【課題】ウエハー表面を保護する保護膜性を維持しつつ、その工程終了後、不要となった上記保護膜を容易に洗浄除去でき、洗浄除去後の保護膜の残渣の有無が容易に検知できるウエハー保護膜を与える保護膜用組成物を提供すること。
【解決手段】保護被膜形成材料と蛍光検知剤を含有することを特徴とするウエハー保護膜用組成物。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性及び低い比誘電率を有するとともに、吸湿性の低い絶縁膜等の薄膜を形成しうるＮ−置換ベンズイミダゾール環含有有橋脂環式化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）


（式中、Ｚは有橋脂環骨格を示し、Ｙ¹は単結合又は２価の有機基を示し、Ｙ²は単結合又は２〜３価の有機基を示し、Ｘは反応性官能基を示し、Ｒ^aは水素原子又は炭化水素基を示す。Ａは、Ｎ−置換ベンズイミダゾール基を示す）で表されるＮ−置換ベンズイミダゾール環含有有橋脂環式化合物。 （もっと読む）

【課題】 半導体の製造に有用な高い耐熱性及び極めて低い比誘電率を有するとともに、比誘電率のばらつきの少ない絶縁膜を形成しうる絶縁膜形成材料を得る。
【解決手段】 官能基間の反応により空孔構造を有するポリマーを形成可能な２つの化合物Ａ及びＢのうち少なくとも一方が、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、少なくとも一方が中心骨格と前記官能基との間に芳香環を含む２価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ少なくとも一方が分子内にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数２〜２０の有機基からなるフレキシブルユニットを有しており、化合物Ａの官能基と化合物Ｂの官能基が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基であるという条件を満足する化合物Ａ及びＢを含む絶縁膜形成材料。 （もっと読む）

誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、両親媒性表面調整剤を誘電性領域に塗布し、誘電性領域を調整することと、を含む、パターン化半導体基板を調整する方法が提示される。いくつかの実施形態では、誘電性領域を調整することは、誘電性領域のぬれ角を調整することを含む。いくつかの実施形態では、ぬれ角を調整することは、誘電性領域の表面を親水性にすることを含む。いくつかの実施形態では、方法は、水溶液をパターン化半導体基板表面に塗布することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性領域は、水溶液によって、選択的に増強される。いくつかの実施形態では、方法は、低誘電率材料から形成される誘電性領域を提供することをさらに含む。いくつかの実施形態では、両親媒性表面調整剤を塗布することは、低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する。
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【課題】強誘電性ポリマーメモリ素子の、容易且つ安価な製造方法を提供する。
【解決手段】メモリ素子は、第１の電極１４と、第１の電極１４上に形成された第１の強誘電性ポリマー層１６と、第２の電極１８と、第２の電極１８上に形成された第２の強誘電性ポリマー層２２と、第３の電極２４と、第１の強誘電性ポリマー層１６と第２の強誘電性ポリマー層２２との間に形成された保護層２０とを有する。第１の電極１４、第２の電極１８、及び第３の電極２４、並びに、第１の強誘電性ポリマー層１６及び第２の強誘電性ポリマー層２２は、第１の強誘電性コンデンサ構造２８及び第２の強誘電性コンデンサ構造３０を規定する。第２の電極１８は、第１の強誘電性コンデンサ構造２８及び第２の強誘電性コンデンサ構造３０に共通である。 （もっと読む）

【課題】有機電気素子の有機半導体膜が層間絶縁膜と接して形成される場合に、結晶性が低下し層間絶縁膜に対する光照射時に光酸化されることを防止するために、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜として有用に使用することができる遮光型水溶性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明は遮光型水溶性樹脂組成物に関し、特に（ａ）水溶性樹脂；（ｂ）水溶性染料化合物；（ｃ）溶媒を含むことを特徴とする有機半導体保護膜用遮光型水溶性樹脂組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】孔部の少なくとも内壁面に均一な被膜を形成する方法、この方法を利用した、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の被膜形成方法は、開口部の面積が２５〜１０，０００μｍ^２であり且つ深さが１０〜２００μｍである孔部を有する基板に、溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、樹脂成分及び溶剤を含有し、剪断速度６ｒｐｍにおける粘度Ｖ_１（ｍＰａ・ｓ）と、剪断速度６０ｒｐｍにおける粘度Ｖ_２（ｍＰａ・ｓ）との比（Ｖ_１／Ｖ_２）が、１．１以上の樹脂組成物を、該樹脂組成物が上記孔部内の上記溶剤と接触するように、上記基板に塗布する樹脂組成物塗布工程と、塗膜を乾燥する乾燥工程と、を備え、該孔部の内壁面及び底面のうちの少なくとも該内壁面に上記樹脂成分を含む被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】隣り合う配線用導電層５はエアギャップ８を挟んでおり、材質に銅を含んでいる。導電性のキャップ層６は、配線用導電層５上に選択的に形成され、かつ配線用導電層５中の銅の拡散のバリアとして機能する。絶縁膜７は、配線用導電層５、キャップ層６およびエアギャップ８の上に延在し、かつキャップ層６の上面および側面を覆っている。上層配線用のビアホールはキャップ層６に達し、かつ絶縁膜７を貫通していない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、特にフレキシブル薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と基板の密着性が強く、基板からゲート絶縁層が剥離しない信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はＩｎ、Ｚｎ、Ｇａのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】合わせずれにより下層配線層の絶縁膜が大きくエッチングされてしまうことを抑制する半導体装置の製造方法及びその方法で製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、下層配線となるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置された有機絶縁膜２２０と、Ｃｕ膜２６０の側面側であって有機絶縁膜２２０上に配置された有機絶縁膜２２０よりも比誘電率が高いＳｉＯＣ膜２２２と、ＳｉＯＣ膜２２２側に一部がはみ出して配置された、Ｃｕ膜２６０を上層配線２６５側へと接続するプラグ２６３と、Ｃｕ膜２６２のＳｉＯＣ膜２２２側にはみ出した部分の下部に配置された、ＳｉＯＣ膜２２２よりもエッチングレートが低い膜質の改質膜２８０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体層を堆積し、低誘電率材料、高誘電率材料及び液体を含む誘電体組成物を低誘電率材料及び高誘電率材料を相分離させずに液相堆積し、低誘電率材料および高誘電率材料の相分離を生成することを含む。低誘電率材料は半導体層に最も近い誘電体構造の領域内の高誘電率材料の濃度に比べて高濃度であり、半導体層の堆積は、誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる。 （もっと読む）

【課題】２００ｎｍ以下の膜厚の層間絶縁膜の製造方法であって、ハンプ率が低く、周縁部にブツが無い、ＥＢＲ形状が良好な膜を製造する方法を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物を回転塗布により基板上に塗布して塗布膜を形成する工程、及び前記塗布膜を、シリコン系界面活性剤を含む表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤を用いてエッジビードリムービング処理を行う工程、を含む層間絶縁膜の製造方法により、ハンプ率が低く、周縁部にブツが無い、ＥＢＲ形状が良好な膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】常温でもＩ型結晶構造を多く含む強誘電性の積層体とその製造方法を提供する。
【解決手段】フッ化ビニリデン系ポリマーを含むポリマー層の片面に、フッ化ビニリデン系オリゴマーを含むオリゴマー層が積層されてなる積層体。 （もっと読む）

【課題】特に、絶縁膜の誘電率上昇や絶縁性を劣化させること無くレジストポイズニングを抑制した配線加工技術を提供することである。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜とを備え、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜は構成要素として窒素またはメチル基を有し、かつ、前記第２の絶縁膜上にはレジスト膜が設けられてエッチング技術により前記第２の絶縁膜には孔が形成されてなる半導体素子であって、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に、構成要素として窒素およびメチル基を有さない中間絶縁層が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】金属不純物成分が極めて低減されることにより、充分な機械強度とともに、絶縁膜のリーク電流やブレークダウン電圧に優れており、なおかつその経時安定性に優れた塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一種のイオン交換基を有する構造体がグラフトされている多孔質ポリオレフィン濾材で濾過される工程を含むことを特徴とし、塗布型絶縁膜形成用組成物がカゴ型構造を含む繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる絶縁膜を形成するための組成物であって、得られた絶縁膜の誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり且つ基板との密着性に優れ、更に塗布液の安定性に優れる絶縁膜形成用塗布液を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、解決される。
（Ａ）炭素-炭素二重結合を少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランの加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、
（Ｃ）炭素数１６以下のカルボン酸、及び
（Ｄ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法でドメイン境界のほとんどない大きなドメインの薄膜結晶を形成する薄膜結晶の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板の上の所望の領域に薄膜結晶を形成する薄膜結晶の製造方法において、所望の領域に接する第１の隔壁層を基板の上に形成する工程と、所望の領域に有機半導体材料を含む溶液を滴下する工程と、溶液を乾燥させる工程と、をこの順で行うことを特徴とする薄膜結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）炭素−炭素二重結合を少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを基質濃度１０質量％以下において加水分解して得られる加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素−炭素二重結合及び炭素−炭素三重結合から選択される結合を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｃ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】充分な機械強度とともに、低誘電率であり密着性に優れた絶縁材料を形成するための、シランカップリング剤を含有する絶縁膜形成用組成物を有機溶媒に溶解した塗布液のポットライフを高める半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法を提供する。
【解決手段】シランカップリング剤を含有する半導体層間絶縁膜形成用塗布液を、接液面がプラスティックである容器に保存することを特徴とし、前記プラスティックがポリエチレン、弗素樹脂から選ばれる材質であることが好ましい。 （もっと読む）