半導体デバイスを製作する方法は、第１のドーパント濃度を有する第１の伝導型の第１の半導体層を形成すること、および第１の半導体層上に第２の半導体層を形成することを含む。第２の半導体層は、第１のドーパント濃度よりも低い第２のドーパント濃度を有する。第２の半導体層を貫通して延びて第１の半導体層に接触する第１の伝導型の打込み領域を形成するように、第２の半導体層中にイオンが打ち込まれる。第１の電極が第２の半導体層の打込み領域上に形成され、第２の電極が、第２の半導体層の非打込み領域上に形成される。関連したデバイスも述べられる。
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【課題】大気中でも化学的および熱的に安定な表面と界面を有する成膜体を提供する。
【解決手段】本発明の成膜体は、ＳｉＣ基板上にＳｉＮ膜１が形成され、ＳｉＮ膜１上にＳｉＯ膜２が形成されている成膜体であり、ＳｉＮ膜１とＳｉＯ膜２はいずれもエピタキシャル成長により形成された単結晶である。この成膜体は、ＳｉＣ基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびに前記絶縁膜形成用組成物を用いたシリカ系絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物と、（Ｂ）成分；下記一般式（３）で表される構造を有するカルボシランとを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ ・・・・・（１） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・（２）


・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】微細な強誘電体メモリを製造する場合においても、強誘電体膜の劣化を防止できるようにする。
【解決手段】半導体基板の上方に形成された強誘電体キャパシタ１００を覆うように、アルミニウム酸化物膜１５０をＡＬＤ法により形成し、当該アルミニウム酸化物膜１５０を形成した後、強酸化作用のあるオゾン（Ｏ₃）を含む酸化性ガス雰囲気中においてアニール処理を行うようにして、アルミニウム酸化物膜１５０を緻密化した膜とする。これにより、強誘電体膜１００ｂへの水素等の侵入を阻止し、強誘電体膜１００ｂが還元されるのを回避する。 （もっと読む）

二つの有機シリコン化合物を含む混合物からチャンバ内で基板上に低誘電率膜を堆積させる方法が提供される。混合物には、更に、炭化水素化と酸化ガスが含まれてもよい。第一有機シリコン化合物は、Ｓｉ原子あたり平均一つ以上のＳｉ-Ｃ結合を有する。第二有機シリコン化合物のＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数は、第一有機シリコン化合物におけるＳｉ原子あたりのＳｉ-Ｃ結合の平均数より大きい。低誘電率膜は、良好なプラズマ／ウェットエッチング損傷抵抗、良好な機械的性質、且つ望ましい誘電率を有する （もっと読む）

【課題】ポリマーを構成するＳｉ原子にシリルメチル基が結合した新規なポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシラン化合物を縮合して得られるポリマー。
【化１】


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_３は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基を示し、Ｙ_１〜Ｙ_３は、同一または異なり、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基を示す） （もっと読む）

コーティング済み基板を形成する方法は、流れから基板の上に材料を堆積することに基づくことができ、ここで、コーティング材料は、流れ内部での反応によって形成される。プロセスチャンバ（３００）において、生成物材料を、光入口（３２０）を経て供給される照射ビームから吸収された光子エネルギーによって駆動される反応において形成してよい。生成物流れを有する流れを、ノズル（３０８）に接続し、排気口（３２２）によって出るガス／紙入口管（３０６）を経て基板において指向してよい。例えば基板キャリア（３１６）を生成物流れを通して並進運動させるアーム（３１８）によって、基板を流れに対して移動させてよい。コーティング材料を、十分に緻密化したコーティング材料の６５％〜９５％の密度を有し非常に高いレベルのコーティング均一性を有して形成することができる。
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本発明は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の電気絶縁性半導体基板のための酸化マグネシウムベース（ＭｇＯ）無機コーティング、及びそのような絶縁性コーティングを製造する方法に関する。本発明の方法は、水との加水分解／縮合反応によってオキシ水酸化マグネシウムのホモポリマー層を形成することが可能な、少なくとも一つの加水分解性有機マグネシウム化合物及び／又は少なくとも一つの加水分解性マグネシウム塩の処理溶液を調製する段階と；酸化マグネシウムベースの層を形成するために、加水分解性有機マグネシウム化合物又は加水分解性マグネシウム塩の処理溶液を表面上部に堆積する段階と；前記形成された層を１０００℃以下の温度で高密度化する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物、および下記一般式（３) で表される化合物より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を、加水分解、縮合して得られる化合物と、（Ｃ）有機溶媒とを含有する。
Ｓｉ（ＯＲ）_４ ・・・・・（１）
Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ・・・・・（２）
Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）ポリカルボシラン化合物とを、有機溶媒の存在下で混合し、加熱することにより得られる化合物を含有する。 （もっと読む）

【課題】 多孔質材料を特徴づける方法とシステムを提供することである。
【解決手段】 多孔質材料上の処理の有効性を診断するための方法とシステムである。たとえば、多孔質材料は、多孔質低誘電率材料を含むことができる。特に、方法は、材料の多孔率を特徴づけるためにＦＴＩＲスペクトロスコピーを利用することができ、材料の孔をシーリングする有効性を評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素膜の塩素不純物量の低減を実現し、ウェットエッチ耐性の高い窒化珪素膜の形成を可能とした窒化珪素膜の製造方法及びこの製造方法を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体の表面に窒化珪素膜を形成する窒化珪素膜の製造方法であって、珪素と塩素とを含む第１のガスを前記基体の表面に供給する第１の工程と、窒素を含む第２のガスを前記基体の表面に供給する第２の工程と、水素を含む第３のガスを前記基体の表面に供給する第３の工程と、をこの順に繰り返すことを特徴とする窒化珪素膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）