【課題】低い比誘電率を有し、かつ密着性に優れた積層体およびその製造方法、ならびに該積層体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、シリカ系膜および有機系膜を含み、前記シリカ系膜と前記有機系膜とが、アルキル基、アシル基またはアリール基、と水素原子、フッ素原子、アルキル基、またはアリール基を有し２重結合を含む炭化水素基を有するアルコキシシランシラン化合物を硬化させて得られる層間膜を介して積層する。
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【課題】 異種ＳＯＧ材料を搭載するＳＯＧコート装置において、ノズルからの不所望なＳＯＧの滴下を防止し、かつ、結晶化または固化したパーティクルの塗布を防止する。
【解決手段】 ＳＯＧの供給方法は、ロットに対して第１のノズルから第１のスピンオンガラスを供給する処理を実行するとき、当該ロットへの処理の開始時または終了時に、第２のノズルから第２のスピンオンガラスを一定量だけ吐出するステップを含む。さらにＳＯＧの供給方法は、ロットに含まれる基板の処理開始時に第２のノズルを洗浄するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージを受けた低誘電率絶縁膜を回復剤に接触させて回復する際に、絶縁膜中での回復剤濃度を高めることができて、効率的に回復処理が進行でき、回復後の絶縁膜の特性も良好となる回復処理方法を得る。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。チャンバーの壁の温度を回復剤の沸点よりも高温にすることが好ましく、チャンバー内に回復剤蒸気を導入したのち、基板５の温度を昇温することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低ｋの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、２４０ｎｍ未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低ｋの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】有機高分子組成物に微細パターンが可能な光架橋の特性を付与しながら電気的特性を向上させることができる有機高分子ゲート絶縁膜組成物を提供する。
【解決手段】本発明による光反応性有機高分子ゲート絶縁膜組成物は、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体よりなる群から選択された絶縁性有機高分子と、二重結合を２つ以上含む架橋用単量体と、光開始剤とを含み、有機薄膜トランジスタは、上記組成物で形成されたセミ相互侵入高分子網目（semi-interpenetrating polymer network）ゲート絶縁膜を含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性フィラーを添加することなく高い熱伝導性を有し、成形性や密着性に優れた放熱材料を形成しうる放熱材料形成用化合物を提供する。
【解決手段】ボラジン環を含む放熱材料形成用化合物であって、前記ボラジン環を構成するボラジン骨格のホウ素原子及び窒素原子のうち一以上が水素原子以外の置換基を有する、放熱材料形成用化合物である。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、耐熱性、耐薬品性およびＣＭＰに耐え得る高い機械強度を有し、さらに、上層として無機系絶縁膜層が設けられた場合に密着性が高い絶縁被膜を形成することができる組成物の提供。
【解決手段】ポリフェニレンを含む絶縁膜形成用組成物であって、形成した絶縁膜中における前記ポリフェニレンの炭素原子数（Ｃ）および酸素原子数（Ｏ）が、Ｏ／（Ｃ＋Ｏ）≧０．０５０の関係を満たす、絶縁膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な絶縁膜性能と各積層膜間の密着性を達成でき、さらには優れた生産性を有する絶縁膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合体を含有する塗布液を基板上に塗布し、乾燥して銅拡散防止膜を形成する工程と、前記銅拡散防止膜上に無機ポリマーを含有する塗布液を塗布し、乾燥して無機ポリマー膜を形成する工程と、前記無機ポリマー膜上に絶縁膜用樹脂を含有する塗布液を塗布し、乾燥して有機ポリマー膜を形成する工程と、その後、加熱またはエネルギー線の照射により、前記銅拡散防止膜、前記無機ポリマー膜、および前記有機ポリマー膜を一度に硬化する工程、を有する積層型絶縁膜の製造方法。
(Ｘ)_ｍ−Ｑ−(Ｙ)_ｎ 一般式（Ｉ）
（一般式（Ｉ）中、Ｑは環員数５または６の含窒素複素環基、またはそれらのベンゾ縮合環基を表す。Ｘは任意の置換基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｍが２以上の場合は、Ｘは同一でも異なっていてもよい。Ｙは下記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−６）のいずれかで表される基を表す。ｎは1〜１０の整数を表す。ｎが２以上の場合は、Ｙは同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】本発明は、高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】分子内に、一般式（１）で表される部分構造を少なくとも一つ有する化合物（Ａ）と絶縁膜用樹脂またはその前駆体（Ｂ）とを含有する絶縁膜形成用組成物。


一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ独立に任意の置換基を表し、任意のＲ^１〜Ｒ^６がそれぞれ互いに連結して環構造を形成していてもよい。同一炭素上の置換基（Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６）が２つ合わせて二重結合を表してもよい。） （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）少なくとも一般式（１）の化合物を一種含む原料を重合して得られる重合体。


（Ｂ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】比較的低い誘電率、高い熱安定性、高い機械強度及び高いガラス転移温度を与え、好ましくはスピンコーティングにより適用し、平坦になりかつパターン化された表面の間隙を満たすことを可能にするポリマー誘電体を用い良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物及び膜の製造方法を提供する。
【解決手段】２個以上のジエン官能基を有する少なくとも１種の化合物と２個以上のジエノフィル官能基を有する少なくとも１種の化合物の間のディールスアルダー反応の生成物であり、前記化合物の少なくとも１つが前記官能基を３個有する、架橋されたもしくは架橋可能なポリフェニレンと光酸発生剤を含むことを特徴とし、該膜形成用組成物の製膜後、電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波を照射する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 環境感受性デバイスの水蒸気による劣化を防止することを目的とする。
【解決手段】基板上に、環境感受性素子と、バリア性積層体とを、該順に有し、かつ、該バリア性積層体は、少なくとも１層の水素化窒化珪素層と、少なくとも１層の他の無機層とを有する、環境感受性デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電性であり、かつ塗膜形成後の経時によって一旦上昇した誘電率を加熱処理によって回復させる能力（k値回復性）を良化させた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 (A)少なくとも一種の有機ポリマーまたは２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、(B)溶剤、(C)下記一般式(C-1)〜(C-3)の何れかで表される少なくとも一種の有機シリコーン化合物を含有することを特徴とする。
【化１】


（R₁はメチル基等を表し、x₁は0〜95mol%, x₂は5〜100mol%、x₁+ x₂ = 100mol%であり、R₂, R₃はアルキル基等を、R₄はメチル基等を表し、X₃は5〜100mol%, x₄は0〜95mol%、x₃ +
x₄ = 100mol%であり、Rfはフルオロアルキル基を表し、x₅は0〜95mol%, yは5〜100mol%、x₅ + x₆ = 100mol%である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の撥水性を高めることで、移動度の高い有機トランジスタを実現することを可能とする。
【解決手段】Ｒ１はＣＯＯ、ＮＨ₂およびＯのうちの少なくとも一つであり、Ｒ２はアルキル基から成る化学式（１）の構造を有することを特徴とする有機トランジスタに用いる有機絶縁膜である。
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【課題】カーボンナノチューブや有機半導体を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）におけるしきい値電圧制御の問題と、特にカーボンナノチューブを用いたＴＦＴにおけるヒステリシス現象の問題をともに解決する。
【解決手段】カーボンナノチューブおよび有機半導体のいずれか一方、またはその両方の複合材料をチャネル領域とする電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜および／または電極保護膜にアミノパリレン高分子あるいはその共重合体を用いる。 （もっと読む）

本発明は、感光性半導体基板の表面における選択領域上に有機膜を形成する方法であって、ｉ）少なくとも１つの有機定着剤を含む溶液を少なくとも１つの選択領域と接触させる段階と、ｉｉ）前記基板を、段階ｉ）において使用する前記定着剤の還元電位よりもより負の電位に分極する段階と、ｉｉｉ）そのエネルギーが少なくとも前記半導体のバンドギャップと少なくとも等しい光放射に前記選択領域を曝露させる段階と、を含むことを特徴とする形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）一または複数の置換基を任意に有するスチリル基を分子内に少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを加水分解して得られる加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素−炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｃ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜、並びに、前記膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物、及び／又は、式（１）で示される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成された膜、並びに、前記膜を有する電子デバイス。なお、式（１）中、Ａ^１は２〜４価の有機基を表し、Ａ^２はアルケニル基又はアルキニル基を表し、Ａｒは（２＋ａ１）価のアリール基を表し、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３０のアルキル基を表し、ａ１は１〜４の整数を表し、ａ２は２〜４の整数を表す。
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