【課題】電気的特性に優れた絶縁膜を備えた半導体装置を製造する方法を提供すること。
【解決手段】希ガスと窒素と水素又は希ガスとアンモニアとを含み、シリコンを含まないガスであって、希ガスの含有量が５０％以上９９％以下のガスを真空容器内に供給すると共に、前記真空容器の上部に容器内部の載置台と対向して設けられると共に多数のスロットが形成された板状のスロットアンテナから当該真空容器内に高周波を供給することにより真空容器内のガスをプラズマ化し、このプラズマにより基板のシリコン層の表面を窒化してシリコン窒化膜を形成する。このようにすることで電子温度の低い高密度のプラズマを発生させることができるので電気的特性の良い絶縁膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜の電気的な薄膜化を可能とする。
【解決手段】 水素濃度が５０％以下のＮ_２とＨ_２とを含む混合ガス雰囲気中で基板の温度を４００℃以上に保持しながら基板の下地酸化珪素膜にプラズマ窒化処理を施して下地酸珪素膜にゲート絶縁膜としての酸窒化絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｆを含むゲート絶縁膜とメタルシリサイドゲート電極とを含むＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を下げられる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 支持基板や他の基板を用いることなく、半導体ウエハに反りや割れ等の不具合が生じることを防止する。
【解決手段】 半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。半導体構造形成領域５から半導体ウエハ補強領域３にかけて、弾性率が連続的に変化している。半導体構造形成領域５の表面に半導体構造６を作りこむ工程と、半導体ウエハ１の裏面を研磨して半導体ウエハ１の厚み減じる工程を経て、半導体構造６を有する薄型の半導体ウエハ１を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めたゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１２を形成するステップは、シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層２１を形成する酸化膜形成ステップと、ＳｉＯ_２層の表面部分２１ａを窒化する窒化ステップと、シリコン単原子層を堆積するステップと、シリコン単原子層を窒化するステップとを順次に含み、表面部分を窒化したＳｉＯ_２層２１の表面にＳｉＮ層２２を形成する窒化膜形成ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板２１に形成されたｎチャネルＭＩＳトランジスタ１１及びｐチャネルＭＩＳトランジスタ１２を備えている。ｎチャネルＭＩＳトランジスタ１１は、第１のゲート電極１４Ａと、ｎ型ソースドレイン領域１６ｃと、第１のゲート電極１４Ａ及びｎ型ソースドレイン領域１６ｃの上面を覆う第１のプラズマ反応膜１８とを有している。ｐチャネルＭＩＳトランジスタ１２は、第２のゲート電極１４Ｂと、ｐ型ソースドレイン領域１６ｆと、第２のゲート電極１４Ｂ及びｐ型ソースドレイン領域１６ｆの上面を覆う第２のプラズマ反応膜１８とを有している。 （もっと読む）

【課題】 繰り返しプラズマ窒化処理を行なう場合においても、パーティクルの発生が抑制され、製品の歩留りを向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、ＡｒガスおよびＮ_２ガスを含む処理ガスを用い、処理圧力１５Ｐａ以下、マイクロ波パワー１５００Ｗ以上の条件で、プラズマ曝露環境下で使用される石英製部材に対し、５．３［ｅＶ］超のイオンエネルギーを有するプラズマにより表面処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】 基板上にシリコンと窒素を含む層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 層は、また、酸素を含んでもよく、酸窒化シリコンゲート誘電体層として用いることができる。一態様では、層を形成するステップは、シリコン基板を窒素と希ガスのプラズマに曝して、窒素を基板の上面に混入させる工程を含み、ここで、希ガスは、アルゴン、ネオン、クリプトン、又はキセノンである。層をアニールして、次いで、窒素のプラズマに曝して、より多くの窒素を層中に混入させる。次いで、層を更にアニールする。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン１３１及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極１１８を形成する。その後、ゲートライン１３１及びゲート電極１１８の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板１２０上にゲートライン１３１及びゲート電極１１８をカバーするゲート絶縁膜１２６を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜１２６上にデータライン１３３、データライン１３３に電気的に接続されるソース電極１１７、ソース電極１１７と離隔されて配置されるドレイン電極１１９、及びゲート電極１１８上でソース電極１１７とドレイン電極１１９との間に配置される半導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波電力等の放電条件を変えてもモードジャンプの発生を防止し、プラズマを安定して生成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 誘電体窓１０９とプラズマとの境界面を伝播し処理容器１０１の壁部１０１ａに入射する表面波を減衰させ、該壁部１０１ａからの表面波の反射を抑制する反射抑制手段を有する。反射抑制手段の一要素である減衰手段は、処理容器１０１によって支持される誘電体窓１０９が突出される誘電体窓１０９の段差部１０９ａと、テーパ状の形状を有する誘電体窓１０９の周縁部（テーパ状の部分）１０９ｂと、誘電体窓１０９の周縁部１０９ｂに隣接し表面波を減衰させる抵抗体２０２と、誘電体窓１０９の周縁部１０９ｂ及び抵抗体２０２と隣接する金属導体から成る処理容器１０１の壁部１０１ａとを有する。反射抑制手段は、さらに前記減衰手段を冷却する冷却手段２０３を有する。 （もっと読む）

【課題】基板（薄膜）に対して、基板を厚く（増膜）することなく、基板の表面に基板とは異なる物質を高濃度に導入することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、基板の表面に前記基板とは異なる物質を導入するプラズマ処理方法であって、導入される前記異なる物質が前記基板中を拡散しない状態を維持することができる時間を照射時間として、前記基板に前記プラズマを照射する照射ステップと、前記プラズマに含まれるイオンが完全に消滅し、且つ、前記基板の表面温度と前記基板の内部温度とが均熱化するまでの時間を非照射時間として、前記基板への前記プラズマの照射を停止する非照射ステップとを有し、前記照射ステップと前記非照射ステップとを繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 立体的形状を有するシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を、その部位によって区別して把握することが可能な窒素濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】 被測定基板表面に形成されたシリコン酸化膜を窒化処理して得られたシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を測定する窒素濃度の測定方法であって、シリコン酸窒化膜が形成された被測定基板を再酸化処理し、その再酸化レート減少率ＲＯＲＲを算出して検量線と照合することにより、被測定基板のシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を決定する、窒素濃度の測定方法。 （もっと読む）

【課題】窒化処理された高誘電体膜からの窒素原子の脱離を抑制する。
【解決手段】高誘電体膜の窒化処理後、３０秒以内に熱処理を行う。また枚様式処理装置において、被処理基板が窒化処理後、３０秒にないに熱処理されるように、被処理基板の搬送を制御する。 （もっと読む）

電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法を提供する。一実施形態において、前記方法は、自然酸化物層を除去するステップと、酸化物層を形成するステップと、酸化物層の上にゲート誘電体層を形成するステップと、ゲート誘電体層の上に酸化物層を形成するステップと、層と下に横たわる熱酸化物／シリコン接合部をアニールするステップとを含む。所望により、ゲート誘電体層を形成する前に、酸化物層を窒化してもよい。一実施形態において、基板上の酸化物層は、酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、酸素含有プラズマを用いてゲート誘電体層の少なくとも一部を酸化することによって形成される。他の実施形態において、ゲート誘電体層上の酸化物層は、熱酸化物層を形成することによって、即ち、ゲート誘電体層上に酸化物層を堆積させることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】膜特性が良好で窒化シリコン膜のリーク電流をさらに低減することを可能とする。
【解決手段】窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、この活性化された窒素原子を含むガスによりシリコン基板１００表面を窒化処理することにより、シリコン基板１００表面に窒化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法において、窒化処理時のシリコン基板１００の温度を６００℃以上とし、シリコン基板１００表面に厚さ４．０ｎｍ以上の窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化されたゲート絶縁膜として高誘電率材料が使用されている。しかしゲート絶縁膜として要求されるボロンもれの抑制、界面準位密度増加の抑制、固定電荷発生の抑制、リーク電流増加の抑制などの特性を満足するゲート絶縁膜が得られていないという問題がある。
【解決手段】 本発明におけるゲート絶縁膜の形成は、絶縁膜の表面側に窒素原子分率のピーク値を有する高誘電率膜に、プラズマ酸化を行う。プラズマ酸化はシリコン基板界面近くの絶縁膜中にその酸素原子分率のピーク値を有するように形成する。この形成方法によりシリコン基板界面側には窒素が存在しない、酸化膜のみの領域とする。さらに酸素と窒素の原子分率のピーク位置を異ならせることで高品質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ装置の製造方法は、層間絶縁膜２６にコンタクトホール２４を形成する工程と、コンタクトホール２４内にプラグ２０を形成する工程と、プラグ２０に対してトリメチルアルミニウムを反応させる工程と、トリメチルアルミニウムと反応したプラグ２０に対して酸化処理を行う工程と、酸化処理が行われたプラグ２０に対してアンモニアプラズマ処理を行う工程と、アンモニアプラズマ処理が行われたプラグ２０上に、自己配向性を有する導電材料を成膜して導電層を形成する工程と、導電層の上方に第１電極と、強誘電体層と、第２電極とを積層する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、誘電層を形成する方法、及びそれに関連するデバイスを提供する。
【解決手段】 誘電層は、中間の厚さまで誘電層を沈着することによって、かつ中間の厚さの誘電層に窒化処理を適用することによって形成されてよい。次いで、誘電層は最終的な所望の厚さまで沈着されてよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。
【解決手段】シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】オゾンＴＥＯＳ膜をＣＶＤ装置で成膜する場合に、高い成膜レートを安定して確保すると共に、均一性良く良好な膜質のオゾンＴＥＯＳ膜の成膜を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、配線構造が形成された半導体基板上にプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を成膜する第１の層間絶縁膜形成工程と、該第１の層間絶縁膜形成工程により成膜したプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の表面改質のためのプラズマ処理を行う表面改質工程と、該表面改質工程により表面の改質が行われたプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の上にオゾンＴＥＯＳ膜を成膜する第２の層間絶縁膜形成工程とを有し、さらに、前記表面改質工程において、表面改質のためのプラズマ処理を行う前に、該プラズマ処理を行う装置内に堆積した堆積物の除去を行う。 （もっと読む）