【課題】絶縁性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基材表面にパターン状に絶縁性微粒子を１層のみ並べたパターン状の単層絶縁性微粒子膜、および複数層累積したパターン状の絶縁性微粒子累積膜、ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】パターン状の絶縁性微粒子膜１、３は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基材１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応により結合を形成する第１のカップリング反応基を有する第１のカップリング剤の形成する被膜で被覆された反応性微粒子４２が配列した絶縁性の微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定されている。あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された微粒子３４および反応性微粒子４２が交互に結合固定されている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつＥＢＲ形状が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、更には前記絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】以下の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含有することを特徴とする膜形成用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）かご型構造基を有する化合物。
（Ｂ）Ｓｉを含む界面活性剤。
（Ｃ）少なくとも一つの下記の構造を有する有機溶媒。
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【課題】 リーク電流の発生や熱アニールによる膜の縮小が抑制された、低誘電率で安定な層間絶縁膜を提供することにある。
【解決手段】 層間絶縁膜は、Ｓｉ原子を含有するハイドロカーボン層とＮ原子を含有するフルオロカーボン層とを積層してなり、かつ前記ハイドロカーボン層は、Ｃ原子数に対するＨ原子数の比（Ｈ／Ｃ）が０．８乃至１．２となる割合でＨ原子とＣ原子とを含有する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物を含有する有機膜と、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を含む無機膜との、誘電率２.５未満を示す積層構造膜を用いたものであり、有機膜および無機膜を形成時にポロジェンを用いないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】残留応力が低減された膜を得ることができる膜の形成方法、該方法によって得られた膜、および該膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】膜の形成方法は、酸素濃度が５０〜３，０００ｐｐｍである雰囲気下で、ポリカルボシランを含有する塗膜を硬化させて膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に膜を形成する際、良好な密着性を保ったまま、可視光領域での光透過性を向上させた成膜を可能とし、更に、その膜がカーボン膜であっても、良好な密着性と光透過性を同時に有することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマ生成可能な反応室２において、半導体基板Ｗの被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に半導体基板Ｗを設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第１の工程と、反応室２に半導体基板Ｗを設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第２の工程とを、順に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一工程の被膜形成用組成物の供給によって円形基板の周端部全体を覆うことができる被膜形成装置を提供する
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１は、円形基板１００を保持するともに、基板面内方向に回転させる保持部２０と、円形基板１００の周端部に被膜形成用組成物を供給する供給ユニット１０ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板やガラス基板などに低温工程で形成するものの、数nmの厚みでゲート絶縁膜を形成することにより、低電圧動作、且つ商用化が容易な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属をパターニングし、蒸着してゲート電極１２を形成した後、常温乃至100℃以下でO₂プラズマ工程によりゲート電極１２を直接酸化して10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させることで、ゲート電極の表面に沿ってゲート絶縁膜１３を形成する。次いで、ゲート絶縁膜１３の上に有機半導体膜１４を蒸着し、有機半導体膜１４上にソース／ドレイン電極１５／１６を互いに一定の距離をもって離隔するように形成する。二重ゲート絶縁膜とする場合には、有機絶縁膜を、自己組立工程またはスピンコーティング工程で金属酸化膜の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】多孔質低誘電率層を形成する方法が、記載されている。
【解決手段】ＣＶＤプロセスは、基板に導入され、ここで、枠体前駆体及びポロゲン前駆体は供給される。枠体前駆体の供給の終了期間において、ＣＶＤプロセスの生成物の密度と否定的に相関している少なくとも一つの堆積パラメータの値は、減少する。 （もっと読む）

【課題】除去性に優れた半導体装置に用いられる有機平坦化材料を提供する。
【解決手段】光および／または熱処理（前処理）により、有機溶剤および／またはアルカリ水溶液に不溶となり、さらに光および／または熱処理（後処理）後、ドライエッチング処理する組成物に関し、前記後処理後のエッチングレートが、前記前処理後のエッチングレートに対し、１．２倍以上であり、該組成物が下記（ａ）および／または（ｂ）を含有することを特徴とする半導体装置用組成物。
（ａ）２３℃大気圧下で液体である有機低分子化合物に可溶性のポリマー
（ｂ）重合性基および／または架橋性基を有する低分子化合物 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率を有し、かつ、密着性に優れた積層体、ならびに該積層体を含む絶縁膜および半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、有機系膜と、第１のシリカ系膜と、前記第１のシリカ系膜と前記有機系膜との間に設けられた第２のシリカ系膜と、を有し、第２のシリカ系膜はポリカルボシランを含む。 （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 （もっと読む）

【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機電子デバイス、特に有機薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】有機電子デバイスを保護するための保護層を有する有機電子デバイスにおいて、該保護層に有機結晶性膜を用いることを特徴とする有機電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備える半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部が形成された半導体基板の所定箇所に、帯電粒子を静電付着させ、絶縁膜を形成することを含む半導体基板の製造方法であって、前記開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、前記貫通孔が前記開口部に対応するように配置する工程、及び前記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、前記帯電粒子を静電付着させる工程を備える半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】各種の電気及び電子素子の製造に効率よく使用可能な強誘電物質と、該強誘電物質を用いて強誘電体層を形成するための強誘電体層の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明による強誘電物質は、無機物強誘電体と有機物強誘電体との混合物で構成され、その強誘電体層の形成方法は、無機物強誘電物質と有機物との混合溶液を用意する段階と、基板上に混合溶液を塗布して強誘電体膜を形成する段階と、強誘電体膜を加熱及び焼成する段階と、を通じて強誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑止され、高いキャリア移動度を有し、オン／オフ比が大きく、低ゲート電圧で作動可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が、ゲート電極と接する第１の絶縁層と、有機半導体層と接する第２の絶縁層とを有してなり、(Ａ)第１の絶縁層が絶縁性有機高分子と無機微粒子との混合物で形成されており、かつ第１の絶縁層の比誘電率が第２の絶縁層の比誘電率より高く、(Ｂ)第２の絶縁層が極性基を有する脂環式オレフィン樹脂で形成されており、かつ第２の絶縁層と有機半導体層との界面の算術平均粗さＲaが１０ｎｍ以下であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】素子構造部にダメージを与えずに側壁スペーサ膜等を除去し、高集積化された高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。ＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる側壁スペーサ膜３０を用い、ソース、ドレイン領域形成処理を行った後、これを除去する。 （もっと読む）

【課題】誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる膜、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノディスク構造を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物から形成された膜、絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。通常は該膜形成用組成物に、さらに熱化硬可能な材料を含む。該熱硬化可能な材料はかご型構造を有するモノマーの重合体である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する絶縁膜形成用組成物とその製造方法を提供すること。さらには該組成物を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】（１）炭素-炭素三重結合を有する化合物を含む反応液を少なくともラジカル発生剤のラジカル発生温度に加熱する工程と、（２）ラジカル発生剤を含む液体を、該反応液に添加する工程とを含む反応工程によって該化合物を重合させることを特徴とする炭素-炭素三重結合を有する化合物の重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率を有する高純度のカゴ型構造を有するポリマーを得ること、それを含有する電子デバイスなどの層間膜用の低い誘電率で優れた機械強度の絶縁膜形成用組成物を提供すること。さらには該組成物を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】炭素-炭素三重結合を有する化合物を、ポリマー化もしくはオリゴマー化する方法であって、ポリマー化もしくはオリゴマー化の開始剤としてラジカル発生剤を用い、且つ、溶媒として、特定構造のフェノキシ化合物を用いることを特徴とする炭素-炭素三重結合を有する化合物の重合方法。 （もっと読む）