結晶シリコンＰＶモジュールは通常、バスバーメタライゼーションの導電率を高め、隣接セル同士を相互接続するために、スズメッキした平坦な銅線を使用する。上記の平坦なバス線は、圧延、圧搾、および延伸などの金属形成技術を用いてＶ字状の浅い溝でパターン成形される。溝は、光がガラス−空気間のインターフェースで内部全反射し、太陽電池上へ反射されるほど大きな内部インターフェース角度（通常は約４０度超）で、入射光がモジュールのガラス基板に向けて反射されるように設計される。上記パターン成形されたバスバーのプロトタイプへの通常の光の衝突から生じる光電流は、同じ光源の活動セル領域への直接衝突から生じる光電流の７０％以上である。約６０度の一般的なフェース角は、全方位照明としてバス線にぶつかる光の５０％以上にＴＩＲを提供する。カバー面に垂直な約３０度未満の外部インターフェース角でカバー外面にぶつかる光のほぼすべてが、ＴＩＲを受けることができる。モジュール効率の改善には、非常にわずかしかコストが追加されず、セルまたはモジュールの製造に追加のステップは要らない。標準的な面寸法は５〜１５０ミクロンで、山間の間隔はその範囲の約２倍である。溝は、１つの角度または複数の角度で導体に沿って縦方向に延びることができる。溝ではなく、傾斜面は、ピラミッドまたはその他の形状を形成することができる。表面は好適には鏡面であってもよい。
（もっと読む）

【課題】 多数個の結晶半導体粒子を導電性基板上に効率的に配置し接合することができ、また変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１１の一主面に、表面に第１導電型（ｎ型）の半導体層１３が形成された第２導電型（ｐ型）の結晶シリコン粒子１２が、多数個間隔をおいて配置されているとともに結晶シリコン粒子１２の下部が導電性基板１１に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁体１５が介在するとともに上部が絶縁体１５から露出して配置されて、これら結晶シリコン粒子１２上に透光性導体層１６が設けられており、導電性基板１１は、一主面に多数の凹部が形成されているとともに凹部内に結晶シリコン粒子１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ポリマーベース光起電力セルのための改良されたアーキテクチャ、並びにこの改良されたアーキテクチャを有するセルの製造方法を提供する。
【解決手段】高効率ポリマー光起電力セルが、活性層と電子収集電極の間に光学スペーサを有して製作された。このようなセルは、電力変換効率の約５０％の増加を示すことができる。装置内の光強度の空間分布を修正し、それによってバルクヘテロ接合層内により多くの光生成電荷担体を生成することにより、スペーサ層は、効率を増大させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、水素化多結晶シリコンからなる光起電力素子において、テクスチャー化に伴う開放電圧の低下を防ぎ、光収集効率に優れた、変換効率の高い光起電力素子を作製できる光起電力素子の形状および作製方法を提供する。
【解決手段】 下部電極と、非単結晶シリコンからなる第１の導電型層と、多結晶シリコンからなる第２の導電型層と、非単結晶シリコンからなる第３の導電型層と、上部電極とを少なくとも有する光起電力素子において、前記下部電極の前記第１の導電型層との接触面が、複数の突起が点在する形状をなしており、前記下部電極表面に点在する突起の密度の下限値および上限値が、前記第２の導電型層の膜厚をｔμｍとしたときに、
下限値＝０．３１２ｅｘｐ（−０．６０ｔ）個／μｍ^２
上限値＝０．３８７ｅｘｐ（−０．３９ｔ）個／μｍ^２
であることを特徴とする光起電力素子。 （もっと読む）

【課題】短時間で酸化チタン薄膜表面に吸着されるように有機溶媒への溶解度が高く、酸化チタン薄膜表面への吸着量が多く、容易に製造することができる光増感色素に好適な化合物を提供する。
【解決手段】金属原子、式（II）で表される配位子、及び式（III）で表される配位子を含む錯体化合物（I）。


［式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、プロトン供与性基の塩又はプロトン供与性基を表し、Ｒ¹及びＲ²の少なくとも一方はプロトン供与性基であり、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、プロトン非供与性基を表し、Ｒ³及びＲ⁴は互いに結合していてもよく、Ａ及びＢはそれぞれ独立に、ケイ素原子、硫黄原子、又はセレン原子を含む基を表し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎ≧１であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０〜２の整数を表し、ａ＋ｂ≧１である。］ （もっと読む）

【課題】受光面積の大きい太陽電池を提供する。
【解決手段】透光性および絶縁性を有する筒状基板と、前記筒状基板の内周面に形成された光電素子とを備え、前記光電素子は、筒状基板の内周面に積層された第１電極層と、第１電極層の上に積層された第２電極層と、第１および第２電極の間に介在する光電変換層とからなる太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 中間反射層にシリコン複合層を適用する集積化多接合薄膜光電変換装置において、各光電変換ユニットにおいてリークが無く、発生した電力が十分に出力される集積化多接合薄膜光電変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に中間層を介して直列接続された２つの薄膜光電変換ユニットを少なくとも１組含む多接合薄膜光電変換セルを集積化した集積化多接合薄膜光電変換装置であって、該中間層の材料がｎ型Ｓｉ_1-XＯ_Xで、かつ、該１組の薄膜光電変換ユニットの少なくとも一方の薄膜光電変換ユニットの一部を構成する該中間層に隣接する中間層隣接ｐ型半導体層の不純物のドーピング量が５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電析生成される酸化亜鉛系複合膜のポーラス構造を細かく均一にすること。
【解決手段】ＫＣｌが０．１Ｍとなるように調製した水溶液を用いて、その溶液に酸素を２０分間バブリングした。ただし、その最後の１分間は、作用極（導電性のＩＴＯガラス）の参照極に対する電位を−１．１Ｖとして電流を流すこと（本発明の前処理工程）によって、亜鉛塩やテンプレート化合物が何れも未添加の電解溶液中で、カソード電解を実行した。また、この前処理工程中に攪拌操作によって作用極に対して均一な電解溶液の流れを作った。この時の最大攪拌速度は、１１ｃｍ／ｓｅｃとした。図２に、この前処理工程実行時の作用極の表面における電流密度の推移を例示する。作用極の表面におけるこの時の電流密度は、最終的には、約１．３〔ｍＡ／ｃｍ² 〕程で安定した。このことから、前処理工程の実行時間は、４０秒から１分程度が妥当であると言える。 （もっと読む）

【課題】 ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。
【解決手段】 基板上に透明導電層を形成する工程と、第一の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記透明導電層又は半導体層に吸着した前記第一の導電型を決定する元素の少なくとも一部を基板温度１００〜４００℃で熱処理及び／又はプラズマ処理により脱離させる工程と、前記第一の導電型を有する半導体層の上に実質的に真性な第二の半導体層を形成する工程と、前記第一の導電型とは反対の導電型を有する第三の半導体層を形成する工程をこの順に少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

マスキング及びエッチング技法の使用によって、半導体ウェーハの表面に交互に形成された、オフセットしたレベルのｐドープ領域及びｎドープ領域を有する太陽電池において、ｐドープ領域及びｎドープ領域に対する金属コンタクトは、ｐドープ領域及びｎドープ領域に接触する、反射防止層として機能するベース層を最初に形成し、次いでチタン・タングステン又はクロムなどの障壁層、及び該障壁層の上に銅などの導電層を形成することによって製造される。好ましくは、該導電層はメッキ層であって、その厚みはメッキによって増大させることができる。
（もっと読む）

【課題】安価でかつ容易に製造することができ、６００ｎｍ以上の長波長領域においても光電変換効率の高い光電変換素子を与える化合物を提供する。
【解決手段】式（I）で示される化合物。


［Ａは芳香族炭化水素環を表す。Ｒ^１は、Ａに結合した基であり、炭化水素基、炭化水素基が結合していてもよいアミノ基を表す。Ｒ²〜Ｒ^４は水素等を表す。Ｂは環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基には−ＣＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｈ又は−ＰＯ_３Ｈ_２が結合している。ｎは０〜２の整数を表し、aは０〜５の整数を表す。］ （もっと読む）

本発明によれば、シリコン系低屈折率層と薄いシリコン系界面層を、光入射側から見て光電変換層の後方に順次形成することにより、十分な光閉じ込め効果を発揮し、かつ直列抵抗を小さく保つことが出来、高効率かつ低コストでシリコン系薄膜太陽電池を提供することができる。
前記シリコン系低屈折率層は、波長６００ｎｍにおける屈折率が２．５以下で、かつ厚さが３００Å以上であることが好ましく、シリコンオキサイドを代表とする、シリコンと酸素等の元素から成る合金層であることが好ましい。
また、前記薄いシリコン系界面層は、シリコンを主成分とする導電型層であり、厚さが１５０Å以下で、その層中に結晶質シリコン成分を含むことが好ましい。
（もっと読む）

アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間の有機阻止層を有する有機感光性オプトエレクトロニックデバイスであって、前記阻止層はフェナントロリン誘導体を含有し、励起子、電子及び正孔のうち少なくとも一つを、少なくとも部分的に阻止する。
（もっと読む）

【課題】 低コストで製造可能な結晶半導体粒子を用いた、高い光電変換効率を有する太陽電池等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 導電性基板１の一主面に、一方導電型の結晶半導体粒子としての結晶シリコン粒子３が多数個、下部を導電性基板１に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質２を介在させるとともに上部を絶縁物質２から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子３に他方導電型の半導体部（シリコン層４）および透光性導体層５が設けられた光電変換装置において、透光性導体層５上に、上面の結晶シリコン粒子３の間に位置する部位に凹部が形成された第１の光透過層６ａと、第１の光透過層６ａを覆う第２の光透過層６ｂとが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 光発電パネルの要求品質レベルを満たしつつ、光発電素子（粒状シリコン）の外径寸法や形状・真球精度に対する許容範囲を広げる。
【解決手段】 多数の粒状の光発電素子１１を格子点状に配列して透明樹脂層１２でパネル状に一体成形した光発電パネル１０において、光発電パネル１０の受光面側に、各光発電素子１１をそれぞれ覆うように球状凸面形状の集光レンズ１３が透明樹脂層１２と一体成形されている。集光レンズ１３の中心に光発電素子１１が配置され、集光レンズ１３の直径Ｄと光発電素子１１の直径ｄとの比Ｄ／ｄがほぼｎ2 ／ｎ1 以上（但しｎ1 は集光レンズ１３の外側の媒体の屈折率、ｎ2 は集光レンズ１３の屈折率）になるように形成されている。
（もっと読む）

【課題】 光発電素子の光反射膜を兼ねる電極膜を高光反射率・低抵抗の導体材料のみで形成しながら、該電極膜と光発電素子との密着力も確保できるようにする。
【解決手段】 光発電パネル１０の受光面側には、各光発電素子１１をそれぞれ覆うように球状凸面形状の集光レンズ１３が成形型によって透明樹脂層１２と一体成形されている。各光発電素子１１のｎ型半導体層１１ａの表面には、光透過性及び導電性に優れたＩＴＯ等の透明導電材料を用いて透明導電膜１９が成膜されている。光発電パネル１０の裏面側には、高光反射率・低抵抗の導電材料（Ａｇ等）を用いてｎ電極膜１４が透明樹脂層１２の裏面のほぼ全体を覆うように形成され、このｎ電極膜１４が各光発電素子１１表面の透明導電膜１９に密着して、各光発電素子１１のｎ型半導体層１１ａとｎ電極膜１４とが透明導電膜１９を介して導通した状態となっている。
（もっと読む）

【課題】 発電効率を低下させることなく、高い電磁波シールド性を持つシースルー型光電変換装置を提供する。
【解決手段】 前面透明導電層３と裏面電極層５とで挟持された光電変換層４を有し、該光電変換層４には光が通過する開口部９が形成され、少なくとも該開口部９を覆う位置に対応して裏面透明導電層７が配設されている。 （もっと読む）

【課題】 屋外設置太陽電池モジュールの設置地点に応じて最小コストで最大の年間発電量が得られるように含まれるシリコンハイブリッド太陽電池を製造し高性能な屋外設置太陽電池モジュールを安価に提供すること。
【解決手段】 本発明の屋外設置太陽電池モジュールは、非晶質シリコンを含む材料から成るトップセルと結晶質シリコンを含む材料から成るボトムセルとを積層したタンデム型シリコン系薄膜太陽電池を含む屋外設置太陽電池モジュールであって、前記屋外設置太陽電池モジュールの設置地点の平均気温が最高となる月の快晴南中時の平均エアマススペクトルにおいて、前記トップセルの光電流の前記ボトムセルの光電流に対する比率が０．９７〜１．００であることを特徴とする屋外設置太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 柔軟性を有する太陽電池モジュールを折り曲げた際に、フィルムの、配線材の直上及び直下に位置する領域おいて、非回復ひずみが発生するのを防止し且つ、封止材との界面で剥離が生じるのを防止した太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも、複数の光起電力素子、光起電力素子同士を電気接続する配線材、光起電力素子の受光面側に配される表面フィルム、光起電力素子の非受光面側に配される裏面フィルム、前記各フィルムと光起電力素子を接着する封止材を有する太陽電池モジュールに関して、少なくとも一方のフィルムの、前記配線材の直上及び/又は直下に位置する領域に切込みを設けることで、フィルムの非回復ひずみや破断、フィルムと封止材の界面での剥離を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電析による金属酸化膜の生産時における電気回路の異常を速やかに検知し、歩留まりの低下を防止する。
【解決手段】並列に配置された複数の金属電極のおのおのに直流電流源を接続して 帯状の導電性対向基板上に金属酸化物膜の電折を行う成膜方法であって、帯状基 体上に位置する集電電極の電位に対する各金属電極の電位を計測するとともに、 隣接する金属電極間の電位の差が所定の値を超えたとき、電位の高い側の電気回 路を回路全体から遮断する。または遮断したのち予備系統の電極に通電する。 （もっと読む）