【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に適用することにより、高い光電変換効率を得られる多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。前記亜粒界の占有率を６％以下にすると、さらに光電変換効率を高めることができるので望ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽電池におけるｎ型半導体層との密着性を低下させることなく、ｎ型半導体層との良好な電気的導通が得られる電極を形成するための組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ＰｂＯを含むガラス粉末と、樹脂及び溶剤からなるビヒクルと、銀粉末及びガラス粉末を分散し安定化させる分散剤とを含有し、銀粉末の組成物中の比率が７０〜９５質量％であり、ガラス粉末が組成物中の銀粉末１００質量部に対して１〜１０質量部含まれ、ガラス粉末はＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃を主成分とし、ＴｉＯ₂を微量成分として更に含み、ガラス粉末に含まれるＳｉＯ₂の含有量がガラス粉末１００モル％に対して５．０モル％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池におけるｎ型半導体層との密着性を低下させることなく、ｎ型半導体層との良好な電気的導通が得られる電極を形成するための組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ＰｂＯを含むガラス粉末と、樹脂及び溶剤からなるビヒクルと、銀粉末及びガラス粉末を分散し安定化させる分散剤とを含有し、銀粉末の組成物中の比率が７０〜９５質量％であり、ガラス粉末が組成物中の銀粉末１００質量部に対して１〜１０質量部含まれ、ガラス粉末はＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃を主成分とし、ＺｎＯ及びＴｉＯ₂の双方を微量成分として更に含み、ガラス粉末に含まれるＳｉＯ₂の含有量がガラス粉末１００モル％に対して５．０モル％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池におけるｎ型半導体層との密着性を低下させることなく、ｎ型半導体層との良好な電気的導通が得られる電極を形成するための組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ＰｂＯを含むガラス粉末と、樹脂及び溶剤からなるビヒクルと、銀粉末及びガラス粉末を分散し安定化させる分散剤とを含有し、銀粉末の組成物中の比率が７０〜９５質量％であり、ガラス粉末が組成物中の銀粉末１００質量部に対して１〜１０質量部含まれ、ガラス粉末はＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃を主成分とし、ＺｎＯを微量成分として更に含み、ガラス粉末に含まれるＳｉＯ₂の含有量がガラス粉末１００モル％に対して５．０モル％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、太陽電池の光電変換効率を高めるフィルム表面に特定の凹凸を形成したフィルム、及びそれを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、樹脂フィルムは、少なくとも一方の面が０．０１〜５μｍの範囲の凹凸を有し、
樹脂フィルムの凹凸面上に光電変換層を形成する用途に用いることを特徴とする光電変換層形成用樹脂フィルムである。
さらに本発明は、上記に記載の光電変換層形成用樹脂フィルムを用いる太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な裏面電極型太陽電池、裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】シリコン基板４の受光面に、シリコン基板４の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層６と反射防止膜７とを形成する工程と、シリコン基板４の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜８を形成する工程とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の主面にムラなくテクスチャを形成することにより、半導体基板の歩留まりを向上できる太陽電池の製造方法、及びその太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明は、エッチングによって、主面１２と側面１７とを有する板状の半導体基板１０にテクスチャを形成するテクスチャ形成工程Ｓ１２と、テクスチャが形成された半導体基板１０に半導体層及び電極を形成する工程Ｓ２とを備え、工程Ｓ１２は、エッチングの際に、バブリングを行う太陽電池の製造方法であって、工程Ｓ１２では、主面１２に対して垂直な軸を回転軸として半導体基板１０を回転させながらエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】安定的に、出力特性の高い太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１と、該半導体基板１上に形成された電極とを備える太陽電池の製造方法であって、半導体基板１の表面および裏面のうちの少なくとも一方の面上に導電性ペーストを塗布する工程と、半導体基板１上の導電性ペーストを加熱室内で焼成して電極を形成する工程と、を有し、電極を形成する工程での焼成炉２００内に供給されるガスの供給量（Ｖ１）と加熱室内から排出されるガスの排出量（Ｖ２）の比率（Ｖ１／Ｖ２）が１以上２．５以下である太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの特性および生産性を向上することができる太陽電池セル、インターコネクタ付き太陽電池セルおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐｎ接合部を形成するようにｐ型半導体層とｎ型半導体層とが積層されてなる半導体基板と、この半導体基板の受光面に形成された表面電極部と、半導体基板の受光面とは反対側の裏面に形成された裏面電極部と、半導体基板の受光面または裏面の外周縁に沿って形成された前記ｐｎ接合部の一部を分離するための接合分離溝と、前記接合分離溝の開口部の一部を塞ぐ絶縁材料からなる閉塞部とを備えることを特徴とする太陽電池セル。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界によるキャリアの消滅を抑制することで高電流・高電圧を発現できる多結晶シリコン系太陽電池を提供する。
【解決手段】一導電性多結晶シリコン基板を用い、多結晶シリコン基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｐ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、多結晶シリコン基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｎ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極層、集電極、さらにその上に保護層が順に形成された多結晶シリコン系太陽電池において、多結晶シリコン基板のキャリア濃度が１×１０¹⁰〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3の範囲であり、上記パッシベーション層が実質真正な非晶質シリコン系化合物及び／又は非晶質酸化アルミニウムから構成される層である多結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、特に固定砥粒ワイヤーソーによりスライスしたシリコン基板を、加工変質層を除去しながら、ステイン層の形成を抑制し、その表面に好適なテクスチャー構造を形成する方法及び処理液を提供する。
【解決手段】表面の反射率を低減させるための表面テクスチャー構造を有するシリコン基板の製造方法であって、少なくともフッ酸、硝酸、及び酸化剤を含み、該フッ酸と硝酸の混合比率が、５０％フッ酸及び６９％硝酸として０．７：１から３：１の容積比である処理液に、シリコン基板を浸漬する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】短波長受光感度を向上しつつ、変換効率を維持することができる、太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型のシリコン基板２と第１電極７と第２導電型拡散層３と第２電極６とを備えている。第１電極７は、受光面とは反対側のシリコン基板２の裏面上に形成されている。第２導電型拡散層３は、第１導電型とは反対の導電型である第２導電型の不純物を含み、受光面側であるシリコン基板２の主表面近傍に少なくとも一部が形成されている。第２電極６は、第２導電型拡散層３に接続されている。第２導電型拡散層３が形成されたシリコン基板２の表面に凹凸が設けられ、凹凸は、平面的に見て、凸部１７が連続するように設けられている。第２導電型拡散層３において、凹凸の凸部１７部分の方が凹部５部分より第２導電型の不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】リード線を太陽電池セルの裏面銀電極に接続する際に十分な接着強度を有し、かつ特性低下せず、安価に製造し得る太陽電池及びこれの製造に用いるスクリーン製版を提供する。
【解決手段】少なくとも裏面にバスバー電極１０６を有する太陽電池であって、該バスバー電極線幅が２．０ｍｍ以上２．５ｍｍ未満で、最大厚みが９．０μｍ以上であって、電極最大厚みに対する最小厚みの割合が０〜８０％、もしくは、該バスバー電極線幅が２．５ｍｍ以上３．０ｍｍ未満で、最大厚みが６．６μｍ以上であって、電極最大厚みに対する最小厚みの割合が０〜８０％、もしくは、該バスバー電極線幅が３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下で、最大厚みが４．０μｍ以上であって、電極最大厚みに対する最小厚みの割合が３０〜８０％の太陽電池。 （もっと読む）

【課題】透過率を変化させることにより、発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明は、凹凸面１８を有する光電変換部１０Ａと、凹凸面１８を覆って形成された透光性を有する透光性膜２０Ａとを備える太陽電池１Ａであって、透光性膜２０Ａは、傾きを有する第一表面２３と、第一表面２３に相対し、傾きを有する第二表面２８とを有し、第一表面２３を形成する第一透光性膜２１と第二表面２８を形成する第二透光性膜２６との厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン太陽電池において、シリコン基板に対する透明電極層による応力の影響を低減し、生産性を高める。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、基板両面に１２００ｎｍ以上の透明電極層を備える結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、前記の透明電極層が同時に製膜されることを特徴とする結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。
【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）