【課題】曲線因子の劣化を防ぎながら、液相から製膜される光反射低減効果の高い反射防止膜により光反射を低減させることにより短絡電流と光電変換効率とを増大させるとともに、反射防止膜形成後においても太陽電池セルの電気特性の評価および電極上へのはんだ付けが可能な太陽電池セルを製造可能な太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板上に反射防止膜を備えた太陽電池セルの製造方法であって、ＰＮ接合部を有する前記半導体基板の一主面側に電極を形成する第１工程と、前記反射防止膜の形成用の塗布液を撥水する保護層を前記半導体基板の一主面側における前記電極を覆う領域に選択的に形成する第２工程と、前記保護層を形成した前記半導体基板上に前記反射防止膜の形成用の塗布液を塗布して前記反射防止膜を塗布形成する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶シリコン粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の表層部に窒化珪素膜を形成する第１の工程と、酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱することによって、窒化珪素膜を酸窒化珪素膜とするとともに、結晶シリコン粒子１０１のシリコン部に接する酸窒化珪素膜の内表面に窒素の高濃度層を形成しながら結晶シリコン粒子１０１の形状を保持した状態でシリコン部を溶融させ、ついで降温し凝固させて単結晶化する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】データの書き込み時および消去時における絶縁耐圧を向上させることが可能な不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トンネル絶縁膜、第１の導電膜、ストッパ膜を堆積し、ストッパ膜、第１の導電膜、トンネル絶縁膜、半導体基板の所定深さまで素子分離溝を形成し、第１の絶縁膜を堆積し平坦化し、第１の導電膜をスリット状に加工し、第１の導電膜の側壁より半導体基板を選択的に異方性酸化を行い、電極間絶縁膜を形成し、第２の導電膜を形成し、第２の導電膜を所定量除去し電極間絶縁膜の表面を一部露出させ、第２の導電膜上に第３の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする。
【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板に供給する水素ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、被処理基板に供給する水素ガスをプラズマ放電して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマで前記被処理基板を処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、実質的に酸素欠損がなく電気的特性が安定なシリコン酸化膜を提供することである。
【解決手段】 ガスプラズマ状態を形成するチャンバー内にターゲット材料とシリコン酸化膜を堆積する基板を設置し、該チャンバーに導入するガスとしてオゾンガスを含む導入ガスを用いることを特徴とするスパッタによるシリコン酸化膜の堆積方法である。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで得ることができ、電気的絶縁性が高く、表面性状が良好なシルセスキオキサン系絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと、前記アルコキシシランの加水分解を促進するための酸触媒と、水と、第１の非プロトン性溶媒とを含む溶液を用意する工程と、前記溶液を０℃〜５０℃の温度に維持して加水分解する工程と、前記加水分解後に、前記溶液を５０℃〜７０℃の温度に維持し、加水分解重縮合を進行させる工程と、前記加水分解重縮合を進行させた後に、酸触媒及び副生成物を少なくとも留去するために減圧する工程と、減圧後に前記溶液を塗工する工程と、塗工された溶液を１５０℃〜１７０℃の温度で焼付けてシルセスキオキサン系膜を形成する工程とを備える、シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁耐性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置３０は、基板３１と、基板３１上に形成された絶縁膜（３２、３３）と、絶縁膜（３２、３３）上に形成された島状の多結晶半導体層（ポリシリコン層３５）と、多結晶半導体層（ポリシリコン層３５）上に形成され、純水に対する接触角が１０°以下であり、且つ膜厚が０．５ｎｍ以下の第１酸化膜３６と、第１酸化膜３６上に形成されたゲート絶縁膜３８と、ゲート絶縁膜３８上に形成されたゲート電極３９と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン基板の一主面上に窒化シリコン膜を形成する工程を備え、前記シリコン基板は、前記主面側がｐ型であり、前記窒化シリコン膜を形成する前に、窒素ガスを含む原料ガスを用いて形成されるプラズマによって前記主面の表面処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜として高性能なシリコン酸化膜を提供し、電気特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン酸化膜は、赤外吸収スペクトルの（ピーク半値幅）×（ピーク高）で表されるピーク面積強度において、波数２３４０ｃｍ^-1付近に現れるＣＯ₂帰属ピークの面積強度が、波数１０６０ｃｍ^-1付近に現れるＳｉＯ₂帰属ピークの面積強度に対して、８Ｅ−４倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で良好な特性のチャネル保護膜を備えた薄膜トランジスタとその製造方法およびこの薄膜トランジスタを用いた液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】第１の基板ＳＵＢ１の内面に形成されたゲート電極ＧＴ、ゲート電極ＧＴの上にゲート絶縁膜ＧＩを介してシリコン半導体層ＳＩとオーミックコンタクト層ＮＳを成膜し、オーミックコンタクト層ＮＳを二分割してシリコン半導体層ＳＩにチャネル部を形成する。チャネル部に露出したシリコン半導体層ＳＩの表面にインクジェットノズルＮＺから有機ニッケルインクＮ−ＩＫを滴下して塗布し、焼成してチャネル保護膜とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の薄膜化を図りつつ、特性ばらつきが改善されたＴＦＴを容易に作製することができる薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】基板上やチャンバ内壁面にＳｉＣの形成を可能とする。
【解決手段】チャンバ１０内の基板２２ａへ珪素を供給すると共に、チャンバ１０内へハロゲン含有ガスを供給し、ハロゲン含有ガスを解離して炭素含有部材２０ｂから基板２２ａへ炭素を供給することによって基板２２ａにＳｉＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的に高性能、安価並びに低温形成可能なアモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。また望ましくは前記絶縁体膜中のＡｒ量が、Ｓｉに対して原子数比で１７％以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。また、そのアモルファス絶縁体膜を薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に用いる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法においてＴＭＳを用いて低温条件下で成膜する場合であっても、炭素の混入を抑えて良好な膜質の絶縁膜を有する半導体装置の製法を提供すること。
【解決手段】 ＴＭＳを用いて低温条件下で成膜された絶縁膜を有する半導体装置の製法において、前記絶縁膜が、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてＴＭＳと、酸化ガスとしてＮ_２Ｏとを用い、室温以上２５０℃以下の基板温度にて形成されることを特徴とする半導体装置の製法とする。 （もっと読む）

【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供することにその目的がある。
【解決手段】本発明は、保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、マスクの数を低減し、製造費用を低減することができ、及び、データパッドをゲート金属パターンとデータ金属パターンのジャンピング構造で形成することによって、データパッドのオープンによる電食を防止することができる、薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、製造費用を低減することができる薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲートラインと接続されたゲート電極と、ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと接続されたソース電極と、ソース電極とチャネルを介して対向するドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極間のチャネルを形成する半導体層と、画素領域に位置しドレイン電極と接触形成された画素電極と、半導体層のチャネル上に形成されるチャネル保護膜と、ゲートラインから延長されたゲートパッド下部電極を備えたゲートパッドと、データラインと分離形成されたデータパッド下部電極を備えたデータパッドとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 誘電率及び／又はＳｉＣＯＨ膜の信頼性に影響を及ぼさない方法を用いて、漏れ電流が改善されたＳｉＣＯＨ膜を提供すること。
【解決手段】 深紫外線（ＤＵＶ）に曝されていない従来技術のＳｉＣＯＨ誘電体膜を含む従来技術の誘電体膜に比べて改善された絶縁特性を有するＳｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子（以下ＳｉＣＯＨ）からなる誘電体膜の製造方法が開示される。改善された特性は、ＳｉＣＯＨ誘電体膜の誘電率に悪影響を及ぼす（増加させる）ことなく達成される、漏れ電流の減少を含む。本発明によれば、堆積時のＳｉＣＯＨ誘電体膜をＤＵＶレーザ・アニールに曝すことにより、減少された漏れ電流及び改善された信頼性を呈するＳｉＣＯＨ誘電体膜が得られる。本発明のＤＵＶレーザ・アニール・ステップは、おそらく、膜から弱く結合されたＣを除去し、それにより漏れ電流を改善する。 （もっと読む）

【課題】 金属触媒の拡散が困難な酸化膜と容易な窒化膜で二重キャッピング膜を形成し、その上に金属触媒層を形成した後に結晶化することにより、金属触媒が酸化膜を容易に通過できず、少量の金属触媒のみが結晶化に寄与する。これにより結晶粒径が大きい多結晶シリコン層を形成し、これで半導体層を形成し特性が優れた薄膜トランジスタを得る。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１から２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタ及びその製造方法。金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 （もっと読む）