【課題】より低温、より短期間で処理することができる誘電体層、誘電性組成物を提供することである。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、電子デバイスは、架橋された誘電性材料及び赤外線吸収剤を含有する誘電体層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 空隙を組み込んだ構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。より具体的には、本明細書で説明する方法は、内部に種々異なる深さの空隙がフォトリソグラフィにより画定された光パターン化可能低ｋ材料の内部に構築される相互接続構造体を提供する。本発明の方法においては、空隙を形成するのにエッチ・ステップは必要としない。光パターン化可能低ｋ材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）、及びフッ素樹脂である活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便なプロセスで製造可能であり、スイッチング特性に優れたＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、酸化物半導体からなる酸化物半導体層および上記酸化物半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記薄膜トランジスタに含まれる半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、所定の方法で算出した相対溶存酸素飽和率が９５％以下となるように、ポリイミド樹脂組成物を脱気する脱気工程と、金属基材上に、上記ポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ａ）紫外光域において強力かつ均一に吸光し、ｂ）レジスト材料を「崩れ」させたり、意図したレジストラインよりはみ出ることのない、ｃ）フォトレジスト現像剤および上記のＳＯＧ反射防止膜の製造工程に対して感応することのない、吸収性スピンオンガラス反射防止膜およびリソグラフィー材料が、層状材料、電子部品、および半導体部品の製造を発展させるために望まれている。
【解決手段】少なくとも１つの無機系化合物と、少なくとも１つの導入することが可能な吸収性有機化合物と、少なくとも１つのｐＨ調整剤とを含んでなる、吸収性スピンオンガラス組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング特性に優れたＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された半導体層および上記半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、非感光性ポリイミド樹脂からなる非感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子における光電変換部の実装に用いられる絶縁膜の形成に好適に用いられる感放射線性組成物、絶縁膜の形成方法、絶縁膜及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の感放射線性樹脂組成物は、黒色剤と、フェノール性水酸基を有する重合体と、感放射線性酸発生剤と、酸の作用により架橋反応が進行する架橋剤と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の絶縁膜を備える一方で、当該絶縁膜上に選択的に設けられたキャップ層を備えておらず、信頼性に優れた半導体装置を効率よくかつ確実に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする、ナノインデンターを用いた測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上である絶縁膜を形成する工程を有する一方で、絶縁膜上にキャップ層を形成する工程を有していない。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）および金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ、を簡便で安価な方法で提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を薄板化しても基板の反りを抑制でき、耐熱性、機械特性に優れた絶縁膜で保護された半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の一方の面に第１表面電極２を形成し、第１表面電極２が形成された基板の表面に、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上のアシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも１モル％以上多く反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を塗布し、イミド化して絶縁膜３を形成し、第１表面電極２及び絶縁膜３が少なくとも形成された基板１を、第１表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって信頼性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一方の面に第１表面電極２を形成し、第１表面電極２が形成された基板１の表面にレジスト組成物を塗布し、プリベークしてレジスト膜１０を形成し、該レジスト膜１０を貫通して第１表面電極１上にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内にコンタクト電極４を形成し、第１表面電極２が形成された基板の表面に、熱膨張率が２ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃未満の第１絶縁膜３ａを形成し、次いで、該第１絶縁膜３ａ上に熱膨張率が７ｐｐｍ／℃以上２４ｐｐｍ／℃以下の第２絶縁膜３ｂを積層して絶縁膜３を形成し、コンタクト電極４を介して絶縁膜上に第２表面電極５を形成し、第１表面電極２、第２表面電極５及び絶縁膜３が形成された基板の裏面側を支持体に固定し、第１表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを生じにくい膜形成用組成物入り容器を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物入り容器は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物を含む液状の膜形成用組成物を容器に収納してなるものであって、前記容器の前記膜形成用組成物を収納する収納部の収納量をＶ［ｃｍ^３］、前記収納部の内表面積をＳ［ｃｍ^２］としたとき、Ｓ／Ｖ≦０．８５の関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印刷法やフォトリソグラフィにより微細なパターン形成が可能な材料を用いて、ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を備える有機薄膜トランジスタにおいて、当該ゲート絶縁膜として、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物から得られたゲート絶縁膜を用いる。該有機薄膜トランジスタは、前記ゲート電極が形成された前記基板に、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物を印刷法により塗布する工程及び当該光硬化性組成物からなる層に活性エネルギー線を照射し硬化させて前記ゲート絶縁膜を形成する工程等により製造される。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド前駆体組成物のワニス安定性が良好で取り扱い性に優れ、かつ、基板界面の残留応力を低減でき、耐熱性に優れた半導体素子用絶縁膜を提供する。
【解決手段】芳香族ジアミンと、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上のアシル化合物とを反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を、イミド化して成膜したポリイミド膜からなる半導体素子用絶縁膜であって、前記ポリアミド酸は、前記アシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも１モル％以上多く反応して得られるポリアミド酸であり、前記ポリイミド膜の熱膨張率が２〜２４ｐｐｍ／℃である半導体素子用絶縁膜。 （もっと読む）