【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、及び架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、
前記バインダー樹脂（Ａ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００以上、吸水率が０．０３重量％以上であり、前記バインダー樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）に対する、前記架橋剤（Ｃ）の分子量の比率が、０．０５以下であり、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が２１〜１５０重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されていることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる絶縁膜を形成することが可能な、塗布型絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】有機ケイ素化合物（Ａ）、及び、下記式（Ｌ）：［化１］


で示される構造単位を有する含フッ素ポリマー（Ｂ）、からなることを特徴とする塗布型絶縁膜形成用含フッ素組成物。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体層を堆積し、低誘電率材料、高誘電率材料及び液体を含む誘電体組成物を低誘電率材料及び高誘電率材料を相分離させずに液相堆積し、低誘電率材料および高誘電率材料の相分離を生成することを含む。低誘電率材料は半導体層に最も近い誘電体構造の領域内の高誘電率材料の濃度に比べて高濃度であり、半導体層の堆積は、誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる。 （もっと読む）

【課題】光硬化性を有し、かつ耐溶剤性、メタル配線への密着性に優れた薄膜を与える硬化性組成物を提供することである。
【解決手段】 必須成分として（Ａ）光重合性官能基を有する化合物、（Ｂ）アルケニル基を有する化合物、（Ｃ）ＳｉＨ基を有する化合物、（Ｄ）光重合開始剤 （Ｅ）ヒドロシリル化触媒を含有する硬化性組成物であり、
成分Ａ、Ｄよる光重合反応と成分Ｂ、Ｃおよび成分Ｅによるヒドロシリル化反応の２種の反応が進行することにより、光硬化性を有しながら耐溶剤性、メタル配線への密着性に優れた薄膜を与える得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の安定性に優れた有機薄膜トランジスタの製造方法と、有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体膜上に、（ａ）炭酸プロピレン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも１つの有機溶剤と、（ｂ）該有機溶剤に可溶な有機化合物を含有する絶縁膜形成液を用いてウェットプロセスによりゲート絶縁膜を形成することを特徴とするトップゲート型有機薄膜トランジスタの製造方法により解決される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を添加しなくとも、ポリマー単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、低体積収縮を達成できるトリアジン環含有重合体、およびこれを含む膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】例えば、下記式（２）で表されるような、トリアジン環を有する繰り返し単位構造を含む重合体は、それ単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、および低体積収縮を発揮し得る。


（式中、Ｚ¹およびＺ²は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキレン基等を表す。） （もっと読む）

【課題】金属酸化物を添加しなくとも、ポリマー単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、低体積収縮を達成できるトリアジン環含有重合体、およびこれを含む膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】例えば、下記式（２０）で表されるような、トリアジン環を有する繰り返し単位構造を含む重合体は、それ単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、および低体積収縮を発揮し得る。
（もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 本発明に係る保護膜形成用フィルムは、エネルギー線重合性化合物（Ａ）およびゲッタリング剤（Ｂ）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボイドを発生させることなく絶縁膜を注入することを可能とする終端トレンチを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は，半導体素子が形成されたセル領域と，このセル領域の四方をＸ方向に対して長手方向が平行な2つのトレンチとＸ方向と９０度であるＹ方向に対して長手方向が平行な２つのトレンチとで囲む終端トレンチ領域とを有する素子形成領域と，複数の素子形成領域を分離する溝を備えるダイシングライン領域とを具備する。この終端トレンチ領域は，素子形成領域の四隅においてＸ方向に長手方向が平行なトレンチとＹ方向に長手方向が平行なトレンチとが交差し，素子形成領域の四方側面において，終端トレンチ領域の短手方向の垂直断面が開放された状態で，ダイシングライン領域の長手方向と垂直に接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、移動度が向上し、コンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、ソース・ドレイン電極１４および有機半導体１５がこの順に積層された半導体装置において、有機半導体層１５は、第１の層１５ａと第１の層１５ａよりもグレインサイズの小さい第２の層１５ｂとを備えており、第１の層１５ａがゲート絶縁膜１３側に配置されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する化合物Ｃを含む重合性化合物を重合することにより得られる、分散比が１．０以上２．５以下の重合体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、電気特性の安定性に優れた有機半導体素子の製造方法と、有機半導体素子を提供することである。
【解決手段】上記課題は、ゲート電極形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、ソース／ドレイン電極形成工程と、有機半導体膜形成工程と、有機半導体膜上に保護膜を形成する工程とを含み、前記有機半導体膜上に保護膜を形成する工程において、（ａ）炭酸プロピレン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも１つの有機溶剤と、（ｂ）有機溶剤（ａ）に可溶な有機化合物とを含有する保護膜形成液を用いて、ウェットプロセスにより前記保護膜を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気中で駆動する場合の閾値電圧の絶対値が小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】分子内に環状エーテル構造を有する基を含有する化合物（Ａ）と、含フッ素溶媒（Ｂ）とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】軽量であり、かつ強固な信頼性を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】集積回路チップは、プラスチックの基板１０１と、基板１０１上に配されたポリマー誘電体１０３と、電極同士の間に形成された有機半導体材料１１２および受動層１１４の少なくとも１つのを含むアクティブデバイス１０４と、少なくとも１つのアクティブデバイス１０４に隣接する導電性ポリマー１０６および／または１０８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた、シランカップリング試薬を用いて、水素終端化処理されたシリコン基板の表面修飾を極めて効率的に行う手段を開発し、センシング電極や有機エレクトロニクス素子の材料として有用な、新たな表面修飾半導体シリコン基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。また、この方法によれば、自己集合膜（ＳＡＭ）に匹敵するようなシランカップリング試薬の高密度単分子膜による修飾も可能である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記架橋剤（Ｃ）は、分子量が１００〜５００であり、かつ、前記架橋剤（Ｃ）のＳＰ値をＳＰ_１とし、ＳＰ値が１９６２０（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２であるアリルグリシジルエーテルのＳＰ値をＳＰ_２とした場合に、ＳＰ_１−ＳＰ_２＝−１９００〜５４００（Ｊ／ＣＵＭ）^１／２の関係にあるＳＰ値を有し、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が１〜５００重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されており、該樹脂膜中の無機イオン含有量が１〜１０００ｐｐｂであることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、（Ａ）制御電極１２、（Ｂ）第１電極１４及び第２電極１４、並びに、（Ｃ）第１電極１４と第２電極１４との間であって、絶縁層１３を介して制御電極１２と対向して設けられた、有機半導体材料層１５から成る能動層１６を備えて成り、少なくとも能動層１２と接触する絶縁層１３の部分は、下記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
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