【課題】絶縁膜全体の誘電率を損なうことなく、不純物濃度の低い高誘電率絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の温度を第１の温度とした状態で、基板に対して原料ガスを供給して基板上に高誘電率絶縁膜を形成する成膜ステップと、基板の温度を前記第１の温度よりも低い第２の温度とした状態で、基板上に形成された前記高誘電率絶縁膜を、酸素ラジカルを含む雰囲気に晒すことにより前記高誘電率絶縁膜を改質する改質ステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返す。このサイクルの繰り返しにより、基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】直接トンネル電流が流れる程度に薄膜化されたゲート絶縁膜におけるゲート電極からのドーパント原子の基板への拡散を防止すると共に、ゲートリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】第１の素子形成領域５１及び第２の素子形成領域５２に区画された半導体基板１１上に、酸化膜からなる第１のゲート絶縁膜１３Ａを形成する。次に、第１のゲート絶縁膜１３Ａの第２の素子形成領域５２に含まれる部分を除去し、半導体基板１１に対して酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、第２の素子形成領域５２上に膜厚が第１のゲート絶縁膜１３Ａよりも小さい酸窒化膜からなる第２のゲート絶縁膜１５Ｂを形成する。次に、第１のゲート絶縁膜１３Ｂ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｂを窒素プラズマに暴露することにより、窒素原子をさらに導入された第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜組成の制御が容易、かつ、薄膜化が可能なゲート絶縁膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、トランジスタが形成される半導体基体１上に、ゲート絶縁膜となる酸化マンガン膜１２を形成する工程と、前記酸化マンガン膜１２上に、ゲート電極となる導電体膜１３を形成する工程と、前記導電体膜１３及び前記酸化マンガン膜１２を加工し、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】電流の立ち上り特性、リーク電流特性に優れた結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１００上に、アモルファスシリコン層１０１、パタンニングされたソース及びドレイン電極層１０２、基板１００側でアモルファスシリコン層１０１に接触しかつソースおよびドレイン電極層１０２にオーミック接触した結晶性シリコン層１０４、ならびにアモルファスシリコン層１０１に接触した結晶性シリコン層１０４の基板１００とは反対側にゲート絶縁層１０５を挟んで配置されたゲート電極層１０６、を有することを特徴とする薄膜半導体装置。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

半導体基板上に酸化物層を形成するための方法及び装置を開示する。１つ又は複数の実施形態では、半導体基板の温度を約１００℃未満に制御することによって、プラズマ酸化を使用して、共形酸化物層を形成することができる。１つ又は複数の実施形態による半導体基板の温度を制御するための方法は、静電チャックならびに冷却剤及びガス対流を利用することを含む。
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【課題】酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板１０上に形成されたゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３によりゲート電極１２と絶縁され、ゲート電極１２を覆うようにゲート絶縁膜１３上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層１４と、活性層１４の上部に形成された保護層１５と、活性層１４と接触するソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂと、を備え、保護層１５が、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）またはチタン酸窒化物（ＴｉＯｘＮｙ）で形成される。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に於いて、簡便な方法により、処理容器の内壁面をプラズマによりコーティングし、内壁面から酸素等の汚染原子が放出されることを抑止し、成膜品質を向上させる。
【解決手段】基板５を処理する処理容器１の内面を、プラズマ処理により反応ガス１９でコーティング処理する工程と、前記処理容器内に基板を搬入する工程と、前記反応ガスを用いて基板をプラズマ処理する工程と、前記処理容器内から基板を搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、下部電極としてのポリシリコン膜１０２を形成する工程と、ポリシリコン膜１０２を窒化処理してシリコン窒化膜１０３を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜１０３上に誘電体層１０４を形成する工程と、誘電体層１０４の上に、上部電極１０５を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、上記窒化工程は、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入して窒素含有プラズマを発生させるプラズマ処理装置により６６．７Ｐａ〜１３３３Ｐａの処理圧力でポリシリコン膜１０２をプラズマ窒化処理する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

フラッシュメモリデバイス及びフラッシュメモリデバイスを形成する方法を提供する。１つのバージョンでは、フラッシュメモリデバイスは、炭素、ホウ素、又は酸素を含むドーパントを有するドープト窒化シリコン層を含む。ドープト窒化シリコン層は、層中に発生する窒素ダングリングボンド及びシリコンダングリングボンドの数及び濃度を増大させ、不揮発性メモリデバイスのユニットセルの電荷保有能力及び電荷保持時間を増加させる。
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【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリといった半導体装置の特性変動を抑えられるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板に対して酸化処理を施す酸化工程と、を含み、前記酸化工程では、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板を収容したチャンバ内の圧力を大気圧よりも低くした状態で前記チャンバ内に酸素含有ガス及び水素含有ガスを供給し、前記シリコン窒化膜の表面からその反対側の前記基板との界面にかけて前記シリコン窒化膜の全体を酸化して前記シリコン窒化膜の全体をシリコン酸化膜に変換する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱酸化処理方法に関し、膜厚均一性の高いゲート酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、モニタウェハＭ１の裏面と第１の製品ウェハ＃２の表面を対向させ、且つ第１の製品ウェハ＃２の裏面と第２の製品ウェハ＃３の表面を対向させ、且つモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの裏面にシリコン窒化膜２３が形成された状態で熱酸化処理装置内に配置し、熱酸化処理装置によってモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）