【課題】トランジスタのチャネルにおけるキャリアの移動度を向上させつつ、工程数の増加、品質の劣化およびチップサイズの増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、ＰＭＯＳトランジスタ２のチャネルに対し圧縮応力を導入する圧縮窒化膜１３を形成する。次に、フッ素系ガスとＯ_２ガスを混合した第１の混合ガスを用いて、ＮＭＯＳ領域５に形成された圧縮窒化膜１３をエッチングする。次に、ＰＭＯＳ領域４では圧縮窒化膜１３上に、ＮＭＯＳ領域５ではＳｉ基板１上に、ＮＭＯＳトランジスタ３のチャネルに対し引張り応力を導入する引張り窒化膜１５を形成する。フッ素系ガスとＯ_２ガスを混合した第２の混合ガスを用いて、ＰＭＯＳ領域４に形成された引張り窒化膜１５を圧縮窒化膜１３に対して選択的にエッチングする。この際に、第２の混合ガスのＯ_２分圧を第１のガスのＯ_２分圧よりも低くする。 （もっと読む）

プラズマ処理装置１のチャンバ２内に、シリコン化合物ガス、酸化性ガス、および希ガスを供給する。マイクロ波をチャンバ２内に供給し、マイクロ波により生成されたプラズマで、被処理基板上にシリコン酸化膜を形成する。希ガスの分圧比は、シリコン化合物ガスと酸化性ガスと希ガスを併せたトータルガス圧の１０％以上の割合であって、シリコン化合物ガスと酸化性ガスの有効流量比（酸化性ガス／シリコン化合物ガス）は、３以上１１以下とする。
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【課題】酸化膜形成前のシリコンウェーハの表面、及び／又は、表面層の状態によって酸化条件を調整することができ、それにより例えば極薄の酸化膜でも精度良く形成することができる酸化膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、測定値よりシリコンウェーハの酸化条件を調整して、調整した酸化条件下でシリコンウェーハに酸化膜を形成するシリコンウェーハの酸化膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１の界面膜５３Ａを介在させて、第１の導電膜からなる第１の下層電極５１Ａと、第２の導電膜からなる第１の上層電極５２Ａとが積層された第１の積層電極２２を有するメモリセル１２と、第２の導電膜からなるダイオード電極５２Ｂと、ダイオード電極３２と基板１５との界面に形成されたシリコン酸化膜である第２の界面膜５３Ｂとを有するダイオード１３とを備えている。第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、バッチ処理システム内において複数の基板上にhigh-k膜を形成するその場ハイブリッド堆積法に関する。
【解決手段】 当該方法は、前記バッチ処理システムの処理チャンバに前記複数の基板を搬入する手順、原子層堆積(ALD)法によって前記複数の基板上にhigh-k誘電膜の第1部分を堆積する手順、該第1部分の堆積後に前記複数の基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、化学気相成長(CVD)法によって前記第1部分上にhigh-k誘電膜の第2部分を堆積する手順、及び前記複数の基板を前記処理チャンバから取り出す手順を有する。当該方法は、前記high-k誘電膜が所望の厚さを有するまで、前記第1及び第2部分の堆積を交互に繰り返す手順をさらに有して良い。またさらに当該方法は、前記取り出しの前に、前記基板の前処理と前記high-k誘電膜の後処理をその場で行う手順を有して良い。 （もっと読む）

【課題】反応ガス供給周期と基板の回転周期が同期することを防止または抑制して、成膜した膜の膜厚の基板面内均一性が悪化することを防ぐ。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、ウエハ２００を回転させるボート回転機構２６７と、ウエハ２００に対しガスを供給するガス供給部と、を有し、少なくとも２種のガスＡ、Ｂを交互に複数回供給し、ウエハ２００上に所望の膜を形成する基板処理装置であって、ガスＡを流してから次にガスＡを流すまでの時間で規定されるガス供給周期Ｔと、基板の回転周期Ｐとが、次の数式（１）を満たすように回転周期Ｐまたはガス供給周期Ｔを制御するコントローラ３２１を備える。
｜ｍＰ−ｎＴ｜＞≠０（ｎ、ｍは任意の自然数） （１）
（＞≠０は真に０より大きいということを表し、｜｜は絶対値を表す。） （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を開示する。ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法も開示する。例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができる。腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態も開示する。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態も開示する。電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態も開示する。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を処理室４内に搬入する工程と、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂから処理室４内に処理ガスを供給するとともに、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在されるとともに基板１０の周方向に沿って処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂを両方から挟むように設けられた一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄから処理室内に不活性ガスを供給して基板１０を処理する工程と、処理後の基板を処理室から搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を成膜することが可能な回転塗布方法を提供する。
【解決手段】回転塗布装置１００は、回転駆動源により基板を第１の回転数で基板の中央部を中心に基板を回転させながら、塗布液供給部により塗布液を第１の滴下量だけ基板の中央部に滴下し、塗布液を第１の滴下量だけ滴下した後、回転駆動源により第１の回転数よりも小さい第２の回転数で基板を回転させながら、塗布液供給部により塗布液を第２の滴下量だけ基板の中央部に滴下し、塗布液を第２の滴下量だけ滴下した後、回転駆動源により塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で基板を回転させる。第１の回転数は、空気抵抗により第１の滴下量の塗布液が基板に均一に広がらない回転数である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】２００℃以下の温度で、ＡＬＤ法を適用して基板上に膜を形成する場合であっても、基板上に良質な膜を生成することができる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】２００℃以下の温度で、原子層成長方法により、基板表面に原料ガスと酸化ガスとを交互に供給して、基板上に原子層単位で酸化膜を形成する工程を所定回数行って所定厚さの膜を形成し、原子層成長法による成膜工程が完了した後、酸化ガスないし不活性ガスを用いてプラズマを発生し、発生されたプラズマを基板上に形成された膜の表面に照射してプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】アンダーカットの発生を抑制することができるとともに、従来に比べて高速に単結晶シリコンをエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させる。
【解決手段】 水平姿勢で多段に積層された基板を収納して処理する処理室と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズルと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズルと、処理室内を排気する排気ラインと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を埋設する層間絶縁膜の厚さを精度良く制御可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 素子が形成された半導体基板１上に、金属配線膜を堆積する工程と、金属配線膜を所定の配線パターンに加工して金属配線１０を形成する工程と、金属配線１０の上面と金属配線１０の周囲の下地層６の上面の高低差で規定される段差値を測定する工程と、金属配線１０と下地層６を被覆する絶縁膜１１を、段差値の測定値と目標値の差分に基づいて設定された膜厚で堆積する工程と、絶縁膜１１を化学的機械研磨により平坦化する工程を有し、絶縁膜１１を堆積する工程において、段差値の測定値が目標値より大きい場合には、絶縁膜１１の膜厚を段差値の測定値が目標値である場合の絶縁膜１１の基準膜厚より厚く設定し、段差値の測定値が目標値より小さい場合には、絶縁膜１１の膜厚を基準膜厚より薄く設定する。 （もっと読む）

【課題】 凹凸形状を有するシリコンの酸化処理において、側壁に形成されるシリコン酸化膜の膜厚を底部に比べて極力薄く形成する。
【解決手段】 複数のマイクロ波放射孔３２を有する平面アンテナ板３１によりチャンバー１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、載置台２に高周波電力を印加しながら、処理ガス中の酸素の割合が０．１％以上５０％以下の範囲内であり、かつ処理圧力が１．３Ｐａ異常６６７Ｐａ以下の範囲内の条件でプラズマを生成させる。このプラズマにより、ウエハＷ上に形成された凹凸形状のシリコンの側壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下の範囲内となるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｐ、Ｎｃｈそれぞれのチャネル部の応力を最適化するために、片方ずつ異なる応力の応力制御膜を成膜する半導体装置の提供。
【解決手段】半導体装置は、Ｐ、Ｎｃｈ共通で、膜厚方向で膜の応力の方向性が異なる応力制御膜５を用いて、その膜厚によって、Ｐ、Ｎｃｈのチャネル部応力をそれぞれ最適化する。即ち、応力制御膜５の膜厚はＮｃｈ領域の方をＰｃｈ領域に比べて薄い膜厚とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線を利用して、プラズマによるダメージの少ない良質な膜を基板上に形成することができる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、原料ガスおよび酸化ガスが供給される成膜容器と、成膜容器の成膜室内に配設された、基板が載置される基板ステージと、成膜容器の、成膜室の上方に位置するプラズマ発生室内に配設された、紫外線を発生するプラズマを生成するプラズマ源と、プラズマ発生室と成膜室とを区切るように成膜容器内に配設された、プラズマ発生室から成膜室に紫外線を透過させる紫外線透過板と、を備えている。成膜容器内に供給されたガスは、紫外線透過板を透過した紫外線により活性化されて基板上に酸化膜が生成される。 （もっと読む）

【課題】横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。
【解決手段】ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）