【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を好適に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、炭素原子に結合したハロゲン原子とを有する化合物Ａを用意する化合物Ａ用意工程と、前記化合物Ａをアセチレン誘導体と反応させ、前記化合物Ａに前記アセチレン誘導体を導入するアセチレン誘導体導入工程と、ＭｇまたはＬｉを作用させ、さらに、水素源を作用させることにより、前記アセチレン誘導体導入工程で未反応であった炭素−ハロゲン結合を炭素−水素結合に置換する水素化工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜及びその製造方法、並びに、その絶縁被膜を有効に形成できるボラジン系樹脂組成物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体と、該重合体を溶解可能な溶剤とを含んでおり、重合体が有機ケイ素ボラジン系ポリマーであり、固形分濃度が０．５質量％以上であり、且つ、金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下である、ボラジン系樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。
【解決手段】ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０重量ｐｐｂ以下である半導体用シール組成物に、２以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が２０００〜１０００００である樹脂を含有せしめ、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が１０ｎｍ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜としての性能を損なうことなく、スピンオングラスを用いた簡便な方法でメタル下絶縁膜や素子分離用絶縁膜として利用可能な絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてオルガノアルコキシシランの加水分解縮合物を含む塗布液を基板上に塗布して塗布基板を得る工程と、第二の工程として前記塗布基板を７００℃以上９００℃以下の温度で水素を含む気体中で加熱して前記塗布膜を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程とを順に含む。 （もっと読む）

【課題】 従来の欠点及び制限を軽減する、パターン形成性誘電体材料を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成性誘電体材料は、シルセスキオキサン重合体であり、さらに、ネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物中のシルセスキオキサン重合体、シルセスキオキサン重合体を含むネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物を用いた構造体の形成方法、及びシルセスキオキサン重合体から作られる構造体を開示する。 （もっと読む）

【課題】基体に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に、埋め込み性が良好で、低いリーク電流を示す絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物をトレンチ構造を含む基板に塗布する塗布工程と、第二の工程として前記塗布された縮合反応物を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程と、第三の工程として前記絶縁膜の表面を疎水化処理剤にさらす疎水化処理工程を順に行う。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質のコーティング膜を与えることができるコーティング装置およびコーティング方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、
該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。このような構成により、前記プラズマを電子デバイス用基材上に照射しつつ、該基材上にコーティング層を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ポリフェニレンエーテルなどの本来有する低誘電率、低吸水性および耐熱性を維持しつつ、感放射線性に優れ、低温で熱処理可能な樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族環を有する、比誘電率が５以下の化合物と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される架橋剤と、（Ｃ）酸発生剤とを含有する。


［式（１）中、Ｒ¹はｎ価の炭化水素基、ｎは１〜４の整数、Ｒ²はそれぞれ独立に水素原子、酸の存在下により、カチオンを有する基または電子供与性基を示す。］ （もっと読む）

【課題】粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータをインクジェット用に制御しなければならない非水系インクジェット用インクにおいて、ジェッティング後、表面処理を行わずに平坦な基板ににじみあるいはぬれ広がりの少なく、良好なパターン膜が得られ、かつ低粘度のためインクジェットヘッドの加熱が不必要な非水系インクジェット用インクを提供すること。
【解決手段】界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクであって、前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】 シリカ系被膜樹脂が、高濃度でも保管安定性に優れ、得られるシリカ系被膜の機械強度が高く、基材との密着力が確保し易いシリカ系被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）下記一般式（１）及び（２）にて表されるアルコキシシラン、
【化１】


【化２】


［Ｒ_１、Ｒ_２は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。］
（Ｂ）非プロトン性有機溶媒、（Ｃ）炭素数３〜６の一価のアルコール、（Ｄ）酸触媒とを、必須成分とし、前記（Ｃ）成分の添加質量が、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られるシリカ樹脂質量の２〜３倍である、塗布型シリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】水によるＴＦＴ特性の不安定性を改善し、且つＴＦＴの初期特性を向上させる。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と前記ゲート絶縁層の間に又は前記活性層上に、互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極で覆われていない前記活性層の上面を覆う疎水性を有する有機単分子膜と、前記活性層上の前記有機単分子膜上に形成された保護層と、を有した薄膜トランジスタを採用する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、耐酸化性に優れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板２上に、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、半導体層５、ソース電極６およびドレイン電極７を形成してなる薄膜トランジスタであって、アルカリ可溶性フェノール樹脂（Ａ）と感放射線化合物（Ｂ）とを含有する感放射線性樹脂組成物からなる保護膜８が、前記ゲート絶縁層４、前記半導体層５、前記ソース電極お６よび前記ドレイン電極７に接触して形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を施した後も安定したトランジスタ特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、その製造方法及び酸化物薄膜トランジスタを用いたディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の第１実施形態の酸化物薄膜トランジスタ１は、酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、ＰＶＰおよびフッ素系界面活性剤を含む構成とすることにより、良好かつ安定した特性を有するとともに、デバイス形成時に加熱処理を行った場合にも、特性の変化が殆どない酸化物薄膜トランジスタ１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０は、ガラス基板２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３、半導体層（活性層）２４、ソース電極２５およびドレイン電極２６を備える。ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３および半導体層２４は、この順序でガラス基板２１上に積層されている。ソース電極２５およびドレイン電極２６は、半導体層２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２３は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式（１）で表される化合物および以下の（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［化学式（１）および（２）］
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【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくく、膜特性が維持された絶縁膜を形成することができる膜形成用組成物、かかる膜形成用組成物により形成された絶縁膜、および、かかる絶縁膜を備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物を含む膜形成用組成物であり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基が、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来技術のデバイスのドレイン電流値が実用的には少なすぎ、試料を昇温すると、ある温度以上でドレイン電流が劇的に減少し、元に戻らず、デバイスが劣化するという問題を解決するダイヤモンド電界効果トランジスターおよびダイヤモンド多層膜。
【解決手段】ダイヤモンド上に水素を含む第１の表面層があり、その上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が順に並んでおり、ソース電極−ゲート電極間、およびゲート電極−ドレイン電極間の上記ダイヤモンド結晶の第１の表面層上に、フッ素を含む保護層があることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスター。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、強度に優れ、膜厚の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜を提供すること、前記絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること、また、前記絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する２つの重合性反応基とを有するものであり、前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合する２つのビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物は、前記部分構造Ａを中心に、前記重合性反応基が対称的に結合した構造を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ製造における基板の加工工程において、基板の保護膜、特にシリコンのエッチング時のウエハおよび／またはデバイス面を保護するために用いられる保護膜を作製するための塗布組成物を提供する。
【解決手段】 水溶性樹脂を有機溶媒に溶解させた半導体素子保護膜用塗布組成物であって、水溶性樹脂は分子量９０００００〜２００００００の水溶性樹脂（Ａ）と、分子量４５０００〜１２００００の水溶性樹脂（Ｂ）とを含み、水溶性樹脂（Ａ）：水溶性樹脂（Ｂ）の質量比で１：３〜１：９と、水溶性樹脂（Ａ）と水溶性樹脂（Ｂ）とを合わせた水溶性樹脂の濃度が２０〜２８質量％となるように溶解させた半導体素子保護膜用塗布組成物。水溶性樹脂が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および水溶性セルロース誘導体からなる群から選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜（第１の配線層間絶縁膜３）に配線形成用溝（第１層配線形成用溝２１）を形成する。配線形成用溝内にＣｕ配線（第１層配線４）を形成し、Ｃｕ配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Ｃｕ配線上及び配線層間絶縁膜上にＳｉ−Ｏ、Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ及びＣ−Ｈのうちの少なくとも何れか１つの結合を含む絶縁膜層（第１の有機ポリマー層６）を形成する。Ｃｕ配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Ｃｕ配線上にキャップメタル（第１のキャップメタル５）を選択的に形成する。 （もっと読む）