【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極の縁端部が絶縁膜で覆われた構造の電極基板を製造するときに、電極と絶縁膜との重なり幅が設計どおりの幅となるようにする。
【解決手段】電極材料１４１からなる層の上に、膜厚が薄い領域、その領域に隣接する膜厚が厚い領域および膜の無い領域からなる絶縁膜パターン１５１を形成する（Ｅ）。絶縁膜パターン１５１をエッチングマスクとして電極材料１４１をエッチングし、電極１４ａ、１４ｂを形成（Ｆ）した後、縁端部の絶縁材料１５２のみ残して絶縁膜パターン１５１を除去する（Ｇ）。残存する絶縁材料１５２を溶解変形させることにより、電極１４ａ、１４ｂの縁端部を覆う絶縁膜１５を形成する。 （もっと読む）

本製造方法は、厚さ１００ｎｍ未満の金属酸化物活性層を有する半導体装置の製造に用いられ、その上部主要表面および下部主要表面は、下部界面および上部界面を形成するための接合する材料を有する。本製造方法は、金属酸化物活性層のために金属酸化物を選択することにより、および、接合する材料のために特定の材料を選択することにより、下部界面と上部界面との界面相互作用を制御することを含む。さらに、本方法は、下部界面の成分を形成する下部材料の表面処理によって下部界面内の相互作用を制御する段階、および、金属酸化物層上の材料の堆積に先立って実行される金属酸化物フィルムの表面処理によって上部界面の相互作用を制御する段階、の一方または両方の段階を含む。
（もっと読む）

磁気ランダム・アクセス・メモリを製造するシステムおよび方法が開示される。この方法は磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造上にキャップ層（１１２）を堆積させることと、キャップ層上に第１のスピンオン材料層（５３０）を堆積させることと、第１のスピンオン材料層およびキャップ層の少なくとも一部をエッチングすることとを備える。スピンオン材料を堆積させてエッチングするステップは数回繰り返すことができる。スピンオン材料はＭＴＪを囲む層間絶縁膜層を保護する。
（もっと読む）

【課題】電位を印加した溶液中の化学物質の測定の際、リーク電流が半導体基板に流れない膜厚のシリコン酸化膜にてゲート絶縁膜が形成され、容易にシランカップリングによるアミノ酸基の導入が行え、かつ溶液と配線間に流れるリーク電流を抑える溶液測定用半導体センサチップを提供する。
【解決手段】本発明の溶液測定用半導体センサチップは、ゲート絶縁膜が露出されたMOSトランジスタからなり、電位の印加された溶液中に浸して化学物質の検出を、MOSトランジスタに流れる電流変化を検出することで行うものであり、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート絶縁膜上に固定された有機単分子層と、MOSトランジスタのソース及びドレインに接続された配線と、有機単分子層部分が露出する開口部を有するパッシベーション膜とを有し、ゲート絶縁膜の最表層がシリコン酸化膜で形成され、このゲート絶縁膜が30nm以上の厚さにて形成されている。 （もっと読む）

【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体膜と、前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板(2)の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料(6a)を塗布する第１工程と、塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第２工程と、を有する。かかる方法によれば、溶液プロセスにおいて簡易な方法で、ゲート絶縁膜の配向性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を得ることができる有用な有機絶縁材料を提供し、また、低誘電率、低密度、高耐熱性及び高機械強度を兼ね備えた樹脂膜を提供し、さらにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機絶縁材料は、重合性不飽和結合を含む基と、アダマンタン構造を最小単位とするかご型構造を有するかご型構造化合物のプレポリマーを含む有機絶縁材料であって、前記プレポリマーは、ＧＰＣ−ＲＡＬＬＳ法により測定される重量平均分子量及び慣性半径の両対数グラフにおける重量平均分子量が５０万以上２００万以下の範囲の直線の傾きが、０．３３以上０．４７以下である。本発明の樹脂膜は、前記有機絶縁材料を、加熱、活性エネルギー線照射、又は加熱と活性エネルギー線照射により、架橋反応させて得られる。本発明の半導体装置は、前記樹脂膜を具備する。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
（もっと読む）

本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、表面平滑性及び低表面エネルギーを有するゲート絶縁層を用いて作製された電界効果型トランジスタに十分高いチャージキャリア伝導性能を与える電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成された有機半導体、ソース電極及びドレイン電極と、を備え、ゲート絶縁層は、二層以上の積層体であり、かつ前記有機半導体と接するゲート絶縁層表面との算術平均粗さＲａまたは二乗平均粗さＲＭＳが０．３ｎｍ未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】空孔形成剤を利用した誘電率が低下された絶縁膜であって、空孔同士が連結した隙間(ボイド）の発生が抑制された絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】(A)ポリフェニレン、
(B)スチレンポリマー、並びに
(C)ポリフェニレン(A)に対して親和性を有するユニットとスチレンポリマー(B)に対して親和性を有するユニットとのブロック共重合体もしくはグラフト共重合体、を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を形成することにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、優れた耐クラック性を有し、低比誘電性であり、かつ塗膜形成後も誘電率が経時で安定な絶縁膜を製造できる形成用組成物を提供することである。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物と下記一般式（I）で表される芳香族エステル化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。


（一般式（I）中、Ｒ_１はアルキル基を表す。ｍは、１〜６の整数を表す。ｍが２以上の整数の場合、Ｒ_１は同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性（膜面状）及び耐熱性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（１）で表されるモノマー単位を含む重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


（式（１）中、Ｒ¹はアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ²はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Ｒ²が複数存在する場合は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよく、ｎは０〜５の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】有機ゲート絶縁膜の密着性を高めることができ、トランジスタ特性を向上させることができる有機トランジスタ及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられるゲート電極２と、ゲート電極２上に設けられる有機材料からなるゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４上に設けられる有機半導体層８と、有機半導体層８にチャネル領域を形成するため有機半導体層に接するように設けられるドレイン電極６及びソース電極７とを備え、ゲート電極４が、ゲート電極２上に設けられたフルオロカーボン膜３の上に形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。さらには該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜及び該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表されるモノマー単位を含み、重量平均分子量が１，５００以上である重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


式（１）中、ＸはＯ、Ｓ又はＣＨ₂を表し、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Ｒはさらに置換基を有していてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。ｎは０〜４の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】高耐熱、高機械強度、及び、低誘電率を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（１）又は式（２）で表される構成繰返し単位を有する重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。式（１）中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｘは置換基を表し、ｎは０〜２の整数を表し、Ｌ¹は単結合又は二価の連結基を表す。式（２）中、Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｌ²は二価の連結基を表す。ただし、式（２）における２つの炭素−炭素三重結合は、炭素−炭素二重結合に対してシスの位置にある。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子など電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度などの膜特性に優れた膜を提供することである。
【解決手段】脂環式炭化水素構造を有する化合物を含む膜形成用組成物を塗布し、周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成される膜。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された低誘電率絶縁膜の比誘電率を向上させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック２と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板３とを備えている。遮断板３の下面には、シリル化剤（ＨＭＤＳガス）を吐出するためのシリル化剤ノズル１１と、窒素ガスを吐出するための窒素ガス吐出口１５とが形成されている。遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、窒素ガス吐出口１５からウエハＷと遮断板３との間に窒素ガスが供給される。また、遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、シリル化剤ノズル１１からウエハＷと遮断板３との間にシリル化剤が供給される。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）