【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面にシリコン窒化膜２が形成されたシリコン粒子１（ナノ粒子）が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各シリコン粒子１は、その３軸が直交する位置にある４個のシリコン粒子１が面心の位置にあるシリコン粒子１に接触している。これにより、シリコン粒子１等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜２等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。シリコン粒子１は、面心立方格子の位置に限らず、体心立方格子等の最密充填の位置似配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ被膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて、ＳｉＨ_３基に由来する４．３〜４．５ｐｐｍのピーク面積に対する、ＳｉＨ_１基とＳｉＨ_２基とに由来する４．５〜５．３ｐｐｍのピーク面積の比が、４．２〜５０である無機ポリシラザンと、有機溶媒とを有する絶縁膜形成用塗布液である。絶縁膜は、上記絶縁膜形成用塗布液を用いて得る。無機ポリシラザンは、ジハロシラン化合物、トリハロシラン化合物、又はこれらの混合物と塩基とを反応させてアダクツを形成した後、アダクツの溶液または分散液にアンモニアを−５０〜−１℃にて反応させることにより得る。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）

【課題】誘電率が大きく、電極間に挟んで用いてもリーク電流値の小さい絶縁膜を提供する。
【解決手段】結晶化した酸化ジルコニウムからなる酸化ジルコニウム膜の２つと、非晶質であって、前記結晶化した酸化ジルコニウムよりも大きい誘電率を有する材料からなる結晶粒界分断膜とを有し、前記結晶粒界分断膜が、前記２つの酸化ジルコニウム膜に挟まれている絶縁膜を形成する。例えば、上部電極と下部電極の間に容量絶縁膜を有するキャパシタ素子で構成されたメモリセルを備える半導体装置における容量絶縁膜や、コントロールゲート電極とフローティングゲート電極の間にインターゲート絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子を備えた半導体装置におけるインターゲート絶縁膜として好適である。 （もっと読む）

【課題】ポリシラザン化合物を用いて、低温で表面が親水性のシリカ質膜を得る方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に、ポリシラザン化合物およびシリカ転化反応促進化合物を含んでなる組成物を塗布し、得られた塗膜に、ポリシラザン塗膜処理液を塗布し、３００℃以下でポリシラザン化合物をシリカ質膜に転化させるシリカ質膜製造方法。このポリシラザン塗膜処理液は、過酸化水素とアルコールと溶媒とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、弁開度が調整可能な開閉弁８０Ｂを有して真空引きする真空排気系７８とを備えた成膜処理装置２０による成膜方法において、真空排気系の開閉弁８０Ｂを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁６２Ｂを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁６６Ｂを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁８０Ｂを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】従来よりも面内均一性の高いマイクロ波プラズマ処理を行うことができるマイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマによって被処理体であるウエハＷにプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００は、ウエハＷを収容するチャンバー１と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生源３９と、マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波をチャンバー１に向けて導く導波手段３７ａ，３７ｂ，３１，２８と、チャンバー１内に、プラズマ処理を行うためのガスを供給するガス供給手段１６と、処理条件を制御する制御部５０とを具備し、制御部５０は、プラズマのモードが周期的に変化するように、処理条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型電子ペーパーやディスプレイ、更にはＲＦＩＣタグでは、今後駆動回路一体化と省電力化が求められる。このために薄膜トランジスタの性能面においては高移動度化とＣＭＯＳ化が必要とされる。また生産面においては低コストで環境汚染のない製造方法が求められている。
【解決手段】本発明ではステンシルマスクを通してスパッタ堆積することで、膜をパターン形成した。この結果、汚染物質の使用と放出なしに、簡単な方法で性能のよい薄膜トランジスタとＣＭＯＳ薄膜トランジスタ回路を形成することができた。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するＣＳＤ溶液を基板２に塗布してゲル状塗膜１を形成する工程と、基板２を回転させながら外周端部に水Ｗを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜１の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜１を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗのシリコン層の表面に、ゲート絶縁膜との間に介在される界面酸化層を形成する成膜方法において、シリコン層をケミカル洗浄処理することによってケミカル酸化膜を形成するケミカル酸化膜形成工程と、ケミカル酸化膜の形成された被処理体に対して酸素分圧が０．２〜２Ｐａの範囲内の雰囲気中で熱処理を施すことにより界面酸化膜を形成する熱処理工程とを有する。これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 （もっと読む）

自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１０１に形成され、それぞれ行方向に延伸する複数のビット線拡散層１０４と、半導体基板１０１上における互いに隣接する各ビット線拡散層１０４同士の間に形成され、それぞれが電荷トラップ膜１０２ｂを含む複数のＯＮＯ膜１０２と、複数のビット線拡散層１０４の上にそれぞれ形成された複数のビット線絶縁膜１０５と、半導体基板１０１の上にそれぞれ複数のＯＮＯ膜１０２及び複数のビット線絶縁膜１０５を覆うように形成され、各ビット線拡散層１０４と交差して列方向に延伸する複数のワード線１０６とを有している。ビット線絶縁膜１０５の膜厚はＯＮＯ膜１０２の膜厚よりも小さく、且つビット線絶縁膜１０５の上面はＯＮＯ膜１０２の上面と平行である。 （もっと読む）

【課題】直交する電極どうしの交差部に絶縁膜形成インクを噴射して絶縁膜を形成する際に、表面に凹凸の少ない絶縁膜を形成することが可能なタッチパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成工程では、Ｘ電極１０のブリッジ配線１１上の領域に対して、絶縁膜形成インクを選択的に噴射（配置）する。その後、基板１上の絶縁膜形成インクを加熱し、乾燥固化することで、ブリッジ配線１１上に絶縁膜３０が形成される。絶縁膜形成インクは、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどの絶縁材料を液性媒体に溶解（分散）させ、更にアクリル系界面活性剤を含有させたものである。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】 二次粒子の影響をなくした状態で基板に原料液を塗布して薄膜を形成する。
【解決手段】 メッシュ部材６７により、ノズル（配管６５ａを含む概念のノズル）により与える剪断応力よりも大きい剪断応力をノズル６５と基板６４の間でゾルに与え、ゾルに生じた二次粒子を基板６４の直前で破壊した状態でゾルを基板６４に塗布する。 （もっと読む）

ここに、半導体装置の形成方法が提供された。ある実施の形態において、半導体装置の形成方法は、酸化物表面とシリコン表面とを有する基板を用意し、酸化物表面およびシリコン表面の双方の露出面に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去することによって窒素含有層を酸化する工程を有する。別の実施の形態において、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余部分上に酸化物層が形成される。また、ある実施の形態において、酸化物表面が半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置されている浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出した表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
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【課題】 絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１１０，１１４又は１２２）のゲート誘電体層（５００，５６６又は７００）は、垂直濃度分布を有する窒素を含有している。
【解決手段】 該垂直濃度分布は、上側に位置しているゲート電極（５０２，５６８又は７０２）内のボロンが該ゲート誘電体層を介して下側のチャンネルゾーン（４８４，５５４又は６８４）内に著しく浸透することを防止し同時に該ゲート誘電体層から下側に存在する半導体ボディ内への窒素の移動を回避するために特別に調整されている。該チャンネルゾーン内の不所望のボロンから及び該半導体ボディにおける不所望の窒素から発生する場合がある損傷は実質的に回避される。 （もっと読む）