【課題】膜厚測定に用いる標準試料中のＬａを含む膜の保管時の安定性を向上させる。
【解決手段】膜厚測定用標準試料１００は、シリコン基板１０１上に設けられたＬａ含有膜１０３およびＬａ含有膜１０３の上部に設けられてＬａ含有膜１０３を覆うとともに金属窒化物を含む保護膜１０５を含む。これにより、Ｌａを含む膜１０３の保管時の変質による膜厚変動を効果的に抑制する。このような膜厚測定用標準試料１００を用いて、Ｌａを含む膜の膜厚の測定値を補正するステップを含む、膜厚測定方法。 （もっと読む）

光照射を通して回折格子を用いて人間の眼に見える技術用途向けの色パターンを作成する方法において、ナノ秒範囲又はピコ秒若しくはフェムト秒範囲の少なくとも１つのレーザー装置によるレーザー微細構造化プロセスによって、固体表面上に回折格子アレイが直接生成される。各回折格子アレイは、長手方向寸法が眼の分解能力を下回る値を有する、スペクトル色を生成する限定された回折格子構造である少なくとも１つの画素８１、８２、８３を含む副領域８１で構成される。この色生成回折格子構造を固体表面に直接適用することによって、エンボス加工用具から宝石まで及ぶ多種多様な装飾及び認証の発展性が可能になる。
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【課題】ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体（ウエハ）を搬入し、Ｓｉソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、窒化ガスとしての窒素含有ガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器内へ供給する工程Ｓ２とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを挟んで交互に実施する。 （もっと読む）

塩素、臭素又はヨウ素と反応しやすい誘電体材料にフッ素を含むパッシベーション層を堆積する方法が本明細書に開示される。パッシベーション層は、反応しやすい誘電体層を保護することができ、それにより、パッシベーション層に塩素、臭素又はヨウ素を含む前駆体を用いて堆積が可能となる。 （もっと読む）

【課題】フッ酸に対する化学耐性を備え、６５０℃以下の低温で形成可能な窒化シリコンを堆積してキャパシタ電極のサポート用絶縁膜や薬剤浸透防止用の層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトプラグがその上端を露出するように埋込まれた下部層間絶縁膜上に、薬剤浸透防止用の窒化シリコンからなる第１層間絶縁膜を形成する工程と、第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜上にキャパシタ素子の下部電極の立設を保持するための窒化シリコンからなるサポート用絶縁膜を形成する工程と、サポート用絶縁膜を一部残存させて、第２層間絶縁膜を湿式エッチングにより除去してキャパシタ素子の下部電極を形成する工程とを備え、第１層間絶縁膜及びサポート用絶縁膜の少なくとも一方を高密度プラズマＣＶＤ法で形成する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

ここに、半導体装置の形成方法が提供された。ある実施の形態において、半導体装置の形成方法は、酸化物表面とシリコン表面とを有する基板を用意し、酸化物表面およびシリコン表面の双方の露出面に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去することによって窒素含有層を酸化する工程を有する。別の実施の形態において、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余部分上に酸化物層が形成される。また、ある実施の形態において、酸化物表面が半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置されている浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出した表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
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【課題】ゲート絶縁膜の侵食を抑制し、ＦＥＴの故障や不良の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層１５上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上面に保護膜１９を形成する工程、ゲート絶縁膜１８を熱処理する工程、及びゲート絶縁膜１８をプラズマ処理する工程のいずれか一つと、前記いずれか一つの工程の後に、ゲート絶縁膜１８を形成する工程の後のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、前記ゲート絶縁膜１８上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の抵抗値の経時変化が小さく、金属配線の断線の原因となる膜収縮が小さい低誘電率シリカ系被膜を基材上に形成する。
【解決手段】 （ａ）基材上に特定のポリシラザンと、アルコールおよびアルコール以外の有機溶媒とを含んでなり、アルコールの重量（Ｗ_AL）とポリシラザンの固形分としての重量（Ｗ_PS）との重量比（Ｗ_AL）／（Ｗ_PS）が０．０００１〜０．００５の範囲にあるシリカ系被膜形成用塗布液を塗布する工程、および、（ｃ）次いで飽和水蒸気を供給しながら、過熱水蒸気の存在下、塗布膜を１８０〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内に収容された基板上に薄膜を形成する基板処理方法であって、Ｃｌ元素を含有する第１の処理ガスを処理室内に供給する第１の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第１の処理ガスを排出させる第２の工程と、第２の処理ガスを処理室内に供給して基板上に薄膜を生成する第３の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第２の処理ガスを排出させる第４の工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返し、第２の工程では、処理室内から第１の処理ガスを排出させた後も不活性ガスを処理室内に引き続き供給する。 （もっと読む）

【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが少ないシリコン窒化膜を形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板２００を収容した処理室２０１内に、ビスターシャリーブチルアミノシランガスとアンモニアガスとを供給して、ＣＶＤ法により基板上にシリコン窒化膜３０４を形成し、シリコン窒化膜が形成された基板を８００℃以上の雰囲気で加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】上下の電極間のショートが防止される信頼性の高い圧電素子、及びそれを容易に製造することができる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１２上に、下部電極１８と、圧電膜２０ａと、上部電極２２ａとが、この順に積層されており、圧電膜２０ａの側面に、下部電極を１８構成する材料を含む酸化膜２８が形成されている圧電素子１１。圧電素子用部材１０の上部電極２２側に形成したマスク２４を介してドライエッチングすることにより上部電極２２及び圧電膜２０をパターニングした後、パターニングされた圧電膜２０ａの側面（側壁付着膜２６）を酸化させて酸化膜２８にする。好ましくは、プラズマ酸化により酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】アンダーカットの発生を抑制することができるとともに、従来に比べて高速に単結晶シリコンをエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ニッケルシリサイドを始め他の膜をエッチングすることなく、速やかに半導体装置に利用される側壁スペーサ等の薄膜を除去可能とする薄膜を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、薄膜は、ゲルマニウム、珪素、窒素、及び水素を含む。 （もっと読む）

本発明は、６００℃より低い基板温度において高密度プラズマ化学気相堆積技術を使用して基板上に低ウェットエッチング速度の窒化シリコン膜を堆積する方法に関する。この方法は、更に、プラズマ中の窒素対シリコンの比を比較的高く、且つ処理圧力を低く維持することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＡＰＭ洗浄による側壁絶縁膜のエッチングレートを低減させることができる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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【課題】低誘電率化を実現しながら、酸性薬液耐性とアルカリ薬液耐性を両立できる積層絶縁膜とこれを用いた半導体装置並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を有する半導体基板２０のチャネル形成領域上にゲート絶縁膜２１とゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２の両側部における半導体基板２０中にソース・ドレイン領域（２３，２４）が形成され、ゲート電極２２の両側部にサイドウォール１０ａが形成され、サイドウォール１０ａは、少なくとも１層の第１窒化シリコン膜１１と、第１窒化シリコン膜と積層され、窒化シリコンのエッチング耐性を改質させる元素をドープされた少なくとも１層の第２窒化シリコン膜１２とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板上やチャンバ内壁面にＳｉＣの形成を可能とする。
【解決手段】チャンバ１０内の基板２２ａへ珪素を供給すると共に、チャンバ１０内へハロゲン含有ガスを供給し、ハロゲン含有ガスを解離して炭素含有部材２０ｂから基板２２ａへ炭素を供給することによって基板２２ａにＳｉＣを形成する。 （もっと読む）