【課題】イオン性不純物をppbレベルにまで精製した化学試薬から合成される誘電率３．７以下で、なおかつ、優れた機械的強度を有する高性能材料および高性能材料を含む膜（フィルム）を提供すること。
【解決手段】誘電率約３．７以下の高性能材料を製造するための化学試薬の混合物であって、(A)シリカ源、(B)５〜７５重量％のエチレンオキシド基を含むポロジェン、(C)カルボン酸、カルボン酸陰イオン、カルボン酸エステル、またはそれらの組合せからなる群から選択されたカルボン酸塩、(D)イオン性添加物を含み、少なくとも一つの化学試薬が１ppm以上の金属不純物レベルを有する場合には、該化学試薬を混合物に添加する前に精製して混合する混合物。該混合物の使用により高性能膜及び高性能膜を含む半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】ウエハー面内の寸法均一性に優れた耐熱性樹脂パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも（１）耐熱性樹脂組成物または耐熱性樹脂前駆体組成物を基板に塗布して樹脂膜を形成する工程、（２）樹脂膜を乾燥する工程、（３）樹脂膜をフォトリソグラフィーによりパターン形成する工程、（４）パターン形成した樹脂膜をホットプレートを用いて８０℃以上１６０℃以下で熱処理する工程および（５）パターン形成した樹脂膜をオーブンまたは炉を用いて熱硬化させる工程をこの順に含むことを特徴とする耐熱性樹脂パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】有機物質、該有機物質を含むフィルム、および該フィルムを具備した電気素子を提供する。
【解決手段】親水性高分子と、前記親水性高分子の末端または側鎖に付加され、１つ以上のヒドロキシル基を有する炭素数６〜１４の芳香族官能基を含む１つ以上の有機部分と、
を含む有機物質、該有機物質を含むフィルム、および該フィルムを具備した電気素子である。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造でき、ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒への高溶解性を示す水酸化フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表わされることを特徴とする、フラーレン誘導体並びにその溶液及び膜。


（上記式（１）中、Ciはフラーレン骨格を表し、mは０以上６以下の整数を表し、nは０又は１を表し、ｐは１以上４６以下の数字を表し、ｑは０以上４５以下の数字を表し、ｐ＋ｑが２以上４６以下の整数を表す。また、Ｒは炭素数1以上30以下の有機基を表す。（−ＣＨ_２−）_ｍを構成するメチレン鎖は、有機基で置換されていてもよい。） （もっと読む）

【課題】高分子量を有しながらも溝の充填力が優れたポリシラザンおよびその合成方法、ポリシラザンを含む半導体素子製造用組成物およびその半導体素子製造用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンは、反応溶媒内に反応物として添加されたジクロロシラン、トリクロロシラン、およびアンモニアを触媒存在下で反応させることによって合成することができ、ポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜３００００であり、下記化学式（１）で示される。
【化１】


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【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＥＴ特性値の向上が可能である、ゲート絶縁膜層形成材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート電極、ソース−ドレイン電極、チャネル層を構成する半導体層及びゲート電極とチャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜を備えた電界効果型トランジスタ用のゲート絶縁膜層形成材料であって、前記ゲート絶縁膜がエポキシ樹脂からなり、このエポキシ樹脂の硬化剤として下記一般式（１）で示される重縮合型アリーロキシシラン化合物を用いるゲート絶縁膜層形成材料。
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【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および薬液耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１、下記一般式（２）で表される化合物２、および加水分解性ポリカルボシランを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ・・・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜２のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示し、ａは１〜２の整数を示し、Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示す。）
Ｒ^２_ｂ（Ｒ^３Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^６）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｃＲ^５_ｃ・・・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６はフェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を示し、ｄは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および加工耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ^１_ｂ（Ｒ^２Ｏ）_３−ｂＳｉ−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３−ｃＲ^４_ｃ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示す。） （もっと読む）

【課題】微細構造領域とフラット領域とに「表面が単平面となるコート層」を形成できるコーティング方法を提供する。
【解決手段】平面状領域に微細な周期的構造が形成された微細構造領域１０Ａと、この微細構造領域に隣接する平坦な表面を有するフラット領域１０Ｂとを形成された被コーティング体１０の、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとにわたりコーティング材料を液状態でコーティングして、コート層を形成するコーティング方法において、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとに所定の段差量：ΔＨを、微細構造領域１０Ａにおける微細な周期的構造の形態に応じて予め設定することにより、コーティングされたコート層の表面を、微細構造領域とフラット領域とにわたって実質的に平坦な単一面とする。 （もっと読む）

【課題】半導体のプロセス耐性が向上し、且つ、生産効率が向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供し、且つ、該製造方法により製造された半導体特性の安定した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、該酸化物半導体層に接する保護層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、該保護層が塗布法により形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率、架橋性官能基を備えた溶液法が可能なポリマー類、ならびにかかるポリマーにより形成された、一定の厚さ、高い誘電率、および高いキャパシタンスを有するゲート誘電体層を含む薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明は、ゲート誘電体層を含む薄膜トランジスタであって、該誘電体層は、ポリ（ヒドロキシアルキルアクリレート−ｃｏ−アクリロニトリル）系のポリマー、例えばポリ（２−ヒドロキシエチルアクリレート−ｃｏ−メタアクリロニトリル）コポリマーなどを含む。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】0.5μm以上の厚膜で、基板の変形にも追従できる柔軟性を有し、電子デバイス等の微細部品を実装できる膜表面の極めて高い平坦性を有する有機修飾シリケート絶縁膜を形成できる表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、及び、表面平坦性絶縁膜被覆基材を提供する。
【解決手段】金属アルコキシド、ポリジメチルシロキサン、有機溶媒を含む塗布溶液であって、該塗布溶液中に>CF₂におけるC-F結合が存在することを特徴とする表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、及び、これを用いた表面平坦性絶縁膜被覆基材である。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができ、且つ裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物（ａ１）、下記一般式（２）で表される化合物（ａ２）、及び下記一般式（３）で表される化合物（ａ３）に由来する重合体（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、を含有する。


〔式中、各Ｒ^１はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を示し、各Ｒ^２は１価の有機基を示し、Ｒ^３は水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を示し、各Ｒ^４は１価の有機基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率と高い機械的強度とを併せ持つ多孔質材料を製造でき、かつ保存安定性にすぐれる組成物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物と、一般式（１）で表されるシロキサン化合物の加水分解物と、界面活性剤と、電気陰性度が２．５以下の元素と、を含む組成物。
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【課題】低誘電性で、かつ高耐熱性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、膜形成用組成物から得られる絶縁膜、および、絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】炭素-炭素不飽和結合を含む基を有するケイ素化合物（Ａ）と、カゴ型シルセスキオキサン構造を有する化合物とを含む膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で良好な絶縁膜であるシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板１上にトレンチ１ａ、１ｂを形成し、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する。塗布膜に含まれる有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する。ポリマー膜に９０℃以下の温度で紫外線を照射し、そのポリマー膜を５０℃以上８０℃未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜３に転換する。 （もっと読む）