【課題】放置時間が長くても、化合物半導体積層構造の表面のダングリングボンドがフッ素で終端された状態が維持されるようにし、閾値電圧の変動を抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、化合物半導体積層構造６と、化合物半導体積層構造６の表面を覆うフッ素含有バリア膜９と、化合物半導体積層構造６の上方にフッ素含有バリア膜９を挟んで設けられたゲート電極８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い微細パターを有する半導体デバイスの製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、回折格子層７及び絶縁層９を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、周期構造パターン１１ｐ１を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３をマスクとしてシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程とを備える。シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層１３を第１の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層１３の外縁部１３ｅ１に揮発性成分を有するリンス液１４を回転塗布する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の２周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。プラズマ発生のための高周波と低周波が同一電極から印加される。そして絶縁膜の成膜開始時あるいは成膜終了時の少なくとも一方において、低周波の入力が成膜開始時及び成膜終了時を除いた他のタイミングより高い。例えば絶縁膜は、厚さ方向における少なくともどちらか一方の端部が、高周波と低周波の２周波により密着層となり、密着層以外の部分は低周波の入力を低下あるいは０にすることで低誘電率絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を施した後も安定したトランジスタ特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、その製造方法及び酸化物薄膜トランジスタを用いたディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の第１実施形態の酸化物薄膜トランジスタ１は、酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、ＰＶＰおよびフッ素系界面活性剤を含む構成とすることにより、良好かつ安定した特性を有するとともに、デバイス形成時に加熱処理を行った場合にも、特性の変化が殆どない酸化物薄膜トランジスタ１を得ることができる。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】低誘電率材料と半導体材料との密着性を向上させることの可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含む柱状のメサ部１７が設けられている。メサ部１７の上面には、環状の上部電極２１が設けられており、メサ部１７の周囲には、上部電極２１に電気的に接続された電極パッド２３が設けられている。電極パッド２３の直下に台座部２６が設けられている。台座部２６は、酸化半導体からなる凹凸部２６Ａと、低誘電率材料からなる埋め込み部２６Ｂとを有している。凹凸部２６Ａは凹凸構造を有しており、埋め込み部２６Ｂはその凹凸構造の凹凸を埋め込むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層６に結合するソース電極４；活性層６に結合し、活性層６を通してソース電極４と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、有機高分子材料と無機化合物とが混合された層が複数層積層されて構成されるゲート絶縁膜３；並びに、ゲート絶縁膜３に接し、このゲート絶縁膜３を介して活性層６にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層に結合するソース電極４；活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜３；および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

本発明は、感光性半導体基板の表面における選択領域上に有機膜を形成する方法であって、ｉ）少なくとも１つの有機定着剤を含む溶液を少なくとも１つの選択領域と接触させる段階と、ｉｉ）前記基板を、段階ｉ）において使用する前記定着剤の還元電位よりもより負の電位に分極する段階と、ｉｉｉ）そのエネルギーが少なくとも前記半導体のバンドギャップと少なくとも等しい光放射に前記選択領域を曝露させる段階と、を含むことを特徴とする形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ウエハー表面を保護する保護膜性を維持しつつ、その工程終了後、不要となった上記保護膜を容易に洗浄除去でき、洗浄除去後の保護膜の残渣の有無が容易に検知できるウエハー保護膜を与える保護膜用組成物を提供すること。
【解決手段】保護被膜形成材料と蛍光検知剤を含有することを特徴とするウエハー保護膜用組成物。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で保存が容易な化合物から、吸着性基と官能基の種類および割合を必要に応じて任意に決定して、安定な膜構造を有する自己組織化単層膜を製造する。
【解決手段】溶媒中に、固体表面への吸着性を有する吸着性基と炭素原子数が８乃至１００の鎖状疎水性基とを有する吸着性化合物と、官能基と炭素原子数が８乃至１００の鎖状疎水性基とを有し実質的に固体表面への吸着性を有していない非吸着性化合物とが溶解している溶液中に固体表面を浸漬し、これにより固体表面上に吸着性化合物と非吸着性化合物とからなる自己組織化単層膜を形成する工程によって非吸着性化合物の官能基で固体表面を改質する。 （もっと読む）

1つの態様において、本発明は、より良い環境安定性のための太陽電池または光起電力モジュールを製造する方法に関する。他の側面において、本発明は環境的に安定な太陽電池または光起電力モジュールに関する。これらの方法および装置は、回路上、好ましくは太陽電池の照光表面、または複数の太陽電池からなる回路の、太陽電池の照光表面を含む面全体の上に耐湿表面を形成するための水分バリアフィルムを用いる。或る態様においては、耐湿フィルムは相似的に適用され、他の態様においては、耐湿フィルムは実質的に透明である。
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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 基板を十分に絶縁膜で覆うことのできる絶縁膜付基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 式（１）〜（３）で示されるシラン化合物からなる群から選ばれる化合物を重縮合して得られる重合体および有機溶剤を含む密着層形成用組成物を基板上に塗布した後に加熱して密着層を製造する工程および絶縁膜形成用組成物を該密着層の上に塗布した後に加熱して絶縁膜を形成する工程を含む絶縁膜付基板の製造方法。


（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ²は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ³は炭素原子数１〜４のアルキル基または炭素原子数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ⁴は炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアシル基または炭素原子数６〜２０のアリール基を表し、Ｘは２価の基を表し、ｍは２または３を表す。） （もっと読む）

基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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【解決課題】 低誘電率と高機械強度を両立する絶縁膜を得ること
【解決手段】 エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基またはフェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むＣＶＤ用絶縁膜原料組成物及び、該ＣＶＤ用絶縁膜原料組成物を気化または昇華して生成させたガスを、基材を静置した反応容器に導入した後、該ガスをプラズマ化して該基材上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）