【課題】層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】マンガンの化合物からなるバリア層を形成した後、基板に有機酸を供給してバリア層を構成するマンガンの化合物の一部を還元してマンガンの化合物における化学量論的な組成比の不均衡を発生させて、マンガンの化合物中のマンガンの比率を高める。またバリア層の表面もしくは層中のマンガンはシード層を形成した後、加熱処理を行うことで前記シード層の表面に析出され、そして前記凹部内に上層側導電路を形成する前に洗浄処理を行うことで除去される。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、室温下の反応管２内にジイソプロピルアミノシランを供給し、半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、室温下の反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。そして、この処理を複数回繰り返す。これにより、半導体ウエハＷに所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】隣接するゲート電極間の距離が小さい場合であっても、応力膜によりチャネル領域に効果的に応力を発生させて電荷移動度を向上させることのできる半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に各々ゲート絶縁膜を介して略並列に形成された複数のゲート電極と、前記半導体基板内の前記複数のゲート電極下の領域に各々形成された複数のチャネル領域と、前記半導体基板内の前記複数のチャネル領域を挟んだ領域に形成されたソース・ドレイン領域と、前記半導体基板および前記複数のゲート電極上を覆うように形成された第１の応力膜と、前記複数のゲート電極間の領域に形成された空隙内の少なくとも一部に形成された第２の応力膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＣＶＤ法と同等の厚い膜厚で、膜質が良質な絶縁膜を低温で形成できる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層上に、ＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜するＣＶＤ工程（ステップＳ２）と、希ガスと酸素を含む処理ガスを用い６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件で発生させたプラズマにより、酸化珪素膜を改質処理するプラズマ改質処理工程（ステップＳ４）とを、酸化珪素膜が所望の膜厚に達するまで繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉの異常酸化を抑制し、さらにパーティクルの発生を抑制して、半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ＮｉＳｉを用いる半導体装置の製造プロセスにて、ＮｉＳｉがウェーハ表層にある状態で、縦型の減圧気相成長装置にてＳｉＮ膜を成膜したところ、ボート装入時に予備室内の酸素を反応炉内に巻き込み、反応炉内温度（３００℃）とヒーターの輻射熱を受けてＮｉＳｉと反応し酸化していることにより、ＮｉＳｉが異常酸化し配線抵抗異常が発生した。そして、ヒーターからの輻射熱の影響を無くすために熱量を低くすると炉内の温度が急激に低下して、炉内に堆積したＳｉＮ膜が熱ストレスにより剥がれ、パーティクルが発生することが分かっている。これを解決するために、ＳｉＮ膜を成膜する工程にて、反応炉内温度を制御するヒーターの最大熱量を０．７５ｋＪ／ｓｅｃ以上、１．５ｋＪ／ｓｅｃ以下に制御してボートを装入する。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる第２のゲート絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。
【解決手段】ゲート間絶縁膜７が、浮遊ゲート電極ＦＧと制御ゲート電極ＣＧとの間に、浮遊ゲート電極ＦＧ側から制御ゲート電極ＣＧ側にかけて、シリコン窒化膜７ａａ／高誘電体絶縁膜７ａｂ／シリコン酸化膜７ａｃ／高誘電体絶縁膜７ｂ／シリコン酸化膜７ｃａ／シリコン窒化膜７ｃｂによる積層構造により構成されているため、リーク電流を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に用いる高誘電体金属酸化膜又は高誘電体金属シリケート膜におけるリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して前記被処理体の表面にシリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜処理を行うようにした成膜方法において、前記シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、少なくとも前記成膜処理の初期の一定の期間及び／又は末期の一定の期間を除いて前記窒化ガス供給工程ではプラズマを立てるようにする。これにより、被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】最大ドレイン電流密度が高く、長時間の電力動作にも耐える信頼性の高い、実用的なダイヤモンド電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ｐ型またはｎ型の伝導性を有するダイヤモンド結晶層１をＣＶＤ装置などで成長させる。次に、金を蒸着させ、ソース電極２、ドレイン電極３を形成する。次に、７６Ｔｏｒｒに減圧したＣＶＤチャンバ内で、上記ダイヤモンド結晶層１に、酸素ガス、水素ガス、トリメチルアルミニウムを供給し、ソース電極２とドレイン電極３との間のゲート部に厚さ８ｎｍのＡｌ（ＯＨ）₃またはＡｌ_1-x-yＯ_xＨ_y化合物からなる絶縁層４を形成する。最後に、絶縁層４上にＡｌ金属膜６を蒸着させてゲート部を形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い結晶化温度を有する改良型誘電体層の構造及び該構造の製造方法には、誘電体層の等価酸化膜厚を減らすこと並びに界面特性の改良によってデバイス性能を改良する必要が今も残っている。
【解決手段】例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。一実施形態における金属含有膜の堆積法は、金属アミド前駆体、ケイ素含有前駆体、及び酸素源を燃焼室に導入する工程（ただし、パージガスを導入した後に各前駆体を導入する）を含む。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリデバイスのようなデバイス、及び統合プロセスツールにおいてデバイスを形成する方法の提供。
【解決手段】 トンネル酸化物層を基板上に堆積させるステップと、トンネル酸化物層をプラズマに曝し、その結果、プラズマがトンネル酸化物の表面と近傍表面の形態を変化させ、プラズマ変化した近傍表面を形成するステップと、を含む。その後、トンネル酸化物の変化した近傍表面上にナノ結晶を堆積させる （もっと読む）

【課題】基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５）を含む原料ガスを導入する原料ガス導入工程と、非酸素雰囲気下で、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５）を熱分解しＣＶＤ法により基板上に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）薄膜を形成する薄膜形成工程と、酸素含有雰囲気下で、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）薄膜が形成された基板に後処理を行う後処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウェハ１０を反応炉１内にロードする工程と、反応炉１内でウェハ１０に成膜を行う工程と、成膜後のウェハ１０を反応炉１よりアンロードする工程と、ウェハ１０をアンロード後、反応炉１内にウェハ１０がない状態で、反応炉１の外側に反応炉１を覆って設けられた強制冷却機構４０により、反応炉１内を強制冷却する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体（ウエハＷ）を載置し、有機アルミニウム化合物を含む原料ガスと、水蒸気等の水素原子、酸素原子を含む酸化ガスとを当該処理容器２内に導入する。次いで当該処理容器２内の処理雰囲気を２００℃以上５００℃以下の温度範囲に加熱して、被処理体の上にダイアスポアを含む含酸素アルミニウム化合物の膜を形成し、当該被処理体を８００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲で加熱して、当該含酸素アルミニウム化合物の膜を、α-アルミナを含むアルミナ膜に変化させる。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物を原料に使用して気相成長法により形成される膜内でのパーティクル数を少なくして、膜質を向上することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】含有水分が１．０質量％以下、好ましくは０．８質量％以下の有機溶剤に有機金属化合物を溶解した溶液からなる少なくとも１つの有機金属原料を気化する工程と、気化した有機金属原料の気相成長により基板上に金属を含む膜を形成する工程とを有し、これによりパーティクルの生成を抑制する （もっと読む）

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ_３プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含む。第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。 （もっと読む）

【課題】基板に対してガスシャワーヘッドから原料ガスを供給し、Ｈｆ原子とＳｉ原子とを含む酸化膜を連続的に成膜するにあたり、基板上の成膜レートの低下を抑えること。
【解決手段】ガスシャワーヘッドの下面に冷媒を通流させ、ガスシャワーヘッドを冷却することによって、原料ガスから副生成ガスの生成する温度境界層を薄くして、副生成ガスの生成量を抑えると共に、ガスシャワーヘッドの下面への副生成ガスの付着速度を抑える。これにより、連続成膜時においても、副生成ガスのガスシャワーヘッドの下面への付着量が抑えられて、従って長期に亘って成膜レートの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができるアルミナ膜の成膜方法、成膜装置及び前記成膜方法を実施するプログラムを格納した記憶媒体を提供する。
【解決手段】
処理容器２内に被処理体であるウエハＷを載置した後、アルミニウムのβ-ジケトン錯体を含む原料ガス及び酸素ガス等の酸化ガスを導入して、その処理容器２内の処理雰囲気の温度を２００℃以上、１，０００℃以下の温度範囲に加熱することによりウエハＷ表面にα-アルミナを含むアルミナ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ手法により酸化膜を形成する際に、酸化不足が生じ難い成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態として、その中に成膜原料を供給する工程（工程Ｓ１）と、その中に酸化剤を供給する工程（工程Ｓ２）とを複数回繰り返し、基板上に酸化膜を形成するにあたり、酸化剤を供給する工程（工程Ｓ２）は、真空引きを挟んで酸化剤の供給を複数回繰り返す。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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