【課題】比誘電率が低く、リーク電流が小さい、炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成すること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置し、この処理容器内に環状構造のシロキサンを含む成膜ガスと、パラフィン炭化水素ガス又は水素ガスを含む添加ガスとを導入し、これらのガスをプラズマ化することにより、基板に対して炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成する。このようにすると、炭素、水素添加シリコン酸化膜中に存在する未結合のＳｉダングリングボンドが、添加ガスのプラズマ化により生成するＣやＨのダングリングボンドと結合することにより終端される。このため膜中に存在するＳｉダングリングボンドが少なくなるので、膜中のＳｉダングリングボンドの存在が原因となるリーク電流の発生が抑えられ、これにより比誘電率が低い炭素、水素添加シリコン酸化膜を得ることができる。 （もっと読む）

安定化された環状アルケン組成物であって、１つ又はそれ以上の環状アルケン、及び式（Ｉ）：
【化１】


ここで、Ｒ¹からＲ⁵は、各々独立に、Ｈ、ＯＨ、（Ｃ₁−Ｃ₈）の直鎖状、分枝鎖状若しくは環状アルキル、（Ｃ₁−Ｃ₈）の直鎖状、分枝鎖状若しくは環状アルコキシ、又は置換若しくは無置換のアリールである；
を有する少なくとも１つの酸化防止化合物を含み、且つ、酸化防止化合物は、約１ｐｐｍから約２００ｐｐｍの間の量で存在し、そして２６５℃未満の沸点を有する組成物、及び、基板上に炭素をドープした酸化ケイ素の層を形成する方法であって、安定化したアルケン組成物及びケイ素含有化合物を使用する方法。
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【課題】信頼性が高く小型なＴＦＴを作製するために、信頼性の高いゲート電極、ソース配線及びドレイン配線を形成するための半導体装置の作製方法及び半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極に高密度プラズマにより窒化することによって前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 膜質及び生産性において、酸化珪素系薄膜製造に適する薄膜製造プロセスを提供すること。
【解決手段】 トリス（エチルメチルアミノ）シランを含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たトリス（エチルメチルアミノ）シランを含有する蒸気を系内の基体上に導入し、該基体上に珪素含有薄膜層を形成した後、系内のガスを排気してから該系内に酸化性ガスを導入し、該珪素含有薄膜層に該酸化性ガス及び熱を作用させて、先に形成した珪素含有薄膜から酸化珪素系薄膜を製造する薄膜製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ａ）有機シロキサン重合体；ｂ）Ｒｂイオン、Ｃｓイオン、及びこれらの混合物からなる群から選択された第１金属イオン；及びｃ）有機溶媒を含み、前記第１金属イオンの含有量は、組成物全重量に対して１乃至２００ｐｐｍである絶縁膜用コーティング組成物、これより製造される絶縁膜、及びこれを含む電気または電子素子に関するものである。本発明の絶縁膜用コーティング組成物を利用して膜を製造すれば、低い誘電率と共に、優れた機械的強度と電気的特性を有する絶縁膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸素欠陥量の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】 絶縁膜は、正の価数を有する構成元素の酸化物または酸窒化物を含み、構成元素の価数より大きな価数の添加元素を３×１０^-8ａｔ％以上１．６×１０^-3ａｔ％未満含む。 （もっと読む）

【課題】 常圧で、比較的低温下において、ＳＴＩやＰＭＤパターン中に、低水分の絶縁酸化膜を、シーム（合わせ目）やボイド（空洞）なく埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板Ｗ上に、シャロートレンチパターンＴや配線パターン等のパターンを形成し、該パターンの凹部を埋め込むように絶縁酸化膜５３を形成する工程を有し、絶縁酸化膜は、オゾンと、有機シリコンソースと、水蒸気とを含む原料ガスから形成され、水蒸気は、有機シリコンソースに対する水蒸気の流量の比が1〜１０００で供給され
る。有機シリコンソースは、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）であると好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性に優れたhigh-kゲート絶縁膜を実現する。
【解決手段】基板１１の上にＨｆＯ₂ よりなるhigh-k膜１４をＣＶＤ法を用いて堆積した後、high-k膜１４の上にゲート電極１５を形成し、その後、ソース・ドレイン領域又はゲート電極１５に注入された不純物に対する活性化アニール処理を行なう。high-k膜１４の堆積温度をｘ［℃］とし、活性化アニール処理の温度をｙ［℃］としたときに、ｘ及びｙは、ｙ ≦ ０．５・ｘ ＋ ８２５ の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率を有し、弾性係数、硬度などの機械的物性にも優れるうえ、熱的安定性もある、二重有機シロキサン前駆体を用いた絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の絶縁膜の製造方法は、二重有機シロキサン前駆体化合物と薄膜物性改良剤との混合物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって薄膜化する段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、より迅速に高品質のゲート絶縁膜が形成できるようにする。
【解決手段】シリコン原料ガス１２１の供給→パージ→酸素原料ガス１２２の供給→パージの周期を繰り返す原子層成長法で酸化シリコン層１５４を形成した後、シリコン原料ガス１２１と酸素原料ガス１２２とが混合された混合ガスが酸化シリコン層１５４の上に供給された状態とし、例えば、全体として５５ｎｍ程度と、ゲート電圧に耐えられる膜厚の酸化シリコンからなる絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】一般に、半導体デバイスの製造に使用される被膜、特に窒化被膜および酸化被膜を提供すること。
【解決手段】窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または炭化シリコン被膜の形成中、少なくとも１つの非シリコン前駆体（ゲルマニウム前駆体や炭素前駆体など）を添加することによって、堆積速度が改善され、または被膜の応力を調整するなどこの被膜の特性を調整することが可能になり、あるいはその両方が可能になる。また、ドープ型酸化シリコンまたはドープ型窒化シリコンまたはその他のドープ型構造では、ドーパントが存在することを利用して、このドーパントに関連する信号（目印）をエッチング・ストップとして測定することができ、またはその他の場合にはエッチング中の制御を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。
【解決手段】縦型ＣＶＤ装置は、処理室８内に処理ガスを供給する供給系４２、４４と、装置の動作を制御する制御部５とを含む。供給系４２、４４は、第１反応ガスを供給する第１反応ガスライン６０に接続された複数の第１供給孔５３と、第２反応ガスを供給する第２反応ガスライン６２に接続された複数の第２供給孔５３とを含む。第１供給孔５３のセット及び第２供給孔５３のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Ｗのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部５は、第１及び第２反応ガスを交互に供給するように供給系４２、４４を制御することにより、第１及び第２反応ガスに由来する薄膜を被処理基板Ｗ上に形成する。 （もっと読む）

プロセスガスをプロセスチャンバに流し且つ流動性ガスをプロセスチャンバに流すことによって基板の上に膜が堆積される。プロセスガスは、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを含んでいる。流動性ガスは、ヘリウム流と分子水素流を含み、分子水素流は、ヘリウムの流量の２０％未満の流量で供給される。プラズマは、１０^１１イオン/ｃｍ^３を超える密度でプロセスチャンバ内に形成される。プラズマにより基板の上に膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】 全体として低いｋをもつＩＬＤを提供し、ＩＬＤに内在する接着性の欠陥に対する抵抗性だけでなく、ＩＬＤと基板との間の良好な接着性を提供する構造体と方法を提供すること。
【解決手段】 全般的に低い誘電率、半導体基板への良好な接着、及び熱循環によるクラッキングへの良好な抵抗性を有する、半導体デバイスのための誘電体層（１２）である。誘電体層（１２）は、誘電率の勾配をもつ誘電体層を提供するために、誘電体材料の堆積条件の連続的変化を含むプロセスによって生成される。 （もっと読む）