に薄型多結晶シリコン基板を用いて高変換効率を実現する光電変換素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】
一導電型領域と逆導電型領域とを有する多結晶半導体基板１３と、多結晶半導体基板１３の一導電型領域側の主面の少なくとも一部に形成され、且つ、水素を含有する絶縁層１６と、絶縁層１６を介して多結晶半導体基板１３上に形成された一導電型を示す薄膜層１８とを有する光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】球状の第１半導体およびその表面を被覆する第２半導体層からなる光電変換素子、並びに各素子を装着する孔を有する支持体を備えた光電変換装置の製造方法において、多数の素子を支持体に固定した段階で、第１半導体側の電気的導通をとるための第２半導体層の開口部を効率的に形成する。
【解決手段】支持体の孔の部分に素子を導電性接着剤により液密に装着し、その支持体の裏面側に砥粒もしくは砥粒を含む研磨部材またはエッチング液を保持させた部材を擦り合わせ、支持体の裏面側に露出している第２半導体層の少なくとも一部を除去して、第１半導体の一部を露出させる開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】太陽エネルギー利用効率の向上と、汚れによる経時劣化の防止が可能な太陽エネルギー利用装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光入射側透明基材１の表面が、表面に結合固定された撥水撥油性の透明微粒子５で覆われていることを特徴とする太陽エネルギー利用装置、及び、一端に第１の官能基を有する反応性透明微粒子９を製造する工程Ａと、一端に第１の官能基と反応して共有結合を形成する第２の官能基を有する反応性透明基材４を製造する工程Ｂと、反応性透明微粒子９と反応性透明基材４とを接触、反応させ反応性透明微粒子９が表面に結合固定した透明基材１０を製造する工程Ｃと、透明基材１０の表面に結合固定された透明微粒子５の表面に撥水撥油性被膜１６を形成する工程Ｄとを含む太陽エネルギー利用装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】孔の部分に光電変換素子を装着した支持体、その裏面に電気絶縁層を介して接合した導電体層を具備する光電変換装置の前記電気絶縁層を改良して、製造工程を合理化する。
【解決手段】支持体の裏面に電気絶縁層を形成するための、半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、電気絶縁性シートに金属シートを貼り付ける工程、及び電気絶縁性シートを硬化させる工程を含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に比べて低い屈折率を有する層を、光電変換層の形成と別種の設備を用いることなく、光入射側から見て光電変換層の後方にごく薄く配置することにより、十分な光閉じ込め効果を発揮でき、かつそのような低い屈折率を有する層が配置されていても太陽電池内のキャリア再結合を小さく保つことができ、高効率かつ低コストでシリコン系薄膜太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、光電変換層よりも低い屈折率を有するシリコン系低屈折率層を、光電変換層の形成と別種の設備を用いることなく、光入射側から見て光電変換層の後方に形成することができるため、低コストで十分な光閉じ込め効果を発揮できる。さらにシリコン系低屈折率層の後方に薄い導電型シリコン系界面層を配置することで太陽電池の直列抵抗を小さく保つことができる。この結果、高効率かつ低コストでシリコン系薄膜太陽電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光反射率、導電性、密着性に優れた膜を形成するための反射導電膜形成用塗料と反射導電膜及びその製造方法、並びにこの反射導電膜を裏面反射電極に適用した太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の反射導電膜形成用塗料は、銀ナノ粒子および／または銀合金ナノ粒子からなる導電性の金属ナノ粒子と、エチレングリコール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の沸点が１５０℃以上の有機溶媒とを含有したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い発電効率を維持しつつ、耐久性に優れた光電変換装置を提供することである。
【解決手段】絶縁性基板１上に、第一電極層２と発電層５と第二電極層７とが積層された光電変換装置１０において、前記発電層５内には光の反射層４が含まれており、前記第二電極層７は銀合金で形成されている。銀合金は、第１の添加元素としてアルミニウム、インジウム、錫、ビスマス、ガリウム、亜鉛、マグネシウムのうちの少なくとも１種を含む。 （もっと読む）

【課題】 局所ガス給排気方式において、材料ガスの利用効率を向上させ、基板全体に均一な成膜を実現するプラズマＣＶＤ装置を供給することを目的とする。
【解決手段】 材料ガスを供給するガス給気部および反応後のガスを排気するガス排気部が交互に形成された放電電極１０と、放電電極１０に対向するように基板１２を支持する基板支持部２２と、を備え、放電電極１０の各ガス給気部から基板１２上に供給された材料ガスをプラズマ化して半導体薄膜を基板１２上に形成させ、反応後のガスを各ガス排気部から排気するプラズマCVD装置１１において、基板１２の周囲には、基板１２の周囲から流出する材料ガスの流量を調整するように、基板１２の周囲の隙間を調整する遮蔽板１８が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非真空雰囲気下かつ３００℃未満の低温で大面積の製膜が可能であり、薄膜型太陽電池の裏面電極側の反射膜として好適なテクスチャー構造を有し、低抵抗かつ基板との密着性に優れた導電薄膜を提供する。
【解決手段】基板上に形成された銀の薄膜であって、平均粒径Ｄ_TEMが１００ｎｍ以下の銀粒子が焼結した層で構成され、比抵抗が５μΩ・ｃｍ以下であり、焼結層中の空孔割合が３個／μｍ²以下であり、表面粗さＲａが１０〜１００ｎｍのテクスチャー構造を有する銀導電膜。このようなテクスチャー構造をもつ銀導電膜は、平均粒径Ｄ_TEM；１００ｎｍ以下の銀粒子が沸点６０〜３００℃の非極性または極性の小さい液状有機媒体に分散している銀粒子分散液を、基板上に塗布して塗膜を形成し、その後、前記塗膜を焼成する工程を有する製造プロセスで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】光を受光する面積を増大させることのできる光電変換素子、光電変換装置及び光電変換モジュールを提供することにある。
【解決手段】太陽電池素子２は、棒状の支持棒３を備え、支持棒３の外周面に、反射電極５、Ｐ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｎ型半導体層１１及び透明電極１３が順に積層されている。そして、太陽電池素子２の下面側の透明電極１３の外周面に、断面略半円状の光反射性を有する反射層１５が形成されている。太陽電池モジュール１は、その太陽電池素子２を列設して形成されている。 （もっと読む）

【課題】非晶質光電変換ユニットを含む薄膜光電変換装置に関して、その製造コストを抑制しつつ性能の優れた薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】薄膜光電変換装置は、透光性基板（１）上に順に積層された主に酸化錫を含む透明導電層（２）、１以上の光電変換ユニット（３）、および裏面電極層（５）を含み、その透明導電層（２）の表面面積比が２０％以上で４０％以下の範囲内にあり、透明導電層（２）に接している光電変換ユニット（３）に含まれる非晶質光電変換層（３ｉ）の厚さが０．３μｍ未満であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光を受光する面積を増大させることのできる光電変換素子及び光電変換装置を提供することにある。
【解決手段】円柱状の支持体の外周面に反射電極１３、Ｐ型半導体層、Ｉ型半導体層、Ｎ型半導体層及び透明電極１８を順に積層して太陽電池素子１０を形成した。その太陽電池素子１０を、Ｙ方向に沿って延設されるように列設して太陽電池素子列１０Ｌを形成した。そして、太陽電池素子列１０Ｌを、接着層１１を挟んでＸ方向に並設して、共通電極３の上面に配設した。このとき、各太陽電池素子１０の軸心方向が共通電極３の上面３ａの法線方向になるように、各反射電極１３を共通電極３に電気的に接続した。 （もっと読む）

【課題】 高い発電効率を有する薄膜シリコン太陽電池を、高い生産性で提供することを目的とする。
【解決手段】 薄膜シリコン太陽電池において、裏面電極側に設けられた光電変換層における光入射面と対向する面に係るＰＳＤ（２μｍ）／ＰＳＤ（１μｍ）を０．９以上とする（但し、ＰＳＤ（１μｍ）及びＰＳＤ（２μｍ）は、それぞれ、原子間力顕微鏡で分析して周波数解析した際の波長１μｍ及び波長２μｍに対応する一次元パワースペクトル密度を表す）。 （もっと読む）

【課題】 金属薄板上に樹脂を被覆し、樹脂表面に規則的な微小凹凸を形成することにより光閉じ込め効果が高く、更に低熱膨張の金属薄板を適用することによって、高い信頼性を有する太陽電池用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属薄板上に熱分解温度が２５０℃以上、ガラス転移温度が３５０℃以下である樹脂を被覆した太陽電池用基板であって、前記樹脂は、表面に凹凸構造を有し、且つ隣り合う凸部の４つの頂点を線で結んだ四角形の対向する２つ頂点を直線で結んだ時、何れの凹凸構造の断面形状とも（１）式で近似される正弦波が連続的につながっており、凹凸高さの半値を表すＡが０．１５μｍ≦Ａ≦１．０μｍ、山間隔の変数を表すＢが２．１μｍ^-1≦Ｂ≦２１μｍ^-1、近似式（１）と実形状の高さ方向のズレを表す平均誤差が０．1μｍ以下である太陽電池用基板である。
ｙ＝Ａ×ｓｉｎ（Ｂｘ）…（１） （もっと読む）

【課題】低コストでありながら信頼性が高く、かつ光電変換効率の高い積層型光起電力素子を提供する。
【解決手段】シリコン系非単結晶半導体からなるｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を有するｐｉｎ接合の構成素子を複数積層した積層型光起電力素子において、
光入射側から第一のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層として微結晶シリコンを用い、第三のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層として微結晶シリコンを用いており、
前記第一のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層である非晶質シリコンのバンドギャップが１．６０ｅＶ以上、１．９０ｅＶ以下であり、
前記第二および第三のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層である微結晶シリコンの９５０ｎｍの光吸収係数が２００ｃｍ^-1以上であることを特徴とする積層型光起電力素子。 （もっと読む）

【課題】開放電圧、曲線因子、および光電変換効率などの特性が改善された多接合型シリコン系薄膜光電変換装置構造を提供する。
【解決手段】多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、互いに積層されて隣接する２つの非晶質シリコン系光電変換ユニット（４１、４２）を含み、それら２つの光電変換ユニットの各々は互いに同じ順序で積層されたｐ型導電型層（４１１、４２１）、水素化非晶質シリコンまたは水素化非晶質シリコン合金からなる実質的にｉ型の光電変換層（４１２、４２２）、およびｎ型導電型層（４１３、４２３）を含み、それら２つのｉ型光電変換層の間に位置している特定のｎ型導電型層（４１３）の厚さが５ｎｍ以上で３０ｎｍ以下の範囲内にありかつその導電率が１×１０^-4Ｓ／ｃｍ以上で１×１０^-3Ｓ／ｃｍ未満の範囲内にある。 （もっと読む）