【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】裏面側電極における膨れや突起の発生が防止され、歩留まりに優れた太陽電池セルおよびその製造方法を得ること。
【解決手段】第１の導電型層からなるシリコン基板１３と、前記シリコン基板１３の受光面に形成された第２の導電型層１５と、前記第２の導電型層１５上に設けられた受光面側電極２１と、前記シリコン基板１３の受光面と反対側の裏面に設けられた裏面側電極２７と、を備え、前記裏面側電極２７は、アルミニウムを主構成要素として前記裏面上に設けられた第１裏面側電極２９と、銀、銅、金、ニッケルからなる群より選択されるいずれか１つ以上の金属を含有して前記第１裏面側電極２９上の全面に設けられた第２裏面側電極３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体基板を用いた場合でも、裏面電極近傍における少数キャリアの再結合を従来に比して抑え、耐熱性を改善した裏面電極構造が得られる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型多結晶シリコン基板１０１の受光面側にＮ型拡散層１０２と反射防止膜１０３を形成する工程と、反射防止膜１０３上に表面電極形状に導電性ペーストを形成し、８００℃以上の温度で焼成する工程と、シリコン基板１０１の裏面側に裏面電極構造を形成する工程と、を含み、焼成前に、シリコン基板１０１の裏面上にプラズマＣＶＤ法によって、水素を含む第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を形成し、焼成後で裏面電極構造形成前に、第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を除去する工程をさらに含み、裏面電極構造を形成する工程では、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の水素含有プラズマＣＶＤ膜がシリコン基板１０１の裏面上に形成される。 （もっと読む）

【課題】裏面を平坦化できる太陽電池及びその裏面金属被覆の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板４１と、裏側表面の第１部分に設けられ、裏側表面から離れた側に面する平面状第１表面部４６−１１、および平面状第１表面部４６−１１から裏側表面に向かって延びる第１端部４６−１２を有する裏面電界金属化層４６と、裏側表面の第２部分に設けられ、裏側表面から離れた側に面する平面状第２表面部４８−１１、および平面状第２表面部４８−１１から裏側表面に向かって延びる第２端部４８−１２を有するはんだパッド金属化層４８と、を含む太陽電池において、第１端部４６−１２が重畳しない方式で第２端部４８−１２に当接することによって、平面状第１表面部４６−１１が平面状第２表面部４８−１１と実質的に同一平面になるように裏面電界金属化層４６およびはんだパッド金属化層４８を配置する。 （もっと読む）

【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。
【解決手段】第１の面と第２の面とを含み、第１の導電型を有する半導体基板と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第１の面に設けられた第１ドープ層と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第２の面の第１領域に設けられた第２ドープ層と、半導体基板の第２の面の第２領域に設けられた真性半導体層と、第２の導電型を有し、真性半導体層上に形成された第２の導電型の層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】得られる電極の適切な電気的性能と基板との密着性を確保する。
【解決手段】導電性組成物は、銀粉末と、Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｂ₂Ｏ₃，ＺｎＯ及びアルカリ土類金属酸化物を含む無鉛ガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通してｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する導電性組成物である。アルカリ土類金属酸化物の組成物中の比率が１０モル％以上５０モル％以下である。ガラス粉末の塩基度が０．３以上０．８以下であって、ガラスの転移点が３００℃〜４５０℃であることが好ましい。Ｂｉ₂Ｏ₃の組成物中の比率が１０モル％以上６５モル％以下であり、Ｂ₂Ｏ₃の組成物中の比率が２０モル％以上５０モル％以下であり、ＺｎＯの組成物中の比率が０．１モル％以上５０モル％以下であることが更に好ましい。アルカリ土類金属酸化物が、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯからなる群より選ばれた１又は２以上を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】改良された交差指型背面接触太陽電池及びその製造方法の提供。
【解決手段】裏面とこれに対向する前面を有する基板と、基板の裏面に形成され、第１のドーピング濃度を有し裏面から基板へと第１の深さだけ延出する第１の拡散領域および第２の拡散領域と、第２のドーピング濃度を有し裏面から基板へと第２の深さだけ延出し第１の拡散領域と第２の拡散領域との間に配置される第３の拡散領域とを有する複数の互いに入り込んだ拡散領域と、複数の互いに入り込んだ拡散領域の隣接する対間の基板の裏面に画定される複数の溝であって、第１の拡散領域は第１の溝によって第３の拡散領域から分離され、第２の拡散領域は第２の溝によって第３の拡散領域から分離される溝とを含み、複数の溝それぞれが第１の深さおよび第２の深さよりも深い裏面から基板への第３の深さを有する、交差指型背面接触太陽電池。 （もっと読む）

【課題】高いＢＳＦ効果を保証しつつシリコン半導体基板に顕著な反り等の変形が発生するのを防止し得る太陽電池（セル）の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される太陽電池の製造方法では、アルミニウム電極を形成する材料として、レーザー回折法に基づく粒度分布の中心粒径（Ｄ５０）が２μｍ〜８．５μｍの範囲内にあるアルミニウム粉末と、酸化ビスマスを必須成分とし且つガラス軟化点が５８０℃以下であるビスマス系ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含むアルミニウムペーストを使用すること、前記アルミニウムペーストを前記基板上に塗布し、焼成することによってアルミニウム電極を形成すること、および、前記焼成後のアルミニウム電極の一部であってアルミニウムを含む物質からなる崩壊容易な低密度のアルミニウム層を除去することを包含する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の形成が不要なＥＷＴ型の裏面電極型太陽電池およびその裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型多結晶半導体基板を含み、第１導電型多結晶半導体基板は表面および裏面をそれぞれ有しており、第１導電型多結晶半導体基板の表面に表面側第２導電型領域が形成され、第１導電型多結晶半導体基板の裏面に裏面側第２導電型領域が形成されており、表面側第２導電型領域と裏面側第２導電型領域とは第１導電型多結晶半導体基板の内部の粒界部に形成された粒界部第２導電型領域によって電気的に接続され、第１導電型多結晶半導体基板の裏面の裏面側第２導電型領域以外の領域上に第１導電型用電極を備え、第１導電型多結晶半導体基板の裏面の裏面側第２導電型領域上に第２導電型用電極を備えている裏面電極型太陽電池とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発電効率を上げ、かつスペクトルミスマッチによる太陽光損失を低減し、光利用効率を高めて発電効率を向上させることのできる太陽電池モジュール用波長変換型ライトトラッピングフィルム及びこれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】光の入射側から順に、第１の層、第２の層、・・・第ｍの層とし、各層の屈折率をそれぞれ第１の屈折率ｎ_１、第２の屈折率ｎ_２、・・・第ｍの屈折率ｎ_ｍとしたとき、ｎ_１≦ｎ_２≦・・・≦ｎ_ｍが成り立つ複数の光透過性層を含む太陽電池モジュールの少なくとも１層の光透過性層として用いられる波長変換型ライトトラッピングフィルムであって、一方の面に微細な凸又は凹形状の多角錐又は円錐が隙間なく多数敷き詰めるように形成してなり、屈折率が１．６〜２．４であり、かつ有機蛍光物質を含むことを特徴とする波長変換型ライトトラッピングフィルムである。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルを電気的に直列に接続する際の配線作業を容易に行なうことができるとともに、配線抵抗による損失を低減して特性を向上することができる裏面電極型太陽電池およびその裏面電極型太陽電池を用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板の裏面に、ｐ型領域と、ｐ型領域に隣り合うｎ型領域と、ｐ型領域上のｐ電極と、ｎ型領域上のｎ電極とを含む単位太陽電池セルを複数備えており、単位太陽電池セル同士の電気的な接続の少なくとも１つが直列接続であって、直列接続は単位太陽電池セルのｐ電極と、その単位太陽電池セルとは異なる他の単位太陽電池セルのｎ電極とを電気的に接続する接続部材により行なわれている裏面電極型太陽電池とその裏面電極型太陽電池を用いた太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】２００μｍ以下の薄いシリコン基板を用いて太陽電池素子を作製するとき、性能を劣化すること無く、裏面電極による素子全体の反りを小さくする。
【解決手段】アルミニウムから成る裏面電極６は、第１裏面電極７と、第１裏面電極７の残留応力よりも小さな残留応力を有する第２裏面電極８とから成る。しかも、シリコン基板１の裏面全体に対する第１裏面電極７が形成されている面積比率が、シリコン基板１の裏面全体に対する第２裏面電極８が形成されている面積比率よりも小さい。例えば、裏面上に於いて第１裏面電極７はドット状に形成・配置されており、裏面の内で接続用電極５を除いたその他の部分上に第２裏面電極８が形成されている。両裏面電極７，８の電極厚みを同一とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いＨ_２パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、基板の受光面側に、膜質を異にする窒化シリコン膜を表面波プラズマを用いて積層して、多層の反射防止膜とするものである。積層する窒化シリコン膜の内で、基板側の第１の層をＳｉ−Ｈ基が高い膜質とし、外側の第２の層を膜密度が高い膜質とする。第１の層の窒化シリコン膜のＳｉ−Ｈ基の含有の程度を高めることによってＨ_２が窒化シリコン膜から脱離し難くし、また、第２の層の窒化シリコン膜の膜密度を高くすることによってＨ_２の外部への放出を防ぐＣＡＰ効果を高めることによって、窒化シリコン膜の反射防止膜のＨ_２パッシベーションを高める。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法は、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備し、第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを基板上に形成し、第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを第１のソーラーサブセルの上に形成し、第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを第２のサブセル上に形成し、第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルをグレーディングインターレイヤの上に形成して、第３のサブセルが第２のサブセルに対して格子不整合となるようにし、前記ベースのうちの少なくとも１つが指数関数的にドープされたプロフィールを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基材と、半導体基材上に形成された化合物半導体からなる太陽電池層と、を含み、太陽電池層の格子定数と、半導体基材の格子定数とが異なっており、半導体基材と太陽電池層との間にＶ族元素としてヒ素（Ａｓ）を含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を有し、バッファ層の格子定数が、半導体基材の格子定数と太陽電池層の格子定数との間の値である積層型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】接合分離部の周囲長を短くして絶縁抵抗を改善し、高効率の太陽電池を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板を貫通する貫通電極により受光面電極を裏面電極に接続する光電変換素子において、前記半導体基板の裏面に前記貫通電極の周囲に形成した接合分離部と、前記接合分離部を覆うように形成され、前記貫通電極が貫通する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記受光面電極と接続される前記貫通電極に接続される裏面電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さい第２バンドギャップを有する第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、貫通転位を防止するために第２サブセルの上にバリア層を形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレーディング中間層をバリア層の上に形成し、第２バンドギャップより小さい第４バンドギャップを有する第３ソーラーサブセルであって、第２サブセルに対して格子不整合している第３サブセルをグレーディング中間層の上に形成するステップを含む方法が、開示される。 （もっと読む）

【課題】
素子特性の低下を抑制し、且つ、半導体基板の反りを低減することができる太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、４５０℃以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、前記最高焼成温度からの冷却過程の２５０℃以上の温度領域において、７．５℃／秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程とを備えて成る太陽電池素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】マルチ接合のソーラーセル、及び、アノードとカソードの双方が、セルの背面の上に配置されることを可能とする。
【解決手段】半導体材料のエピタキシャル成長のための第１の基板を提供し、基板上に第１のソーラー・サブセルを形成し、第１のサブセルの上に、第２のソーラー・サブセルを形成し、第２のサブセルの上に、徐々に変化する中間の層を形成し、第３のソーラー・サブセルを形成して、第３のサブセルが、前記第２のサブセルに関して格子ミスマッチされるようにし、そして、第３のサブセルの頂部から、基板にviaをエッチングして、アノードとカソード接触の双方がソーラーセルの背面側の上に配置されることを可能とすることによって、上部サブセル、中段サブセル、及び、底部サブセル、を含む多接合ソーラーセルを形成する方法。 （もっと読む）