【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】層間絶縁膜内の電荷による電界への影響を緩和して、素子のリーク電流の減少と耐圧の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜をＳｉＨ₄とＮ₂Ｏから形成される堆積酸化膜２ａとＴＥＯＳとＯ₂から形成されるＴＥＯＳ酸化膜２ｂとの二層の複合膜とすることで、ＴＥＯＳ酸化膜２ｂ中の電荷５による電界への影響を堆積酸化膜２ａで緩和できて、素子のリーク電流が低減され、耐圧が向上する。その結果、良品率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物によるパーティクルの発生が容易に抑制できるようにする。
【解決手段】装置本体１０１に、成膜対象の基板が配置される成膜室１０２を備える。成膜室１０２の内部には、基板が載置される基板台１０３が設けられ、基板台１０３は、基板を加熱するための加熱機構１０４を内蔵している。また、装置本体１０１には、成膜室１０２に原料ガスを導入するためのガス導入口１０５、成膜室１０２に酸素ガスを導入するためのガス導入口１０６を備える。加えて、装置本体１０１は、成膜室１０２の内部にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入口１０７を備え、成膜室１０２の内壁に形成された堆積阻止膜１１２を備える。 （もっと読む）

【課題】膜組成の制御が容易、かつ、薄膜化が可能なゲート絶縁膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、トランジスタが形成される半導体基体１上に、ゲート絶縁膜となる酸化マンガン膜１２を形成する工程と、前記酸化マンガン膜１２上に、ゲート電極となる導電体膜１３を形成する工程と、前記導電体膜１３及び前記酸化マンガン膜１２を加工し、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】実効酸化膜厚の極めて薄いゲート絶縁膜を有し、且つ、消費電力の少ない半導体装置を、高い歩留まりで製造することができる半導体装置の製造方法をする。
【解決手段】液体の酸化剤を用いてシリコン基板１の表面を雰囲気に露出させることなく酸化することにより、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜６を形成し、
シリコン酸化膜６の上にアルミニウム酸化膜７を形成し、
アルミニウム酸化膜７の上にランタン酸化膜８を形成し、
ランタン酸化膜８の上にハフニウムシリケイト膜９Ａを形成し、
その後、窒素を導入して熱処理を行うことにより、ハフニウムシリケイト膜９Ａを窒化させて窒化ハフニウムシリケイト膜９を形成し、
前記熱処理により、シリコン酸化膜６ないしランタン酸化膜８を、ランタンアルミニウムシリケイトとする。 （もっと読む）

【課題】高電界領域及び低電界領域のリーク電流を低減する揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１０１の表面領域に互いに離間して設けられたソース／ドレイン領域１１１と、ソース／ドレイン領域１１１間のチャネル上に設けられたトンネル絶縁膜１０２と、トンネル絶縁膜１０２上に設けられた電荷蓄積層１０３と、電荷蓄積層１０３上に設けられ、かつランタンアルミシリコン酸化物若しくは酸窒化物を含む第１の誘電体膜１０５と、第１の誘電体膜１０５上に設けられ、かつハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む酸化物若しくは酸窒化物を含む第２の誘電体膜１０６と、第２の誘電体膜１０６上に設けられた制御ゲート電極１０７とを含む。 （もっと読む）

【課題】形成する薄膜の下地との界面の膜質向上、膜質制御を可能にする。
【解決手段】処理室内に載置された基板の表面に、第１の元素を含む第１の処理ガス及び第２の元素を含む第２の処理ガスを交互に供給して第１の薄膜を形成し、第１の元素を含み第１の処理ガスと異なる元素成分を有する第３の処理ガスを交互に供給して第１の薄膜の上に第１の薄膜と同じ元素成分を有する第２の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低分子量、低融点（１００℃以下）、及び高蒸気圧（０．５ｔｏｒｒ以上）の性質を示す第４族前駆体、及び共形（コンフォーマル）な金属含有膜を基板上に製造するための堆積プロセスの提供。
【解決手段】第４族金属含有前駆体は、下記式Ｉ：


（式中、ＭはＴｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択される金属）により表される。 （もっと読む）

【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈｆを含む原料を気化した原料ガスを用いて、ＣＶＤ法により、基板上にアモルファス状態のＨｆを含む膜を形成する成膜工程（ΔＭｔ）と、原料ガスとは異なる反応物を用いて、成膜工程において形成したアモルファス状態のＨｆを含む膜の改質を行う改質工程（ΔＲｔ）と、を連続して複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜内に金属原子を拡散させるための膜の除去を容易にする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、窒素ガス及び不活性ガスの少なくとも一方の雰囲気中で半導体基板、下地膜、ゲート絶縁膜及び金属膜を熱処理する工程と、ゲート絶縁膜上に残存する金属膜を除去する工程と、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極膜を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面及び側面をキャップ絶縁膜１０７及びサイドウォール絶縁膜１０８で覆われた複数のビット線１０６間に形成された溝状領域１０９と、Ｎ（窒素）よりもＯ（酸素）を多く含み溝状領域１０９の内表面を連続的に覆うＳｉＯＮ膜１０と、ＳｉＯＮ膜１０を介して溝状領域１０９内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率を示すキャパシタ用絶縁膜は、キャパシタに用いられた際にリーク電流が増大する。
【解決手段】２つの電極の間に挟まれて用いられるキャパシタ用絶縁膜を、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムストロンチウムのチタンサイトの一部がハフニウム元素で置換された結晶から形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板側から熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜の２層を積層したゲート絶縁膜を有する半導体装置において、アニール処理時にＣＶＤ酸化膜の内部応力が圧縮応力に変化することによる半導体基板等の歪みを低減する。
【解決手段】熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜との間に、リンガラス膜を形成する。リンガラスは、シリコン酸化膜中にリン（Ｐ）を導入して軟化温度（ガラス転移温度）を低くした酸化膜であり、８５０〜９００℃でリフローと呼ばれる流動現象が生じる。９００℃以上で行われるＣＶＤ酸化膜のアニール処理時には、リンガラス膜がリフロー流動状態となり、熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜と間で緩衝材として機能する。これによってアニール処理時にＣＶＤ酸化膜の内部応力が圧縮応力に変化することが抑制され、ゲート絶縁膜や半導体基板の歪みが低減される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス中の原料ガスの濃度を安定化させ、原料の巻き上げや飛散による影響を抑制する。
【解決手段】 容器内に収容された常温常圧下において固体である原料を固体から液体に変化させる工程と、液体に変化させた前記原料を固体に戻す工程と、固体に戻した前記原料を昇華させて前記容器内で原料ガスを生じさせる工程と、前記容器内で生じさせた前記原料ガスを基板に対して供給し、基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板配列領域における全領域で低ＷＥＲを確保するとともに、良好なＷＩＷを得る。
【解決手段】炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第１工程と、処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第２工程と、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して窒化シリコン膜上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第３工程と、処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または窒化シリコン膜に炭素を添加する第４工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】基板の加熱による成膜処理への影響を抑えることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた回転テーブルに載置された基板を加熱するために設けられた基板加熱手段と、回転テーブルの周方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応ガスが供給される各処理領域間の雰囲気を分離するために、前記周方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域に分離ガスを供給する分離ガス供給手段と、前記回転テーブルに供給された各反応ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記真空容器を加熱し、また冷却することができるように構成された温調手段と、を備えるように成膜装置を構成することで、真空容器の温度制御を行い、前記基板加熱手段からの温度の影響を抑える。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）