【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】２つ以上のラジカル反応性官能基を持つビニルシクロアルカン類（ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘプタン、ビニルシクロデカン類）のラジカル架橋剤、を含む膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 脂環式炭化水素構造とＳｉ原子を有する化合物を含む膜形成用組成物であって，該脂環式炭化水素構造とＳｉ原子を有する化合物が，粒径２ｎｍ〜１５ｎｍの粒子形状であることを特徴とする膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の特性が良好であり、不溶物の析出がなく均一であり、面状が良好な塗膜を形成できる重合体および膜形成用組成物、該組成物を用いてい形成した絶縁膜及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物を重合促進剤の存在下で重合して得られることを特徴とする重合体、該重合体を含有する膜形成用組成物、該組成物を用いて形成した絶縁膜及び電子デバイス。


式中、Ｒ¹及びＲ²は炭素-炭素三重結合を含む置換基、Ｘ¹及びＸ²は炭素-炭素三重結合を含む置換基以外の置換基、l及びｍは０〜１５、ｐ及びｎは０〜１４の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好、かつ耐熱性に優れた絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 ２つ以上のラジカル反応性官能基を持つ化合物と、下記式（I）で表される少なくとも１つのラジカル架橋剤を含む膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。
【化１】


一般式（１）中、
Ｒ₁、Ｒ₂は各々独立に炭化水素基を表す。
Ａｒ₁、Ａｒ₂は各々独立にアリール基を表す。 （もっと読む）

【課題】工程の途中で有機半導体が損傷するのを防止すると同時に、薄膜トランジスタの特性を改善する。
【解決手段】基板、前記基板上に形成されているデータ線、前記データ線と交差していて、ゲート電極を含むゲート線、前記ゲート線及び前記データ線上に形成されていて、前記ゲート電極を露出する第１開口部が形成されている層間絶縁膜、前記第１開口部に形成されているゲート絶縁体、前記ゲート絶縁体上に形成されていて、前記データ線と連結されているソース電極、前記ゲート絶縁体上に位置して、前記ソース電極と対向するドレイン電極を含む画素電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成されていて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一部を露出する第２開口部を定義する隔壁、そして前記第２開口部に形成されている有機半導体を含む、有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】精密な加工が可能な強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１０の表面に第１電極１３２を形成し、第１電極１３２上に強誘電体膜２３４を形成し、強誘電体膜２３４の上面に第１の領域２２４を形成する。強誘電体膜２３４の上面を除いて、基板１１０及び強誘電体膜２３４の表面に、第２の領域２２６を形成する。第１電極１３２及び強誘電体膜２３４が形成された基板１１０に対して、電極材料の成膜を行って、第１の領域２３４に第２電極２３６を形成する。 （もっと読む）

有機電界効果トランジスタの製造において少なくとも２つの厚みを有する誘電体が形成される。
トランジスタのアクティブ領域に形成される１つの厚みにより、デバイスの所望の閾値が調整される。
トランジスタのフィールド領域に第２の厚みが堆積されることにより、トランジスタを電気的に絶縁し、リーク電流および容量を減少させる。第１の厚みより厚く、第２の厚みよりは薄い第３の誘電体厚を用いることにより、第２の閾値電圧を有するトランジスタが定義され得る。誘電体の複数の厚みは、グラビア印刷を用いるときは、グラビアロールの複数のセルサイズ、フレキソ印刷を用いるときは、ａｎｏｌｏｘロールにおける複数のセルサイズ、インクジェット印刷を用いるときは、複数のノズルサイズおよびチャンバ圧により生じ、あるいは、単一の厚みの誘電体の連続層を印刷することにより生じる。方法は、トップゲート型、ボトムゲートトップコンタクト型、また、ボトムゲートボトムコンタクト型有機トランジスタ構造において用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】壁厚さの調節と多層形成が容易な線状ナノ材料の製造方法、これによる線状ナノ材料、その線状ナノ材料を利用した薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】本発明による線状ナノ材料の製造方法は、直径２００ｎｍ以下の孔隙が形成されている鋳型を設ける工程と；気相の有機物質を導入して、前記孔隙内に線状ナノ材料を形成する工程と；を含むことを特徴とする。また、本発明の線状ナノ材料は、直径が２００ｎｍ以下であり、内部が空いているチューブ形状のシェルと、前記シェルの内部に形成されているコアとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱硬化後の膜と金属材料、とりわけ銅、金、チタン系金属との接着性を向上させ、かつ、室温保存での接着性能変化の少ない耐熱樹脂前駆体組成物およびそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】ａ）下記一般式（１）で表される構造単位を主成分とするポリマーと、ｂ）特定のジスルフィド系化合物ないしはチオエーテル化合物を含むことを特徴とする耐熱性樹脂前駆体組成物。


（ｍ_１は３〜１０００００の整数、ｎおよびｏは０〜２の整数である。ｐおよびｑは０〜４の整数であり、ｎ＋ｑ＞０である。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、層間絶縁膜に密着用の膜を追加することなく、簡易に有機絶縁膜と無機絶縁膜との密着性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３の積層膜を含む層間絶縁膜１０を形成する工程と、層間絶縁膜１０に対して電子線ＥＢあるいは紫外線ＵＶを照射して、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３とを密着させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスなどに用いられる、低誘電率であり、機械強度などの膜特性が良好である膜を形成するための膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる、機械強度が大きく、低誘電率の絶縁膜および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物と水酸基と反応可能な化学種を含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜および該絶縁膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された低誘電率膜のマイクロポア構造やその他の物理特性を変化させることなく、上記低誘電率膜のアニーリングを良好かつ安全に行う。
【解決手段】 液体供給手段２０からの温度制御用液体の供給によって温度が制御されるホットプレート１８により低真空下で半導体基板を加熱するプレキュア部１２と、電気炉２２により高真空下で半導体基板を加熱する本キュア部１６と、プレキュア部１２から本キュア部１６に半導体基板を移送する移送手段とを具備するアニーリング装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な重合体、該重合体を含む膜形成用組成物、該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 分子内に下記（Ａ）および（Ｂ）の置換基を有するモノマーを重合して得られることを特徴とする重合体、当該重合体を用いる膜形成用組成物、該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。
（Ａ）１つの−Ｃ≡ＣＨ、（Ｂ）１つ以上の下記式で表される置換基−Ｃ≡Ｃ−Ｒ
[式中、Ｒは水素原子以外の置換基を表す。] （もっと読む）

【課題】半導体装置のゲート絶縁膜として好適に用いることが可能な有機絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＰＶＰのようなＯＨ基を有するポリマー材料と、このポリマー材料に対して１００ｗｔ％〜３００ｗｔ％の質量比の架橋剤との溶液を調整し、基板上に塗布、加熱して硬化させる。架橋剤としては、下記式（１）で示される材料を用いる。


ただし、Ｒは、水素またはメチル基を示す。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスを小さく抑えたゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなる膜質の良好なチャネル層を形成することが可能で、半導体装置の高性能化を図ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にゲート電極３を形成する。一定方向に配向させた絶縁性配向膜５を、ゲート電極３を覆う状態で基板１上に形成する。絶縁性配向膜５上に絶縁膜７を形成し、絶縁性配向膜５上に絶縁膜７を積層してなるゲート絶縁膜９を形成する。ゲート絶縁膜９上にソース／ドレイン電極１１を形成する。ソース／ドレイン電極１１を覆う状態でゲート絶縁膜９上に有機半導体材料からなるチャネル層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ワニスとした場合に保存性が良く、樹脂膜とした場合に誘電率が低減され、半導体装置の樹脂膜として適用する際の種々のプロセス適合性を両立するベンゾキサゾール前駆体及びそれを含む樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 ｏ−アミノフェノール基とカルボン酸基とを有する化合物（Ｃ）より構成されるベンゾオキサゾール前駆体。前記ベンゾオキサゾール前駆体は、少なくとも３つのｏ−アミノフェノール基を有する化合物（Ａ）を含んで構成されるものである。前記ベンゾオキサゾール前駆体は、少なくとも２つのカルボン酸基を有する化合物（Ｂ）を含んで構成されるものである。前記ベンゾオキサゾール前駆体を含む樹脂組成物。前記ベンゾオキサゾール前駆体又は前記樹脂組成物を有機溶媒に溶解させたコーティングワニス。前記ベンゾオキサゾール前駆体、前記樹脂組成物、又は前記コーティングワニスより構成される樹脂膜。前記樹脂膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】より高い配向秩序を有する有機半導体膜を、より簡便且つ効率よく形成できる有機半導体装置形成用基板、この基板を用いる有機半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された有機薄膜とを有する有機半導体装置製造用基板であって、前記有機薄膜が、式（１）：Ｒ_ｎ−Ｓｉ−Ｘ_４−ｎ（式中、Ｒは置換基を有していてもよいＣ１〜２０の炭化水素基等を、Ｘは水酸基等を、ｎは１〜３の整数を表す。）で示されるシラン系界面活性剤、及び該シラン系界面活性剤と相互作用し得る触媒を含む有機薄膜形成用溶液から形成された有機薄膜であることを特徴とする有機半導体装置製造用基板、この基板に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜および保護膜を有する有機半導体装置、並びにこの有機半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐吸湿性、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜の製造方法、さらに該製造方法を用いて得られる絶縁膜に関し、さらには該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含む膜形成用組成物を用いて塗膜を形成する工程、および、水酸基と反応可能な化学種を用いて前記塗膜中の水酸基を反応させる工程を具備することを特徴とする絶縁膜の製造方法、それを用いて得られる絶縁膜、およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノワイヤを用いて、薄膜トランジスタ基板の収率を向上することのできる薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板と、液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板を製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、ナノワイヤを用いて前記ゲート絶縁膜の溝に薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、前記活性層上にソース電極とドレイン電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】性能劣化の抑制された電子デバイスまたは薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】電子デバイスまたは薄膜トランジスタに含まれるＴＦＴ構成７０は、ゲート電極７８と、絶縁層７４と、ソース電極８０と、ドレイン電極８２と、半導体層７２と、バリヤー層８６と、を備える。バリヤー層８６は、ポリマーと、酸化防止剤とを含み、さらに無機粒子材料を含んでもよい。ポリマーは、好ましくはポリアクリレートポリマーである。 （もっと読む）