【課題】アルミニウム層を酸化してトンネルバリア層としての絶縁層を形成する際に、酸化チェンバーの酸化条件のばらつきを抑え、安定した品質の磁気抵抗効果膜を得る。
【解決手段】酸化チェンバー内で金属層を酸化してトンネルバリア層としての絶縁層を形成する処理工程を有する磁気抵抗効果膜の製造方法において、前記金属層を成膜する際に、該金属層の膜厚により磁気抵抗効果膜の抵抗値がばらつかない膜厚に設定して検査用磁気抵抗効果膜が形成されたワークを作成し、該ワークの前記検査用磁気抵抗効果膜の抵抗値を測定し、該測定結果から前記金属層を酸化する酸化チェンバーの状態を分析し、該分析結果を前記酸化チェンバーの制御条件にフィードバックし、前記酸化チェンバーによる酸化条件を管理して磁気抵抗効果膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。
【解決手段】ケイ素を主成分とするウエハＷを処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材ＲＬＳＡを介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いてウエハＷ表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】_{ガス導入管について所望のメンテナンスや交換を行うだけで、一度に成膜する複数のウエハの面内・面間の膜厚均一性の向上を可能にする。}
【解決手段】基板処理装置は、基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室２０１を内部に有する略筒状の反応管２０３と、該反応管２０３の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備える。前記反応管２０３の側面にはガス導入管２３０が設けられており、前記基板保持具は、該基板保持具を前記基板の処理面に対して垂直方向に複数に区画するように設けられる区画壁と、該区画壁により複数に区画される前記基板保持具それぞれに複数の基板を支持可能なように設けられる複数の基板支持部とを有している。 （もっと読む）

【課題】 単一横モード発振をさせるために多層膜反射鏡の横方向から酸化処理を行う必要がなく、歩留まりよく製造可能な面発光レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射鏡を有する面発光レーザ装置において、一方の反射鏡は、高屈折率層と、低屈折率層とが交互に積層されている多層膜反射鏡１５０である。また、低屈折率層のうち少なくとも一層は、酸化アルミニウムを含む第１の領域１７５と、第１の領域を取り囲む第２の領域１７０を有する。また、第１の領域１７５と第２の領域１７０との境界は、レーザ光が出射する範囲１９０に存在する。そして、多層膜反射鏡１５０において、第１の領域を含む部分の反射率は、第２の領域を含む部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】従来は良好な酸化膜／シリコン界面を得るための高温プラズマ酸化処理のように被処理体を極短時間高温にしてイオン及びラジカルを作用させる処理を、高エネルギー密度の光により変色する可能性のあるガラス基板上で行うことのできる処理装置がなかった。
【解決手段】プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 （もっと読む）

原子層堆積技術を開示する。ある特定の例示的実施形態においては、この技術は、ひずみ薄膜を形成する方法によって実現することができる。この方法は、基板表面に少なくとも１つの第１種原子および少なくとも１つの第２種原子を有する１つまたはそれ以上の前駆物質を供給して、それによって基板表面上に前駆物質の層を形成するステップを備える。この方法は、さらに、基板表面に第３種のプラズマ生成した準安定原子を照射するステップであって、この準安定原子が基板表面から少なくとも１つの第２種原子を脱離させて、少なくとも１つの第１種の原子層を形成するようにしたステップも備える。少なくとも１つの第１種の原子層における所望応力量は、原子層堆積プロセスにおける１つまたはそれ以上のパラメータを制御することによって得ることができる。
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【課題】所望の特性を有するトランジスタを精度よく形成する。
【解決手段】トランジスタのエクステンション領域を形成するためのオフセットスペーサとしてシリコン窒化膜を用いる場合に、レジスト膜を除去する工程の前に、シリコン窒化膜表面に酸素プラズマ処理により酸化保護表面を形成しておく。 （もっと読む）

【課題】 低圧力、低酸素濃度条件でのプラズマ酸化処理の長所を維持しながら、膜厚のパターン疎密依存性が少なく、均一な膜厚でシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室内に、少なくとも表面がシリコンで構成され表面に凹凸パターンを有する被処理体を配置する工程と、処理ガスのプラズマを形成し、被処理体表面のシリコンに処理ガスのプラズマを作用させて酸化させ、シリコン酸化膜を形成する工程とを含み、シリコン酸化膜を形成する工程は、処理ガス中の酸素の割合が０．１％以上１０％以下で、かつ圧力が０．１３３Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下の条件でプラズマを形成するとともに、処理室内のプラズマ発生領域と被処理体との間に複数の貫通開口を有する部材を介在させた状態で、プラズマにより被処理体のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板又はシリコン層と高誘電率絶縁膜の界面に形成されるシリコン酸化膜を容易に薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の表面をオゾンガス溶解液で処理することにより、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程と、シリコン酸化膜３ａ上に高誘電率絶縁膜３ｂを形成する工程とを具備する。シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程の前に、薬液を用いてシリコン基板１の表面から自然酸化膜１０を除去する工程を具備してもよい。この場合、シリコン酸化膜３ａを形成する工程は、自然酸化膜１０を除去する工程と同一の装置内で行われるのが好ましい。このようにすると、シリコン酸化膜３ａの下には自然酸化膜がほとんど存在しない為、シリコン酸化膜３ａの膜質が向上する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】 方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの物理・化学的なメカニズムに基づいて高精度かつ計算負荷の小さいモデルを作成することができるモデル作成方法を提供すること
【解決手段】 物理化学モデルで表されたプロセス（シリコン酸化プロセス）のうちの一部分（酸化種の濃度）についてシミュレーションを実行する。得られたシミュレーション結果を近似により第１の数式モデルに変換する。また、プロセスのうちシミュレーションを実行したプロセス以外の部分（ウェハ表面での酸化膜成長）を表す数式を近似して第２の数式モデルに変換する。次いで、第１の数式モデルと第２の数式モデルを合成してプロセス全体のモデルを表す第３の数式モデルを求める。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ酸化処理の長所を損なうことなく、絶縁耐性に優れ、半導体装置の歩留りを向上させ得る良質な膜質のシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】 処理ガス中の酸素の割合が１％以下で、かつ圧力が１３３Ｐａ以下の第１の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の酸化処理工程と、前記第１の酸化処理工程に引き続き、処理ガス中の酸素の割合が２０％以上で、かつ圧力が４００〜１３３３Ｐａの第２の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、前記被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第２の酸化処理工程と、
を含む、シリコン酸化膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】塗布法で形成した場合でもムラができず、均一な厚みの強誘電体層が形成できる強誘電体塗布用組成物を提供する。
【解決手段】オクチル酸金属化合物を主成分とする、強誘電体塗布用組成物であって、
バインダーと、少なくとも１種以上の溶媒とを含んでなり、前記オクチル酸金属化合物の金属が、Ｚｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｌａ、およびＰｂの群から選択される少なくとも２種以上のものであり、前記強誘電体塗布用組成物全体に対して、１〜１０重量％含む。 （もっと読む）

金属シリケート膜を形成する方法を提供する。当該方法は、基板を、ケイ素原料化学物質、金属原料化学物質、及び酸化剤の交互の且つ連続する気相パルスと接触させることを含み、金属原料化学物質は、ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物である。いくつかの実施形態による方法を使用して、基板表面上に実質的に均質な被膜率を有するシリコンリッチなハフニウムシリケート膜及びジルコニウムシリケート膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】最適化された還元性ガス流量等のプロセス条件を求めるための調整作業を簡単に且つ迅速に行うことができる被処理体の酸化装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに酸化処理を施すための処理容器２４と、被処理体を複数枚支持する支持手段２６と、加熱手段９０と、容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系８６と、酸化性ガスを供給するための酸化性ガス供給系４２と、還元性ガスを供給するための還元性ガス供給系４４とを有する被処理体の酸化装置において、酸化性ガス供給系は、処理容器の長さ方向に沿って配設されると共に、所定のピッチで複数のガス噴射孔４８Ａ，４８Ｂが形成された酸化性ガスノズル４８を有し、還元性ガス供給系は、処理容器内の被処理体の収容領域を高さ方向に沿って区画した複数のゾーンに対応するようにその長さを異ならせて設けられると共に、その先端部側にガス噴射孔５２Ａ〜６０Ａが形成された複数の還元性ガスノズル５２〜６０を有する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜（Ｈｉｇｈ−Ｋ）を有する半導体装置において、薄い換算酸化膜厚（ＥＯＴ）と平滑な表面のゲート絶縁膜を可能にする事を目的とする。
【解決手段】Ｈｉｇｈ−Ｋ膜の上界面と下界面どちらにも拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を２．４ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。上界面もしくは下界面どちらか一方に拡散防止膜がある場合には、物理膜厚を２．８ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。上界面にも下界面どちらにも拡散防止膜がない場合には、物理膜厚を３．２ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲にする必要がある。また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 （もっと読む）

【課題】気化工程を有する薄膜の製造方法において、薄膜にチタニウム、ジルコニウム及びハフニウムを供給するプレカーサに対して、薄膜形成用原料、特にＣＶＤ用原料として合致する熱及び／又は酸化による分解特性、熱安定性、蒸気圧等の性質を付与すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属アルコキシド化合物。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｍは、チタニウム、ジルコニウム又はハフニウム原子を表す。） （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】キンク効果を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１に形成された素子分離領域１０２とその素子分離領域１０２以外の領域との境界を跨ぐように、シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０３を介してゲート電極１０４が形成されたＭＯＳトランジスタを備える。上記素子分離領域１０２とその素子分離領域１０２以外の領域との境界の段差領域１２０におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚を、その段差領域１２０以外の領域におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚に対して６５％〜１００％とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体膜の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、下記の工程（１）、（２）を繰返し行うことによって、３層以上積層してなる多層誘電体薄膜を作製した後、次いで、得られた多層誘電体薄膜に本焼成を行うことを特徴とする。
工程（１）：基板上に、混合溶剤に、アルカリ土類金属元素と、チタン、スズ、及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含有する塗布組成物からなる塗布液を、一回の塗布によって形成される誘電体薄膜の膜厚が仮焼成後で３０〜１２０ｎｍとなるに十分な量だけ塗布した後、乾燥させる。
工程（２）：基板上に形成された誘電体薄膜を、酸素雰囲気中、５５０〜８００℃の温度で加熱し、仮焼成する。 （もっと読む）