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Fターム[5F056EA04]の内容

電子ビーム露光 (6,230) | 描画装置 (1,111) | 電子光学系 (705) | アパーチャ (115)

Fターム[5F056EA04]に分類される特許

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【課題】変形が生じる部材からの所定方向の応力の静電偏向器の電極支持部などへの伝達を抑制し、複数の荷電粒子ビームの偏向ばらつき等を低減することができる荷電粒子光学系を提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系は、熱による変形が生じる可能性がある第1の部材112と、第1の部材を通過した荷電粒子ビーム1を偏向する静電偏向器113と、を含む。静電偏向器は、第1の部材に固定された固定部7を介して第1の部材と組み立てられ、静電偏向器は、電極支持部5と、電極支持部に支持される第一の電極と2第二の電極3を有する。第一及び第二の電極間には、第1の部材を通過した荷電粒子ビーム1を偏向するための電界を発生させるギャップ11が形成されている。電極支持部5は、第1の部材112からの電界方向の変形応力の固定部7を介する電極支持部5への伝達が低減されるように、固定部7に取り付けられている。 (もっと読む)


【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置100は、荷電粒子ビームを放出する電子銃201と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材203と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート204と、マルチビーム形成アパーチャ部材203とブランキングプレート204との間に配置された、電磁レンズ212,214と、電磁レンズ212,214の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材216と、複数のブランカーによってビームoffの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材206と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】成形アパーチャの開口パターンを走査電子顕微鏡にて観察する際に、SEM像のコントラストが充分に得られないといった課題を解消する。
【解決手段】治具9の表面上であって、成形アパーチャ8を搭載した際に開口パターン1の真下にくる位置に、二次電子14の放出を抑制する吸収層15を備える。この吸収層15には、二次電子14の放出効率の小さい材料を適宜選定する。これにより、開口パターン1のエッジ領域11から二次電子14が検出され難くなり、本来のSEM像のコントラストを得ることができる。従来の治具は、成形アパーチャ8の開口パターン1の真下は治具9の表面が露出していたため、開口パターン1を通過した一次電子13が、治具9の表面に照射され、少なからず二次電子14を放出していた。そのため、本来は何も検出されないはずの開口パターン1のエッジ領域11上に二次電子14が検出され、SEM像のコントラストが悪化していた。 (もっと読む)


【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第1方向に沿って第1ピッチで配置されたn以上のN本の荷電粒子線を含む行が、第1方向に直交する第2方向に沿って第2ピッチでm以上のM行存在し、M行のうち1番目からm番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第1方向における位置が第1ピッチの(1/m)ずつずれ、かつ、(m+i)番目の行の先頭の荷電粒子線の第1方向における位置がi番目の行の先頭の荷電粒子線の第1方向における位置と同じに配列された(M×N)本の荷電粒子線を生成する。制御部は、(M×N)本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するn本の荷電粒子線を含む行が、mの約数分の行だけ第2方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 (もっと読む)


【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置100は、XYステージ105と、電子銃201と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材203と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート204と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器208と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部18と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部16と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置100は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材203と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート204と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部18と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部19と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本願の目的は、ゲッタポンプを用いて荷電粒子源周辺を排気する構成において、荷電粒子源駆動中の排気性能の低下を抑制する。
【解決手段】 荷電粒子線の成形を行うアパーチャであって、前記アパーチャは表面に非蒸発型ゲッタポンプを有し、前記非蒸発型ゲッタポンプが前記荷電粒子線の照射を受ける位置に設置される。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、限られた数の円形開口を用いながら広いサイズ範囲にわたる円形パターンを得る。
【解決手段】荷電粒子ビーム源1と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第1の矩形開口を有する第1成形スリット4と、開口径が異なる複数の円形開口を有する第2成形スリット7と、該第1成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第2成形スリット上に結像させる成形レンズ6と、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第2成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器5とを備え、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料13上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする。 (もっと読む)


【課題】良好なスループットで、かつCDリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、1ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部382と、照射量設定部382によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部384と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部384で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部386と、照射量設定部382によって設定された照射量およびパターン分割部386によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線を照射する対象物からの飛散物や蒸発物等がレンズの重要な部分に付着するのを抑制でき、レンズと対象物との間隔を狭くすることが可能な静電型レンズ用の電極等を提供する。
【解決手段】静電型の荷電粒子線レンズに用いる電極1は、少なくとも1つの貫通孔4を有する。貫通孔4は、第一の開口輪郭を有する第一の領域αと、第一の領域αに対して荷電粒子線の上流側に位置させられるべき第二の開口輪郭を有する第二の領域βを有する。光軸3の方向から見て第一の開口輪郭は第二の開口輪郭内に含まれる。 (もっと読む)


【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第1アパーチャアレイと、第1アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第1の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第1の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第2の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第2の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第1の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第2の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第1アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 (もっと読む)


【課題】アパーチャへの汚染物質の付着を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子銃6から放出された電子ビーム54を所定形状にする第1のアパーチャ17と、第1のアパーチャ17を透過した電子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第2のアパーチャ18とを有する。実描画が行われていないときに、第2のアパーチャ18の開口部の周囲であって第2のアパーチャ18によって遮蔽される複数の位置に電子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の電子ビームが照射されるようにする偏向制御部30を備える。偏向制御部30は、ステージ駆動回路4から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、位置回路5からの情報を基に電子ビーム54の偏向位置を決定する。 (もっと読む)


【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系(140)と、アパーチャアレイ(117)と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ(119)と、複数の開口を備えた素子(122)と複数の投影ユニットとを含む投影系(170)と、を有する。レンズアレイ(119)は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ(162)と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ(163)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】露光装置の大型化を抑制し、荷電粒子線を用いてマスクレス露光方式で効率的にターゲットを露光する。
【解決手段】電子ビーム露光装置EXは、電子ビームEBが照射される複数のアパーチャ15が形成されたBAA部材14と、電子ビームEBのオン/オフを制御する変調部13と、アパーチャ15に対応する配置の複数のアパーチャ25がそれぞれ形成された複数のサブ・フィールド23A,24A等を有する固定アパーチャ部材22と、変調部13でオンにされた電子ビームを、一つのサブ・フィールドに偏向する主偏向系20と、選択されたサブ・フィールドの像に対してウエハWをY方向に移動するウエハステージWSTと、を備える。 (もっと読む)


【課題】活性種の生成量を多くしてアパーチャの側面のクリーニングを可能にしつつチャンバ内の圧力の上昇を抑える。
【解決手段】クリーニングユニット200は、第1個数よりも少ない第2個数の放出孔を有する放出孔プレート202を含む容器203と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構220とを含み、前記チャンバ115の中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第2個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第1個数よりも少ない前記第2個数の放出孔から放出される活性種によって前記第1個数のアパーチャのすべてがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる。 (もっと読む)


【課題】マルチビームを用いた荷電粒子線装置においてビーム間の結像誤差を補正する簡便な方法を実現する。
【解決手段】複数の一次電子ビームレットの焦点を形成する粒子光学部品605に於いて、第1の多孔プレート613と第2の多孔プレート614の複数の対応する開孔が互いに整列配置されており、第1の開孔615の位置における第1の幅W1を第2の開孔615’の位置における第2の幅W2よりも少なくとも5%大きく形成する。 (もっと読む)


【課題】複数の開口が設けられた第1および第2の成形開口板を用いて発生させた複数の可変成形電子ビームによる描画方法及び描画装置に関し、ビームむらを打ち消して描画を行なうことを目的としている。
【解決手段】第1と第2の成形開口板のそれぞれに複数の開口を設け、第1の成形開口板の複数の開口を通過した複数の電子ビームを第2の成形開口板の対応する開口部に結像させ、第2の成形開口板の複数の開口を通過した複数の成形電子ビームを被描画材料上にショットするようにした電子ビーム描画方法において、複数の成形電子ビームのショットにより描画される各図形を、少なくとも2回の同一形状および断面積の成形電子ビームの多重ショットにより描画すると共に、該少なくとも2回のショットを前記第1成形開口板の異なる開口を使用して成形した電子ビームにより行う。 (もっと読む)


【目的】レジストを残す部分をパターンとするパターン形成を行なう場合でも寸法誤差を低減させる描画装置を提供すると共に、その装置を用いた描画方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置100は、電子ビーム200を照射する電子銃201と、電子ビーム200を遮断する領域の両側に透過する領域を有する第1の成形アパーチャ部材203と、第1の成形アパーチャ部材203を透過した電子ビーム200を偏向する成形偏向部205と、偏向された電子ビーム200を遮断する領域の両側に透過する領域を有する第2の成形アパーチャ部材206と、第2の成形アパーチャ部材206を透過した電子ビーム200が照射される試料101を載置するXYステージ105と、を備えたことを特徴する。本発明によれば、レジストを残す部分をパターンとする場合でも寸法誤差を低減させることができる。 (もっと読む)


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