処理用温度が比較的に高く（典型的には、少なくとも５００℃で）、圧力が比較的に高い（典型的には、少なくとも５０トル）間に、窒化シリコン層の高速形成を得る為に、窒化シリコン層がトランジスタ用ゲートを覆って形成される。処理条件は、窒化シリコン層をより均一に形成するように制御される。一般的に、ＮＨ_３ガスとシリコン含有ガスとの容積比は、充分に高く選択されるが、トランジスタ用ゲート間に０．１５ミクロンの幅、少なくとも１．０の幅対高さ比、少なくとも５ミクロン×５ミクロンの専ら平坦なエリア低領域を表面が有する場合、層は、低領域のベース上より平坦エリア上の方が２５％以下の速度で形づくる。
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【課題】
【解決手段】 第一前駆体ガスを蒸着室内の基板へ流し込んで基板上へ第一単層を形成する。蒸着室内表面マイクロ波プラズマ条件下で、蒸着室内の第一単層へ第一前駆体ガスとは組成の異なる第二前駆体ガスを流し込んで第一単層と反応させ、第一単層とは組成の異なる第二単層を基板上へ形成する。第二単層には第一単層成分と第二前駆体が含まれる。実施態様の一例では、第一及び第二前駆体の流し込みを連続的に反復して第二単層組成から成る材料塊を基板上へ生成する。追加及び他の実施形態についても開示している。
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【課題】 プロセスチャンバ内で順に一連の基板を処理する間、均一なＰＥＣＶＤ堆積速度を可能にする一貫した反応チャンバ環境を提供する。
【解決手段】 我々は、多くの基板が堆積チャンバ内で連続して順に処理される場合に、膜の化学気相堆積（ＣＶＤ）の堆積速度の均一性を改善する方法を有する。本方法は、堆積チャンバ内に基板が存在する場合に、基板を取り囲んでいる処理容積内の少なくとも１つの処理容積構造体をプラズマ予熱することを含んでいる。我々は、また、堆積チャンバ内で連続して順に多くの基板の処理の最初に数枚の基板の堆積時間を調整するデバイス制御法を有するので、堆積した膜厚が一連の基板処理中に本質的に一定に保たれる。これらの方法を単一方法に組合わせると、基板から基板までの平均膜厚を制御する点で最良の結果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ中のイオンを被処理基体全面に短時間で均一に注入する。
【解決手段】 被処理基体２を反応容器１内でプラズマにより処理する際、反応容器内のガス圧力を増加する、プラズマ発生部と被処理基体との距離を離す、被処理基体を一時的に反応室外へ置く、プラズマ発生部と被処理基体との間にシャッタを配置する等により、プラズマ発生開始時の所定時間プラズマ中のイオンの被処理基体への入射を実質的に遮断する。 （もっと読む）

【課題】 サイドウォールの酸化膜・シリコン界面の窒化による界面準位の発生を抑制することにより、トランジスタの性能劣化を防止する。
【解決手段】 基板１０１上に形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４の側壁に形成された第１のサイドウォールである酸化膜１０５と第２のサイドウォールである窒化膜１０６と、ゲート電極１０４の側方に位置する基板１０１の領域の中に形成された低濃度不純物拡散領域１０７と高濃度不純物拡散領域１０９とを備え、第１のサイドウォールである酸化膜１０５と低濃度不純物拡散領域１０７との界面における窒素濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以下である。これにより低濃度不純物拡散領域１０７と第１のサイドウォールである酸化膜１０５の界面における界面準位の発生量が少なくなり、界面準位による低濃度不純物拡散領域への空乏層の形成を抑制し、トランジスタ性能の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷が少なく、しかも、膜厚の均一性の良好な絶縁膜を得ることができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】電磁波入射面Ｆを有する真空容器２と、この真空容器２内に設けられた第１のガス噴出口４２、真空容器２内に、第１のガス噴出口４２より電磁波入射面Ｆから遠い位置に設けられた第２のガス噴出口５２を有するプラズマ成膜装置１ａにより絶縁膜１０１を形成する。第１のガス噴出口４２から真空容器２内にプラズマ発生用ガスとしての第１のガスを供給する工程と、第２のガス噴出口５２から真空容器２内に有機珪素化合物ガスおよび有機金属化合物ガスのうち少なくとも一方のガスと酸素ガス及び希釈ガスのうち少なくとも一方のガスとを含む第２のガスを供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）

ハフニウムベースの誘電体膜を堆積する方法が提供される。本方法は、オゾンとハフニウム前駆体を含む１つ又はそれ以上の反応物質とを用いた原子層堆積段階を含む。半導体デバイスもまた提供される。該デバイスは、基板と、基板上に形成されたハフニウムベースの誘電体層と、基板及びハフニウムベースの誘電体層間に形成された界面層とを含み、該界面層は二酸化ケイ素を含み且つ結晶構造を有する。 （もっと読む）

半導体構造体を作製する方法は、基板上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層上に窒化ケイ素層を形成する段階と、各層をＮＯ中でアニールする段階と、各層をアンモニア中でアニールする段階とを含む。酸化物層と窒化ケイ素層とを併せた等価酸化膜厚は、最大２５オングストロームである。 （もっと読む）

【課題】 ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体プロセスインテグレーションのための界面酸化プロセスの提供。
【解決手段】 界面酸化層を有した微細構造物を形成する方法は、この微細構造物内のｈｉｇｈ−ｋ層の形成と関係した基板の酸化特性を制御するように拡散フィルタ層を使用することにより提供される。拡散フィルタ層は、表面の酸化を制御する。界面酸化層は、拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積の後に実行される酸化プロセス中に、または拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積中に、形成されることができる。 （もっと読む）

後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

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Ｓｉ（１００）基板の表面にシリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜をプラズマ窒化して酸窒化シリコン膜にする。その後ＮＯガス雰囲気中で７７０乃至９７０℃の温度条件下で熱処理することにより、ゲート絶縁膜における基板との界面部分の窒素濃度を１乃至１０原子％にすると共に、基板と酸窒化シリコン膜との界面に存在する界面Ｓｉ結合欠陥の結合手の方位角分布が、基板の［１００］方位に対して２５°以上の角度にピークをもつようにする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）