【課題】 慣用される方法は、高い炭素含量を有する、上述のダイヤモンド状炭素膜および炭素ポリマー膜を含めた非晶質炭素膜のような、炭素質膜をクリーニングするには、効果的ではない。
【解決手段】 予め選定された回数、基板の上に炭素質膜を堆積させたプラズマ反応炉をセルフクリーニングする方法であって、それに含まれるのは：（ｉ）酸素ガスおよび／または窒素酸化物ガスを励起させてプラズマを発生させる工程；および（ｉｉ）反応炉内に具備された上側電極の上に蓄積された炭素質膜および反応炉の内壁の上に蓄積された炭素質膜をそのプラズマに暴露させる工程、である。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で保存が容易な化合物から、吸着性基と官能基の種類および割合を必要に応じて任意に決定して、安定な膜構造を有する自己組織化単層膜を製造する。
【解決手段】溶媒中に、固体表面への吸着性を有する吸着性基と炭素原子数が８乃至１００の鎖状疎水性基とを有する吸着性化合物と、官能基と炭素原子数が８乃至１００の鎖状疎水性基とを有し実質的に固体表面への吸着性を有していない非吸着性化合物とが溶解している溶液中に固体表面を浸漬し、これにより固体表面上に吸着性化合物と非吸着性化合物とからなる自己組織化単層膜を形成する工程によって非吸着性化合物の官能基で固体表面を改質する。 （もっと読む）

【課題】誘電率や金属拡散バリア性絶縁性の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、炭素数８から１８の炭化水素、あるいは炭素数４から１０のアルコールから選ばれる少なくとも1種の溶剤を含有し、該炭化水素、該アルコールは、分子内に置換基として、カルボニル部位およびエーテル結合部位のいずれをも含まないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であるとともに、経時保存後も良好な膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物及び熱分解性化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】層間密着性の優れた、有機半導体の封止層形成時および封止層形成後に特性劣化が起こらない有機トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
絶縁基板上に有機半導体が設けられ、該有機半導体を覆うようにして第１の封止層が設けられ、該第１の封止層を覆うようにして第２の封止層が設けられた有機トランジスタであって、
前記第１の封止層の表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）（ＪＩＳＢ０６０１）を２ｎｍ以上にすること。
有機半導体直上に、体積抵抗が１０^１２Ωｃｍ以上の、有機半導体と接しても有機半導体へダメージを与えないフッ素化合物からなる第１の封止層を形成し、また、第１の封止層の上に、酸素および水蒸気バリア性を保持する第２の封止層を形成すること。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と半導体層との電気抵抗の関係などを考慮する必要がなく、半導体層中の移動度を向上させること。
【解決手段】基板上に下地絶縁層を介して形成された順スタガ型薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極の上に接して有機半導体層が設けられており、その上にゲート絶縁層を介してゲート電極が設けられている。ここで、上記下地絶縁層が、下記一般式（１）


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は置換基を有していてもよいアルキレン基を示し、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は水素または電子吸引性基を示し、ｎは１００〜１０００００を示す。）で表される化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オン時の電流が高い一方、オフ時の電流の発生が抑止され、しかも高い絶縁膜容量が得られるゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を備え、オン／オフ比が大きく、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタの製造方法、及び、該有機薄膜トランジスタを備えてなる表示装置を提供する。
【解決手段】有機高分子重合体を含んでなり、表面の算術平均粗さＲaが１０ｎｍ以下であり、表面の非共有電子対を有する元素の濃度が１原子％未満であるゲート絶縁膜、基板上に、(ａ)有機半導体膜、(ｂ)ゲート電極、(ｃ)ソース電極、(ｄ)ドレイン電極及び(ｅ)該ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタ、有機重合体を溶媒に溶かして溶液を調製する工程、及び、該溶液を基板上に流延させた後、溶媒を除去してゲート絶縁膜を形成する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法、並びに、該有機薄膜トランジスタを備えてなる表示装置。 （もっと読む）

【課題】 高弾性率かつ密着性に優れる樹脂膜が得られる有機絶縁材料を提供することにあり、それを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物、又は前記化合物を重合して得られる重合体、又は前記化合物及び前記重合体の混合物を含む有機絶縁材料。


（Ｘは芳香族基を示し、前記Ｘにおける芳香族基上の水素原子は、炭素数１以上２０以下のアルキル基を有していても良いアダマンタン構造を含む基で置換されていても良い。Ａ¹及びＡ²はアセチレン結合を含む有機基を示す。ｎ¹及びｎ²は１以上５以下の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】誘電率、金属バリア性、耐熱性、耐薬品性、機械強度等の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 一般式（Ｉ）で表される化合物、その加水分解物、またはそれらの縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
(Ｘ)_m−Ｑ−(Ｙ)_n （Ｉ）
一般式（Ｉ）中、Ｑは環員数５または６の含窒素複素環またはそれらのベンゾ縮環を含む基を表す。Ｘはそれぞれ独立して任意の置換基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｎは１〜１０の整数を表す。Ｙはそれぞれ独立して所定の構造を表す。 （もっと読む）

【課題】重合反応の阻害を抑制し、機械強度に優れ且つ低誘電率である層間絶縁膜を形成する方法、及び該方法に用いる前駆体溶液を提供する。
【解決手段】アルデヒド基を有するアダマンタン誘導体（１０ａ）と芳香族アミン誘導体（１０ｂ）とを含む溶液を基板上に塗布した後に、酸素を含有する雰囲気下において熱処理を行なうことにより、アダマンタン骨格とベンツオキサゾール骨格とを有する有機高分子膜（１０ｄ）よりなる層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示す新規な配位高分子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた素子を提供する。
【解決手段】本発明の配位高分子は、ジチオカルバミン酸の誘導体と塩素イオンと銅イオンとによって構成された配位高分子であって、銅イオンが、ジチオカルバミン酸の誘導体および塩素イオンから選ばれる少なくとも１つによって架橋されている。上記ジチオカルバミン酸の誘導体は、炭素数が３以上の脂肪族炭化水素基が窒素原子に結合した構造を有する誘導体である。この配位高分子は、２つのジチオカルバミン酸誘導体を配位子として含む銅錯体と、塩化銅（II）とを、それらの溶液中で反応させることによって、形成できる。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物の形状に制限されることなく、かつ、成膜効率の良い、重合体膜製造装置およびポリパラキシリレン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】重合体膜製造装置４０では、固体原料を気化炉１で気化させ、分解炉２で分解してモノマー原料とし、成膜チャンバー３に供給し、内部の成膜対象物に重合体膜を成膜する。このとき、成膜チャンバー３から排出させる残存モノマー原料は連結部１９ｄおよび循環用ポンプ５により分解炉２に循環させる。これにより残存モノマー原料を成膜に再利用できるので、成膜効率を向上することができる。上記重合体膜製造装置４０は、特にパラキシリレン膜の成膜に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】誘電率、耐クラック性等の膜特性の観点において優れた絶縁膜、およびそれを用いた電子デバイスを得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有するモノマーからカゴ型構造を有する重合体を製造する際、重合体と反応し得る、熱分解性基を有する化合物を溶媒として用いることを特徴とする重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜を低温で形成でき、かつ異物特性も良好な膜形成用材料の製造方法を提供する。
【解決手段】イソシアネート基を２個以上有する金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解してなる膜形成用材料の製造方法であって、前記金属化合物（Ｗ）を前記溶剤（Ｓ）に溶解して得られる溶液（Ｒ１）中のイソシアン酸を除去する工程と、前記イソシアン酸を除去した後、前記溶液（Ｒ１）を不活性ガス雰囲気下でろ過する工程とを有することを特徴とする膜形成用材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電率、ヤング率等の膜特性の観点において優れた絶縁膜、およびそれを用いた電子デバイスを得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有するモノマーからカゴ型構造を有する重合体を製造する際、沈殿重合法を用いることを特徴とする重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面に被覆する液状樹脂を有効に利用することができる液状樹脂の被覆装置および液状樹脂被覆機能を備えたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハの表面に液状樹脂を被覆する液状樹脂被覆装置であって、液状樹脂を貯留する液状樹脂プールと、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬して樹脂被膜をウエーハの表面に被覆するウエーハ浸漬手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、良好な面状とともに、耐熱性、機械的強度に優れた膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ構造を有する化合物及び架橋性化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、低誘電率であるとともに、耐熱性、機械的強度に優れた膜、該膜を提供できる膜形成用組成物、該膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】アダマンタン、ビアダマンタン、ジアマンタン、トリマンタン、テトラマンタンのカゴ型構造を有するモノマーの重合体よりなり、ラマン分光測定において、ラマンシフト３００〜３１００ｃｍ^-1の領域において最も強度が高いピークが６９０〜８００ｃｍ^-1に存在する膜、該膜を形成する膜形成用組成物、さらには該膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】優れた耐電圧特性を有し、液相プロセスを用いて高温による熱処理を行うことなく形成し得るゲート絶縁層を備える薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ間に介在する有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有する構造をしており、さらに基板１０上に搭載されている。ゲート絶縁層４０は、絶縁性無機粒子の表面に疎水性化合物を付与してなる複合粒子４１が、絶縁性ポリマーで構成されたマトリクス４２中に分散されてなる。 （もっと読む）

【課題】誘電率、金属拡散バリア性等の膜特性に優れた絶縁膜、およびそれを用いた電子デバイスを得るための膜形成用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式で表される化合物の重合体を含有する膜形成用組成物。


式中、Ｑは、炭素原子で形成された環構造を含む基または炭素原子で形成されたカゴ構造を含む基を表す。ｌは１〜１０の整数を表し、ｍは０〜１０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。Ｘは任意の置換基を表す。Ｙは炭素−炭素不飽和結合を有する基を表す。ＲはＯ，Ｎ，Ｓ，Ｐ等の原子を含有する官能基を有する基を表す。 （もっと読む）