【課題】粉末噴射コーティング法を用いて誘電体層を形成する成膜法及び成膜装置において、誘電体層の膜厚ムラを低減させる。
【解決手段】本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材５の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程（ａ）と工程（ｂ）とを有している。工程（ａ）では、シート基材５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程（ｂ）では、シート基材５の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な半導体膜を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの活性層と接する膜または活性層近傍の膜に負の固定電荷を有する酸化シリコン膜を用いることで、負の固定電荷により活性層に負の電界が常に重畳していることになり、しきい値電圧をプラスシフトさせることができる。そのため、トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】膜中の酸素濃度を制御しつつ、段差被覆性を向上させ、抵抗率の低い薄膜を形成することができる。
【解決手段】基板を収容した処理室内にＣＶＤ反応が生じる条件下で、タンタルを含む原料ガスを供給し排気して、前記基板上にタンタル含有層を形成する工程と、前記処理室内にオゾンガスを短パルスで供給し排気することで、前記タンタル含有層の表面を酸化して、前記タンタル含有層の表面に酸化タンタル層を形成する工程と、を行うことで基板上に酸化タンタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】分極特性を向上させる強誘電体素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体素子は、基板１と、この基板１上に形成された拡散防止層２と、拡散防止層２の上に形成された下部電極層３と、下部電極層３の上に形成された強誘電体膜４と、強誘電体膜４の上に形成された上部電極層５とから構成されている。強誘電体膜４の化学溶液法を用いた製造方法は、基板１の主面に下部電極層３を形成する下部電極形成工程と、この下部電極層３上に強誘電体４の前駆体膜を形成する前駆体形成工程と、前駆体膜を加熱して結晶化させることで強誘電体膜４を形成する結晶化工程と、強誘電体膜４を一定の温度まで冷却する冷却工程と、を少なくとも含み、結晶化工程において、前駆体膜に応力を印加した後に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、ビスマス及び鉄を含む金属錯体混合物と、ポリエチレングリコールと、ターピネオールと、溶媒と、を含む。ポリエチレングリコールと、沸点の高いターピネオールとを含むことにより、鉄酸ビスマス系の圧電材料からなりクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。また、圧電特性の良好な圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター表示板およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスター表示板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置するゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線およびデータ線と連結されている薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターのゲート電極と前記薄膜トランジスターの半導体との間に位置するゲート絶縁膜と、前記薄膜トランジスターと連結されている画素電極と、前記画素電極と前記薄膜トランジスターとの間に位置する保護膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜および前記保護膜のうちの少なくとも一方は、窒化シリコン膜を含み、前記窒化シリコン膜は、２×１０^２２ｃｍ^３以下または４ａｔｏｍｉｃ％以下にて水素を含む。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミ
ニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素
またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用い
るスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン
元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の縦型炉を用いてプラズマアシストＡＬＤ法により窒化膜を形成する際、炉底部付近でのローディング効果を抑制する。
【解決手段】反応容器１０２内に複数段にウエハを載置可能なボート１０１と、前記反応容器の側面に沿ってＲＦ電極１０６で挟まれたプラズマ空間１０５と、該プラズマ空間から前記反応容器内の前記各段のウエハに略均等にガスを供給可能な供給口Ｆ１，Ｆ２と、を備えたバッチ式の縦型炉１００を用いて、窒化すべきガスの導入、吸着、パージ、プラズマ励起された窒化ガスの導入による前記窒化すべき吸着ガスの窒化およびパージ、を１サイクルとして所定の膜厚までサイクルを繰り返すプラズマアシストＡＬＤ法において、前記窒化すべきガス導入時のキャリアガス量よりも前記窒化ガス導入時のキャリアガス流量を少なくし、特に窒化ガスとしてのＮＨ３とキャリアガスとしてのＮ２の流量比をＮＨ３の５０に対してＮ２を３以下とする。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを基板面内に十分拡散させて、面内均一性、面間均一性を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層して収容する処理室２０１と、該処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給部２４０ｃと、前記処理室内へ改質ガスを供給する改質ガス供給部２４０ｂと、前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給部２４０ａ、２４０ｄと、前記処理室内を排気する排気部２４６と、を備えた基板処理装置において、前記原料ガスと前記改質ガスを互いに混合しないように交互に複数回供給して基板上に膜を形成する際に、前記排気を停止した状態で前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程を行い、その後、前記処理室内を調圧しつつ前記排気を再開し、かつ、前記原料ガスの供給を停止した状態で前記不活性ガスを供給する膜厚分布制御工程を行い、さらにその後、前記改質ガスを供給する改質ガス供給工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する。
【解決手段】 処理室内に収容された基板上に薄膜を形成する基板処理方法であって、Ｃｌ元素を含有する第１の処理ガスを処理室内に供給する第１の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第１の処理ガスを排出させる第２の工程と、第２の処理ガスを処理室内に供給して基板上に薄膜を生成する第３の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第２の処理ガスを排出させる第４の工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返し、第２の工程では、処理室内から第１の処理ガスを排出させた後も不活性ガスを処理室内に引き続き供給する。 （もっと読む）

【課題】７０ｎｍ以下の金属配線を有する次世代ＤＲＡＭで要求される容量および良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ形成方法は、ストレージ電極６５を形成するステップと、ストレージ電極６５の表面をプラズマ窒化６６Ａ処理するステップと、該表面がプラズマ窒化６６Ａ処理されたストレージ電極６５上にＺｒＯ_２薄膜６７を蒸着するステップと、ＺｒＯ_２薄膜６７の表面をプラズマ窒化処理して、表面が窒化６６ＢされたＺｒＯ_２薄膜を形成するステップと、窒化６６Ｂされた前記ＺｒＯ_２薄膜上にプレート電極６８を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】フェルミ準位ピン止めが低減された化合物半導体を用いたＭＯＳ型の化合物半導体装置がより容易に製造できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１半導体層１０１を形成し、次に、第１半導体層１０１より小さいバンドギャップエネルギーの化合物半導体からなる臨界膜厚以下の第２半導体層１０２を、第１半導体層１０１の上に接して形成し、次に、第２半導体層１０２の上にアモルファス状態の金属酸化物からなる絶縁層１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高温領域において、膜中の水素濃度が低く、膜厚均一性が良好であり、リーク電流の少ない窒化膜を形成する。
【解決手段】 加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸化膜が形成された基板を収容し原料ガスを供給して酸化膜上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に窒素含有ガスを供給して所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内に不活性ガスを供給してパージする工程を挟んで交互に繰り返して酸化膜上に窒化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して供給する際、ノズルを介して不活性ガスまたは水素含有ガスを供給し、基板と平行に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板と平行に流れる不活性ガスの流速より大きくする。 （もっと読む）

【課題】１台の表面波プラズマＣＤＶ装置を用いて、組成および厚さの異なる薄膜を基板に連続成膜し、高スループットで超構造膜を形成する。
【解決手段】本発明は、共通の真空室内において基板に複数の薄膜を成膜する表面波プラズマＣＶＤ装置であって、この基板に成膜を行う複数のプラズマ生成ユニットと、各々のプラズマ生成ユニットに設けられた、プラズマ生成ガスを放出するプラズマ生成ガス放出口と成膜ガスを放出する成膜ガス放出口と、これら複数のプラズマ生成ユニットで成膜を行う成膜領域を真空室内で互いに隔てる隔壁と、各々のプラズマ生成ユニットの成膜領域の間で基板を移動可能に戴置可能とする移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）