【課題】基板上に処理液が存在するか否かについて、簡易な構造で検出し、製品の歩留まりの悪化を抑えること。
【解決手段】スピンチャック２に静電センサ５４Ａ〜５４Ｃを埋設する。静電センサ５４の静電容量は、基板であるウエハＷ上に処理液が存在すると、存在しない場合に比べて大きくなる。従って静電センサ５４Ａ〜５４Ｃにより、スピンチャック２上のウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することができる。従って所定のタイミングでウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することによって、処理液ノズル４からの処理液の吐出や、基板上における処理液の拡散の異常を速やかに検出できるため、これらの異常に直ちに対処でき、製品の歩留まりの悪化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性、低吸水性、溶剤溶解性、及び、薄膜形成性等の特性に優れ、高い信頼性を有する有機薄膜トランジスタ用絶縁膜、及び、該絶縁膜を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】フッ素含有シアノアリールエーテル重合体を含む絶縁膜を有機薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる。該フッ素含有シアノアリールエーテル重合体は、ベンゼン環でＲ基の位置を基準として１とすると、時計回りに２，６にフッ素、４にシアノ基、３，５に酸素を含むエーテル結合があり、これを単位とし、エーテル結合の部分で重合形成される重合体である。ここでＲは置換基を有してもよく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アリールチオ基を表す。また、エーテル結合部分はＯＲ’Ｏであり、Ｒ’は２価の有機基である。 （もっと読む）

【課題】自己組織化によるパターン形状を良好に且つより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１の上に中性化膜１０２を形成する。続いて、中性化膜１０２の上に、親水性を有し且つ開口部１０３ａを有するガイドパターン１０３を形成する。続いて、ガイドパターン１０３の少なくとも側面に対して、該ガイドパターン１０３の親水性を増長する表面処理である水素化処理を行う。その後、中性化膜１０２の上であって、表面処理を行ったガイドパターン１０３の開口部に、ブロックコポリマー膜１０５を形成する。続いて、ブロックコポリマー膜１０５をアニーリングすることにより、該ブロックコポリマー膜１０５を自己組織化する。その後、自己組織化されたブロックコポリマー膜１０５から自己組織化パターンの１つである第２のパターン１０５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】電子グレードまで精製可能であり、所望の電気的特性を保持した状態で厚さを減少させた誘電体層の形成に用いることができる材料を提供する。
【解決手段】分子性ガラスと、架橋剤と、触媒と、を含む、液体組成物を用い、誘電体層を形成する。分子性ガラスとしては、アモルファス分子性材料であり、‐ＯＨ、‐ＮＨ２の何れかを含む、エステル分子、スピロ、ビスフェノールＡ、四面体アリールシラン、アダマンタン、環系、縮合環、トリアリールアミン、ベンゼン、ヘキサフェニルベンゼン、トリフェニルベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセン、ピレンを用いる。又、光を照射することで酸を発生させる化合物、ナノ粒子等の無機粒子、金属ナノ粒子、酸化金属ナノ粒子、その他の無機ナノ粒子を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体のバッファコーティング(Ｂｕｆｆｅｒ ｃｏａｔｉｎｇ)に適用されるものであり、ポリイミドおよびこれを含む感光性樹脂組成物に関する。
【解決手段】上記ポリイミドは、下記一般式(１)で表されるポリイミド重合体である。なお、本発明は、１) ＢＤＡ系の７０％以上のｉ-線透過度を有する可溶性ポリイミドと、２) 伸び率が４０％以上のポリアミド酸と、３) ノボラック樹脂と、４) ジアゾナフトキノン系感光性物質とを含み、半導体のバッファコーティングの要求特性の高解像度、高感度、優れたフィルム特性および機械的物性を有する感光性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ゾル−ゲル法を用いて、硬化時の収縮率が小さく低誘電率である塗布型シリカ系被膜を得ることが可能な、塗布型シリカ系被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）、（２）及び（３）にて表される化合物を含む（Ａ）成分を必須成分とし、２００〜３００℃での一段目硬化から、６００℃の二段目硬化迄の膜収縮率が５％以下であり、二段目硬化温度が４００℃の場合の、シリカ系被膜の比誘電率が２．５以下である、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られる塗布型シリカ系被膜形成用組成物。


［Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ_４は炭素数６〜２０の直鎖状アルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、Ｏｎ／Ｏｆｆ特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４、金属酸化物半導体層１を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層２ａ該ポリマー絶縁層上の無機層２ｂからなり、無機層２ｂの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シートフィルムを用いた転写により、基板の上により均一な状態で薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】「ルミフロン」の５ｗｔ％メチルエチルケトン溶液（剥離層溶液）をシートフィルム３０１にスピン塗布して塗布膜を形成する。メチルエチルケトンは、この表面張力がシートフィルム３０１の臨界表面張力を超えないので、上記塗布膜は、はじかれることなくまたムラなく形成できる。この後、形成した塗布膜の上に水を供給して数分保持する。このことにより、塗布した剥離層３０２は、表面にカルボキシル基が配置された状態となり、親水性を有する状態となる。 （もっと読む）

【課題】上記事情から、本発明の目的は、光硬化性を有し、かつ耐熱透明性に優れた硬化物を与える硬化性組成物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ）光硬化性樹脂、（Ｂ）下記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）で表される各構造と、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群から選ばれる少なくとも一種を同一分子内に有する変性ポリオルガノシロキサン化合物からなる硬化性組成物、あるいは、これらの特定構造を有する化合物、あるは化合物を用いることにより課題が解決されることを見出した。
【化１】
（もっと読む）

【課題】高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシロキサン（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（１）で表される構造単位（ｃ１）を含む重合体（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）と、を含有するネガ型感放射線性組成物。
（もっと読む）

【課題】有機半導体層を用いたトップゲート構造において、電流駆動能力の向上を確実に図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５と、これらの上部にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを有するトップゲート型の薄膜トランジスタ１-1である。特に、ゲート絶縁膜１７は、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層１７ａ、無機材料からなる密着層１７ｂ、およびフッ素樹脂層１７ａを構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層１７ｃとをこの順に積層した３層構造である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一層の誘電体層を有する電子装置であって、該誘電体層が少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物に基づく架橋有機化合物を含むもの、及び該電子装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 テンプレートを用いることなく基板に凹凸状のパターンを形成することができるパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決装置】 パターン形成装置（１０）は、基板（ＦＢ）の表面に凹凸状のパターンを形成する。そして、パターン形成装置（１０）は所定のエネルギーに応じて硬化する硬化性材料（ＬＲ）を基板（ＦＢ）の表面に接触させる接触装置（１２）と、パターンに対応するパターン情報に基づいて基板（ＦＢ）の表面と接触した硬化性材料（ＬＲ）に所定のエネルギーを付与し該硬化性材料（ＬＲ）を硬化させる硬化装置（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第４族元素、第５族元素、第６族元素、第１３族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 ブロック共重合体を用いて所定の位置にホール又はビアを有するデバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】 例えば、光リソグラフィを用いて、輪郭を付けられた凸状のセグメントによって与えられる断面を有する開口部を基板内に形成する。開口部の断面は、例えば、重なった円形領域によって与えることができる。側壁は、種々の点で隣接し、そこで突起を画定する。ブロック共重合体を含むポリマーの層を開口部及び基板の上に塗布し、自己集合させる。開口部内に個別分離ドメインが形成され、これらを除去してホールを形成し、これを下層の基板に転写することができる。これらのドメイン及びこれらの対応するホールの位置は、側壁及びそれらに付随する突起によって所定の位置に誘導される。これらのホールを隔てる距離は、何も側壁がない場合にブロック共重合体（及び何れかの添加剤）が自己集合したとする場合よりも大きく又は小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 （もっと読む）

【課題】多孔質シリカ膜で構成される低誘電率絶縁膜の疎水性を改善すると共に、空孔径を所定の範囲に制御することによって、比誘電率の低減、リーク電流の低減、および機械的強度の向上を図る。
【解決手段】基板上に多孔質シリカ膜形成用原料を塗布する工程と、多孔質シリカ膜形成用原料が塗布された基板を水を添加しない有機アミン蒸気雰囲気中に暴露する気相処理工程と、を含む多孔質シリカ膜からなる低誘電率絶縁膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】所定の配線間距離を確保すると共に、配線間距離を確保するために形成される絶縁膜をパターニング等によって形成する際に、下層配線の損傷を防ぐ。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された第１配線１と、半導体基板１１上の第１配線１との交差部において、隙間９を介して第１配線１を跨ぐように形成された第２配線２と、交差部の第２配線２下において、少なくとも第１配線１を覆うように半導体基板１１上に形成された保護膜８と、交差部の第２配線２下の保護膜８上において、保護膜８の端部よりも内側に形成され、交差部の第１配線１を覆うように島状に形成された絶縁膜３と、備えている。 （もっと読む）

【課題】液状でハンドリングおよび溶液塗布により容易に薄膜形成でき、かつ、低温ベイク温度条件で高い絶縁性が要求される電子部品、例えば薄膜トランジスタのパッシベーション膜、ゲート絶縁膜などに用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】 樹脂組成物を溶液塗布することで形成でき、かつ１７０℃以下のポストベイクによって得られる薄膜において、ＤＳＣ測定による発熱量が５Ｊ／ｇ以下である絶縁性薄膜により上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率であり且つ高弾性率な層間絶縁膜を構成する硬化パターンの形成に好適なネガ型感放射線性組成物、それを用いた硬化パターン形成方法及びこの硬化パターン形成方法により得られた硬化パターンを提供する。
【解決手段】本発明のネガ型感放射線性組成物は、（Ａ）下式（１）で表される有機ケイ素化合物（ａ１）と、下式（２）で表される有機ケイ素化合物（ａ２）と、を含む加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られるポリシロキサン、（Ｂ）感放射線性酸発生剤、（Ｃ）酸拡散抑制剤、及び（Ｄ）溶剤を含有する。


〔式中、Ｒ^１は炭素数２〜６のアルケニル基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数である。Ｒ^３は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基を表し、Ｒ^４は１価の有機基を表し、ｂは１〜３の整数である。〕 （もっと読む）