【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる組成物を提供する。さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】三重結合及びまたは二重結合を合計で複数個有するトリプチセン誘導体を重合単位として重合した重合体を含有することを特徴とする組成物、該組成物を用いた絶縁膜及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する絶縁膜が形成可能な、しかも誘電率等の膜特性に優れる絶縁膜を形成することができる縁膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】ビニル基またはエチニル基を有するモノマーを重合させることによって製造され熱分解性成分を有しかつ該熱分解性成分が該モノマー以外の化合物に由来するポリマーを含む絶縁膜形成用組成物、これを用いる絶縁膜の製造方法、該組成物および該方法により形成された絶縁膜、該膜を有する半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】低誘電率性を損なうことなくリーク電流やブレークダウン電圧のような絶縁特性に優れ、機械強度、耐熱性等の膜特性も良好な絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供すること。また、当該製造方法より製造される絶縁膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】ポリエチレンもしくはナイロンを材質とするフィルターにより濾過を行う濾過工程を少なくとも有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物の製造方法、該製造方法により製造された絶縁膜形成用組成物、絶縁膜および電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】強靭で誘電特性に優れたフィルムを形成できるという優れた特長を有する高誘電率組成物を提供することである。
【解決手段】２種類以上の有機分子が水素結合を形成していることを特徴とする有機分子からなる高誘電体物質を高分子マトリックス中に混合してなる高誘電率組成物。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率の熱ビアを提供し、もって層間絶縁の低誘電率化と高熱伝導率化を同時に実現することができる多層配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の第１の配線層１０１と第２の配線層１０２との間に比誘電率が平均して２．５以下の気体または絶縁物を介在させるとともに、第１の配線層１０１における配線と第２の配線層１０２における配線との間に所望の導電接続体を設け、さらに第１の配線層１０１における所定の配線と第２の配線層１０２における所定の配線との間に比誘電率が５以下の絶縁物熱伝導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】外周リング電極に隣接する素子のレジストの段差（盛り上がり）を低減し、また各素子の端部にある凸部上のレジスト厚さの減少を抑制することができる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】外周リング電極２と素子６の凸部３ａの間にダミーパターン４を形成することで、凸部３ａのＧ部におけるレジスト厚を凸部３ｂのＫ部におけるレジスト厚とほぼ等しくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したＹ_２Ｏ_３を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたY、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、250〜600℃の温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの光を照射してもゲート絶縁膜の絶縁性が低下することのない積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置の提供。
【解決手段】少なくとも基板上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、該濡れ性変化層によってパターン形成された電極層とを有する積層構造体において、該エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率層間絶縁膜および／または金属膜の酸化を確実に抑止することが可能であり、しかも、プロセスの再現性に優れた熱処理方法を提供する。
【解決手段】 熱処理方法は、ｌｏｗ−ｋ膜および配線層が成膜されたウエハＷを熱処理炉４１内に収容する工程と、熱処理炉４１内に、気相の無水酢酸をマスフローコントローラ４４ｄによって流量調整しながら供給する工程と、気相の無水酢酸が供給された熱処理炉４１内のウエハＷを、熱処理炉４１に設けられたヒーター４１ｂによって加熱する工程とを含む。 （もっと読む）

ナノ構造アレイを形成又はパターニングするための方法を提供する。前記方法はナノ構造会合基を含むコーティング上にアレイを形成する段階、スピンオン誘電体にアレイを形成する段階、ナノ構造堆積後に溶媒アニールを行う段階、レジストを使用してパターニングする段階、及び／又はアレイ形成を容易にするデバイスを使用する段階を含む。ナノ構造アレイを形成するための関連デバイスと、ナノ構造アレイを含むデバイス（例えばメモリデバイス）も提供する。高温処理中にナノ構造を融着から保護するための方法も提供する。
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【課題】耐水性に優れた低誘電率材料を得るために、低誘電率材料形成用原料を提供する。
【解決手段】化学式（１―１）


を低誘電率材料形成用原料する。ただし式中、上記結合手以外のＲ_１〜Ｒ_６は、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、アリル基、置換アリル基、アルケニル基、アルキルアミノ基、アルコキシル基、チオアルコキシル基、カルボニル基、シリル基、アルキルシリル基、ホスフィノ基、アルキルホスフィノ基またはＳｉ（ＯＲ_７）（ＯＲ_８）（ＯＲ_９）であって、少なくとも１つは水素原子でないもの。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率特性を持つゾル―ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、前記ゲート電極と半導体層との間に、シリコンアルコキシド及び金属アルコキシドのゾル化合物を含む第１ゲート絶縁膜と、異なる物質を含む第２ゲート絶縁膜を順に形成する段階と、前記半導体層の両側にソース／ドレイン電極をそれぞれ形成する段階と、を備えてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜自体にＣｕ拡散防止機能を持たせ、製造工程が簡略化されてコストが低廉で、比誘電率が抑えられて、処理速度が速い高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】銅配線膜１，７と配線間絶縁膜２，６とからなる銅配線構造と、上層の銅配線膜７と下層の銅配線膜１との間に層間絶縁膜４を具備し、更に前記層間絶縁膜に形成されたビア１０に充填された銅９を介して前記上層の銅配線膜と下層の銅配線膜とが電気的に接続されている半導体装置において、前記配線間絶縁膜および前記層間絶縁膜は、Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｈを構成元素として含む有機樹脂で構成される。 前記有機樹脂は、構成Ｏ元素が、必ず、共有結合で結合された銅拡散防止性のものであり、前記銅配線膜と前記配線間絶縁膜を構成する銅拡散防止性の有機樹脂とは、直接、接触しており、前記ビアに充填された銅と前記層間絶縁膜を構成する銅拡散防止性の有機樹脂とは、直接、接触している。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜材料への空孔導入量の増加により生ずる種々の問題点を解消し、空孔導入を必要としない層間絶縁膜材料として優れた低誘電材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される環状芳香族化合物からなる低誘電材料。


（式中、Ａｒ^１は、置換又は非置換の炭素数６〜５２の２価の芳香族基であり、Ｘは、Ａｒ^１で表される芳香族基同士を結合させる置換基であり、２つのＡｒ^１は１〜３個のＸを介して結合しても良く、ｎは、４〜８の整数を表し、複数のＡｒ^１、Ｘは同一でも異なってもよい。） （もっと読む）

【課題】低誘電ポリマーと、その低誘電率ポリマー、誘電材料および層、および電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】コア構造および複数のアームを有する熱硬化性モノマーの異性体混合物であり、モノマーの少なくとも１つのアームに位置するエチニル基の反応を含む、熱硬化性モノマーのその異性体混合物の重合を行う。他の態様では、芳香族部分および第１反応基を有する第１主鎖、ならびに芳香族部分および第２反応基を有する第２主鎖を有するスピンオン低誘電率材料を形成させる。第１および第２の主鎖は、第１および第２反応基を介する架橋反応で、好ましくは追加の架橋剤なしで架橋され、かつ少なくとも８個の原子を有するかご状構造が、第１および第２主鎖の少なくとも１つと共有結合で結合している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、面状が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物により形成した絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子デバイス、該膜形成用組成物に含有される重合体および化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物の重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。式（Ｉ）中、各記号は所定の原子、基または数を表す。
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【課題】空孔導入を必要としない層間絶縁膜材料として優れた低誘電材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）又は式（２）で表される構造を有するポリインダン誘導体からなる低誘電材料。
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【課題】本発明は膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物及び酸化防止剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜、およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、量産に適し、低コストで製造可能な薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に有機半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６をこの順に積層してなる薄膜トランジスタ１０の製造方法において、印刷法により、ゲート絶縁膜１５上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布されたゲート電極材料を乾燥固化してなるゲート電極１６を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこの薄膜トランジスタを用いた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 より耐熱性に優れた樹脂膜の製造方法を提供する。また、特性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 架橋基を有する熱硬化性樹脂又は架橋基を有する熱硬化性樹脂及び架橋剤を含む樹脂組成物を用いて、樹脂膜を製造する方法であって、前記樹脂組成物より構成される樹脂層を加熱硬化し、更に活性エネルギー線を照射する工程を有することを特徴とする樹脂膜の製造方法により解決される。前記樹脂膜の製造方法において、前記活性エネルギー線は、電子線又は紫外線を用いる。前記樹脂膜の製造方法において、前記活性エネルギー線を照射する工程は、不活性ガス雰囲気下で行うものである。 （もっと読む）