【課題】絶縁性が高く、かつ均一な膜厚を有するゲート絶縁膜を効率よく形成することができる電界効果型トランジスタの製造方法、及び該電界効果型トランジスタの製造方法により製造され、安定した特性を有する高性能な電界効果型トランジスタの提供。
【解決手段】前記第一の基材上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、第二の基材上にゲート絶縁膜形成用樹脂溶液を塗布し、ゲート絶縁膜を形成する塗布工程と、前記ゲート絶縁膜表面の流動性が消失するまで乾燥する乾燥工程と、前記ゲート電極と、前記ゲート絶縁膜表面とを接触させて接触体を形成する接触工程と、前記接触体に対し、ゲート絶縁膜形成用樹脂のガラス転移温度以上の熱を加える加熱工程と、前記接触体から前記第二の基材を剥離し、第一の基材上にゲート絶縁膜を形成する剥離工程とを少なくとも含む電界効果型トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電率などの特性に優れた膜を効率よく製造することができる絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させて得られる高分子化合物と、空孔形成剤とを含有する膜を基板上に形成する膜形成工程と、該膜に電子線を照射する電子線照射工程と、電子線照射工程後に膜を加熱して、絶縁膜を形成する加熱工程とを備える、絶縁膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に埋め込むために好適な縮合反応物溶液であって、ポットライフが長く、トレンチ埋め込み用として使用した場合のトレンチ内への埋め込み性が良好で、焼成して酸化シリコンとしたときの硬化収縮率が小さく、クラック耐性及びＨＦ耐性に優れる縮合反応物溶液を用いる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に形成されたトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法であって、特定構造のシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、シリカ粒子とを含有する縮合成分から得られる縮合反応物、及び溶媒を含み、該シラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を含有する縮合反応物溶液を、基板上に塗布して塗布基板を得る塗布工程と、該塗布工程で得た塗布基板を加熱する焼成工程とを含むトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを５０モル％以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が１０００〜５００００であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して１４質量％超３０質量％以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜１４により、基板１０表面上に形成されたトレンチ１２を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷やディスペンス塗布に最適なレオロジー特性を有し、各塗布基板との濡れ性を向上させ、５００回以上の連続印刷が可能であり、印刷・塗布後や乾燥・硬化時にワキやハジキ、ピンホールが発生せず、所定部分を被覆できる半導体装置用ポリイミド樹脂組成物並びにそれを用いた半導体装置中の膜形成方法及び該方法により形成された膜を絶縁膜や保護膜等として有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置用ポリイミド樹脂組成物は、第一の有機溶媒（Ａ）及び第二の有機溶媒（Ｂ）の混合溶媒に可溶な耐熱性ポリイミド樹脂であって、ポリイミドの繰り返し単位中にアルキル基及び／又はパーフルオロアルキル基を含み、チクソトロピー性を有するポリイミド樹脂を、前記混合溶媒中に含む。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、ＳｉＯ膜の０．７５倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に形成される多孔質層の密着性を改善し、樹脂基板と多孔質層との間の剥離を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】樹脂基板２上に、アルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなる密着層３を備え、密着層３上に、アルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、０．７ｇ／ｃｍ³以下の密度を有する多孔質層４を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】 インクジェット法などの印刷手法によって、微細なパターン状ポリイミド膜を形成する方法を提供すること。さらに、容易な表面処理方法でインクジェット印刷に適した均一な基板表面を形成することができ、結果として所望のパターンのポリイミド膜が得られる塗膜形成方法を提供すること。
【解決手段】反応性の有機基を有するシランカップリング剤（Ａ）、パーフルオロアルキル基あるいはポリシロキサン基から選ばれる基を少なくとも１つ有するシランカップリング剤（Ｂ）及びカチオン性有機基を有するシランカップリング剤（Ｃ）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する表面処理剤を用いて、基板上に前記表面処理膜を形成する工程、その後に、アミド酸誘導体及びそのイミド化物から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有するインクジェットインクを前記表面処理膜上にインクジェット塗布方法によりパターン状に形成する工程、を有する、パターン状ポリイミド膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を、基板上に形成される多孔質層のクラックの発生を抑制し、大面積化しても高性能なものとする。
【解決手段】半導体装置１を、基板２と半導体素子３との間にモノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルコキシシランと、テトラアルコキシシランとの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、０．７ｇ／ｃｍ³以下の密度を有する多孔質層４を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】プリベーク後のウエハのピン上停滞による塗膜の過剰乾燥及びそれによりもたらされる現像後の開口寸法の縮小を抑制できる樹脂膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）ウエハ上に感光性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成する塗布工程、（ｂ）前記塗膜をホットプレート上で乾燥するプリベーク工程、（ｃ）前記乾燥した塗膜を露光する露光工程、及び、（ｄ）前記露光した塗膜を現像する現像工程をこの順で含み、前記（ｂ）プリベーク工程が、（ｂ１）前記塗膜を有するウエハを、ホットプレート上で保持する工程、及び、（ｂ２）前記塗膜を有するウエハを、ホットプレートから浮いた状態で保持する工程をこの順で含む樹脂膜パターンの形成方法。 （もっと読む）

高温オゾン処理を含むナノ細孔の超低誘電薄膜の製造方法及びこれによって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜が提供され、前記製造方法は、有機シリケートマトリックス−含有溶液と反応性ポロゲン−含有溶液とを混合して混合溶液を準備し、前記混合溶液を基材上に塗布して薄膜を形成し、前記薄膜を熱処理し、前記熱処理の過程中にオゾン処理を行うことを含み、このような製造方法によって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜は、高温のオゾン処理及び処理温度の最適化による薄膜内の細孔のサイズと分布度の改善を通じて、２.３以下の誘電率と１０ＧＰａ以上の機械的強度とを有することができる。
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【課題】薄く、剥がれ難く、異方性が小さい液晶ポリエステル被膜が半導体基板上に形成されてなる液晶ポリエステル被覆半導体基板を製造する。
【解決手段】半導体基板上に、液晶ポリエステルと溶媒とを含み、前記液晶ポリエステルが前記溶媒に溶解している液状組成物の塗膜を形成し、前記塗膜から前記溶媒を除去する。前記塗膜の形成は、前記半導体基板上に前記液状組成物を載せ、前記半導体基板を回転させることにより行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜を有効に形成できるボラジン系樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｂ，Ｂ’，Ｂ’’−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とを、固体触媒の存在下に重合させる第１の工程と、第１の工程を実施した後に、固体触媒を除去する第２の工程と、を備え、固体触媒が、白金アルミナ等であり、ヒドロシラン類が、下記式（２）；


で表されるもの等である方法により、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体を製造し、重合体と、該重合体を溶解可能な溶剤とを含むボラジン系樹脂組成物を得る、ボラジン系樹脂組成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、分子内に複数個の重合性反応基を備え、当該重合性反応基として少なくとも１個の重合性二重結合を備えた多価反応性オレフィン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記多価反応性オレフィン体が有する前記重合性反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記多価反応性オレフィン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの裏面を研削する際に、スクライブ領域からの切削屑等の浸入を防止できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体ウエハ１に素子が形成された素子形成領域１Ａと、半導体ウエハ１における素子形成領域１Ａの周囲に形成されたスクライブ領域３とを有している。さらに、半導体装置は、素子形成領域１Ａの上及びスクライブ領域３の上に形成され、素子形成領域１Ａ及びスクライブ領域３を保護する保護膜２を有している。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであって、アセチレン結合を含むアセチレン系反応基を、分子内に複数個備えたオリゴアセチレン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記オリゴアセチレン体が有する前記アセチレン系反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された構造を有する水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記オリゴアセチレン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜１４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含有する電子構造部品、殊に電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）の製造法に関し、この場合有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする前記誘電体またはその前駆体化合物は、溶液から処理可能であり、室温ないし３５０℃の低い温度で熱処理され、および前記半導体金属酸化物、殊にＺｎＯ、またはその前駆体化合物は、同様に溶液から室温ないし３５０℃の低い温度で処理されうる。
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【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を好適に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、炭素原子に結合したハロゲン原子とを有する化合物Ａを用意する化合物Ａ用意工程と、前記化合物Ａをアセチレン誘導体と反応させ、前記化合物Ａに前記アセチレン誘導体を導入するアセチレン誘導体導入工程と、ＭｇまたはＬｉを作用させ、さらに、水素源を作用させることにより、前記アセチレン誘導体導入工程で未反応であった炭素−ハロゲン結合を炭素−水素結合に置換する水素化工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）