【課題】メモリセルトランジスタ及びセレクトトランジスタともに良好な特性を有する優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられた第１の下層絶縁膜２０ａと、第１の下層絶縁膜上に設けられた第１の中間絶縁膜３０ａと、第１の中間絶縁膜上に設けられた第１の上層絶縁膜４０ａと、第１の上層絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極５０ａと、を有するメモリセルトランジスタ１００ａと、半導体基板上に設けられた第２の下層絶縁膜２０ｂと、第２の下層絶縁膜上に設けられた第２の中間絶縁膜３２ｂと、第２の中間絶縁膜上に設けられた第２の上層絶縁膜４０ｂと、第２の上層絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極５０ｂと、を有するセレクトトランジスタ１００ｂと、を備え、第２の中間絶縁膜３２ｂのトラップ密度は、第１の中間絶縁膜３０ａのトラップ密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａ及び大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルのキャパシタに適用できる膜厚まで薄膜化しても、高い誘電率を得るのに十分な結晶性を確保する誘電体膜を提供する。
【解決手段】トランジスタとワード線３、ビット線６がシリコン基板１上に形成されており、そのトランジスタの拡散層１５の片側から、ポリシリコンで形成された導電性プラグ５が引き出されている。その上部に、さらに第２の導電性プラグ８が接続されており、これは反応バリア層９を介して円筒型のキャパシタ下部電極１０につながっている。下部電極１０の表面には、ニッケルまたはコバルトを０．５％から１０％の範囲で添加した二酸化チタン１１が形成されており、上部電極１２と下部電極１０、および二酸化チタン１１でキャパシタが構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁破壊耐圧特性、低い誘電率、及び、低い吸湿性を備えた絶縁層を有する半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた高性能且つ信頼性の高い電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化窒化珪素や窒化酸化珪素のような窒素を含有する絶縁体と、フッ素が添加された酸化窒化珪素やフッ素が添加された窒化酸化珪素のような窒素及びフッ素を含有する絶縁体とを交互に堆積させて、絶縁層を形成する。窒素及びフッ素を含有する絶縁体を、窒素を含有する絶縁体により挟み込むことで、窒素及びフッ素を含有する絶縁体の吸湿を防ぐことができ、絶縁破壊耐圧を向上することができる。また、フッ素を含有させることにより、誘電率を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】本発明は基材に非晶質炭素層を形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、プロセシングチャンバーに基材を配置する；プロセシングチャンバーにプロセスガスを導入する；プロセスガスのプラズマを発生させる；および基材に非晶質炭素層を堆積させる、工程を含み、ここでプロセスガスは単一の炭素−炭素二重結合を有するＣ_４〜Ｃ_１０の環状炭化水素を含む組成物を含み、ここでこの組成物は安定化剤を含まない。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ型プロセスによって作製される金属酸化物被膜の均一性を高めるための方法に関する。ハロゲン化金属含有前駆体と酸素含有前駆体（好ましくは水）の交互パルスを使用し、必要に応じてパージすることによって層が作製される。酸素含有前駆体のパルス後に改質剤のパルスを導入すると、層の均一性に好ましい効果（一般には、特に密に配置された基板を含むアプリケーションにおいて勾配を示す）を与える。特に、層厚さの均一性が改善される。本発明によれば、１〜３個の炭素原子を有するアルコールを改質剤として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】最終保護膜形成後の製品のそりを低減した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜上に、引張応力を有する第２保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第１保護膜、及び前記第２保護膜を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】水素の含有量を１原子％以下とすることで４００度における十分な耐熱性を付与された、ケイ素を含有するフッ素化非晶質炭素膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】式CxFy（式中x, yは２以上の整数）で表される不飽和フッ化炭素ガスと式SiaFb（式中a, bは１以上の整数）で表されるフッ化ケイ素ガスを原料ガスとして用いる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜しているので、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられ、その結果、低誘電率であり、かつＣｕなどの金属に対するバリア性を有するといった利点を生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】膜堆積工程におけるコストダウンと安全性の向上
【解決手段】本発明は、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜、または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。方法は、ケイ素を含有する前駆体、炭素を含有する前駆体および化学修飾剤を使用することを含む。本発明は、また有機シラン前駆体および化学修飾剤を使用することを含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素膜、または窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる誘電率が小さく、かつ、ＣＭＰ（化学・機械的研磨）に耐え得る機械的強度を持ち、更には形成された膜の面内均一性が高く、かつ、ロット間でのバラツキが少ない膜を、緩い成膜条件（最適成膜条件の範囲が広く）で、かつ、容易に、形成することができる半導体装置（素子）における絶縁膜（誘電膜）を形成する為の膜形成材料及び膜形成方法を提供する。
【解決手段】膜を形成する為の材料であって、炭素数が４〜７個のシクロアルキル基を一つ、炭素数が１〜３個のアルキル基を一つ、及び、炭素数が１〜３個のアルコキシ基を二つ持つＳｉ化合物。 （もっと読む）

【課題】カバレッジが高く、絶縁耐圧が高いシリコン窒化膜を成膜する。
【解決手段】真空槽２内に配置された触媒体１１を加熱し、真空槽２内にＳｉ_nＨ_2n+2(ｎは１又は２)ガスと、ＮＨ₃ガスと、Ｈ₂ガスとを導入し、Ｓｉ_nＨ_2n+2ガスとＮＨ₃ガスとＨ₂ガスとを、加熱した触媒体１１に接触させて分解させてシリコン窒化膜を形成する。成膜時にＨ₂ガスが添加されているので、段差に対する被覆性（カバレッジ）が高く、特に、１０Ｐａ未満の低圧で形成すると、絶縁耐圧も高いシリコン窒化膜を得ることができる。 （もっと読む）

金属シリケート膜を形成する方法を提供する。当該方法は、基板を、ケイ素原料化学物質、金属原料化学物質、及び酸化剤の交互の且つ連続する気相パルスと接触させることを含み、金属原料化学物質は、ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物である。いくつかの実施形態による方法を使用して、基板表面上に実質的に均質な被膜率を有するシリコンリッチなハフニウムシリケート膜及びジルコニウムシリケート膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性に優れた絶縁膜を備えた半導体装置を製造する方法を提供すること。
【解決手段】希ガスと窒素と水素又は希ガスとアンモニアとを含み、シリコンを含まないガスであって、希ガスの含有量が５０％以上９９％以下のガスを真空容器内に供給すると共に、前記真空容器の上部に容器内部の載置台と対向して設けられると共に多数のスロットが形成された板状のスロットアンテナから当該真空容器内に高周波を供給することにより真空容器内のガスをプラズマ化し、このプラズマにより基板のシリコン層の表面を窒化してシリコン窒化膜を形成する。このようにすることで電子温度の低い高密度のプラズマを発生させることができるので電気的特性の良い絶縁膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物添加絶縁膜を化学気層成長させて成膜する際に、所望の不純物濃度が安定して得られるようにする。
【解決手段】チャンバー内に一種類または複数種類のプロセスガスを導入しつつ、高周波電力を印加してプラズマを発生させ、チャンバー内圧力を圧力制御バルブにより一定に制御し、前記チャンバー内の雰囲が安定した後に、前記圧力制御バルブの開度を一定に保持し、不純物含有ガスを導入する。これにより、不純物含有ガスを導入する成膜の初期段階における圧力安定性を高めることができ、所望の不純物濃度を安定に得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＣＮ膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスを供給する工程と炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う１サイクルを複数回繰り返して実行すると共に窒化ガスを供給する工程を適宜に行い、炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行う。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくできる。 （もっと読む）