【課題】成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Hf原子およびSi原子を含む原料ガスを処理雰囲気に供給し、原料ガス成分を基板の処理表面に吸着させて、Hf原子およびSi原子の層を形成する工程(S101)と、不活性ガスによるパージ工程(S102)と、酸化性ガスを処理雰囲気に供給し、基板の処理表面に吸着した原料ガス成分と反応させてO原子の層を形成する工程(S103)と、不活性ガスによるパージ工程(S104)とを有し、工程（S101）から工程（S104）までを繰り返すALD法を用いた薄膜の形成方法である。そして、工程（S104）と工程（S101）の間に、酸素含有ガスを処理雰囲気に供給し、薄膜中の不純物を酸化する工程(S105)と、不活性ガスによるパージ工程(S106)とからなる不純物除去工程を挿入する薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は概して、基板上の高誘電率誘電体膜のための界面層を成膜する方法を供する。前記基板表面は、紫外（ＵＶ）放射線によって誘起される第１プロセスガスの分解によって生成される酸素ラジカルに曝露される。第１プロセスガスは表面上に酸化膜を形成する酸素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。酸化膜は、プラズマによって誘起される第２プロセスガスの分解によって生成される窒素ラジカルに曝露される。第２プロセスガスは窒素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。窒素は複数のスリットを有する平面アンテナ部を介するマイクロ波照射に基づくプラズマに用いられ、それによって酸化膜を窒化しかつ界面層が形成される。高誘電率誘電体層は前記界面層上に形成される。

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【課題】 第１の活性領域には第１のゲート絶縁膜を、第２の活性領域には第２のゲート絶縁膜をそれぞれ分けて形成するに際して、エッチングによる表面損傷を回復させてトランジスタの十分な電気特性を得るとともに、設計自由度を拡張させて装置の更なる高集積化を可能とする。
【解決手段】 第２のゲート絶縁膜１０２の被加工端部１０２ａが第１のゲート絶縁膜１０１の被加工端部１０１ａと一部重畳するようにパターニングする（図２（ａ））。そして、第１及び第２のゲート絶縁膜１０１，１０２が上記のように一部重畳した状態で、表面回復処理を行う（図２（ｂ））。 （もっと読む）

本発明は概して、基板上に酸窒化膜を成膜する方法を供する。基板表面は、紫外（ＵＶ）放射線によって誘起される第１プロセスガスの分解によって生成される酸素ラジカルに曝露される。第１プロセスガスは表面上に酸化膜を形成する酸素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。酸化膜は、プラズマによって誘起される第２プロセスガスの分解によって生成される窒素ラジカルに曝露される。第２プロセスガスは窒素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。窒素は複数のスリットを有する平面アンテナ部を介するマイクロ波照射に基づくプラズマに用いられ、それによって酸化膜を窒化しかつ酸窒化膜が形成される。
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本発明により、特定量の窒素を混入する必要がある、極薄の絶縁層を形成する技術が提供され、窒素を混入する間および／または後に酸化プロセスが実施されることから、基板表面全体に及ぶ窒素の変動による影響が低減されうる。窒素の変動により、窒素濃度に依存した酸化率がもたらされ、その結果、絶縁層の窒素濃度に依存した厚みの変動がもたらされる。特に、ゲート絶縁層として薄い絶縁層を含むトランジスタのしきい値の変動が効果的に低減されうる。
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【課題】銅配線と、その上部の接続プラグとのコンタクト箇所の信頼性を向上させる。
【解決手段】ＣｏＷＰからなるキャップメタル３４の上部に、キャップメタル窒化層３５を設ける。キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。キャップメタル３４の膜厚に対するキャップメタル窒化層３５の膜厚の比は、たとえば０．１〜１とする。また、ＳｉＯＣ膜１４ａの上には、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化したＳｉＯＣＮ層１６が形成されている。ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が偏析した領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】 NBTI耐性に優れた2 nm以下のラジカル窒化酸化膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 酸化膜の表面側にSi₃≡N結合の状態にあるNが3 原子%以上，界面側に0.1原子%以下の濃度で存在させることにより，B拡散の防止と，NBTI耐性の劣化を防止両立させる。Ar/N₂ラジカル窒化を用いた場合，上記結合状態にあるNの濃度を，表面側3 原子%以上，界面側0.1 原子%以下を同時に満たすことは困難であるが，Xe/N₂, Kr/N₂, Ar/NH₃， Xe/NH₃, Kr/NH₃, Ar/N₂/H₂, Xe/N₂/H₂, Kr/N₂/H₂のいずれかのガスの組み合わせを用いることにより，上記N濃度分布を実現可能とする。 （もっと読む）

ゲート誘電体（１４）が窒化工程（１６）及びアニールによって処理される。この後、追加の窒化工程（２０）及びアニールを行なう。第２の窒化工程（２０）及びアニールによって、最終的に形成されるトランジスタ（６０）のゲートリーク電流密度と駆動電流との関係が改善される。
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【課題】分子層の吸着および酸化を交互に繰り返す基板処理装置において、前記酸化処理をプラズマ励起されたラジカルにより行うことにより、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、およびかかる基板処理装置を使った基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、被処理基板を保持する基板保持台を備えた処理容器と、前記処理容器中において前記基板保持台の第１の側に形成された処理ガス導入口と、前記処理容器の、前記基板保持台に対して前記第１の側とは異なる第２の側に形成されたラジカル源と、前記処理容器中において前記第１の側に形成された第１の排気口と、前記処理容器中において前記第２の側に形成された第２の排気口と、前記第１の排気口に第１の可変コンダクタンスバルブを介して結合され、前記第２の排気口に第２の可変コンダクタンスバルブを介して結合された排気系とよりなる。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）

窒素を含む誘電体膜を形成する方法。本方法は、窒化物形成ガスと急速加熱アニールプロセスを用いて窒素を誘電体膜に取込むことを含み、ここで、急速加熱アニールプロセスに約１０Ｔｏｒｒ以下の超低圧が用いられる。
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【課題】 窒化酸化物層を有する半導体デバイスおよびこのための方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板（１２）と、この基板（１２）の表面上の第１の絶縁層（１４）と、この第１の絶縁層（１４）の表面上のナノ結晶（１３）の層と、このナノ結晶（１３）の層上の第２の絶縁層（１５）を含む。この第２の絶縁層（１５）を窒化雰囲気にさらすことで、この基板（１２）の上に第３の絶縁層（２２）が形成されるときに起こり得るさらなる酸化に対する障壁が形成される。この第２の絶縁層（１５）の窒化によって、これらナノ結晶の酸化あるいは収縮および第１の絶縁層（１４）の厚さの増加とが、この半導体デバイス（１０）の製造に対するプロセスの工程の複雑化を招くことなく防止される。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台からの輻射熱に磁石がさらされても、磁石の高温化を回避して、所定の磁場を安定して得ることができるようにする。
【解決手段】 反応室内に基板を載置する基板載置台が設けられ、この基板載置台に基板を加熱するヒータが埋め込まれる。反応室の外周囲に筒状電極２１５が配設される。この筒状電極２１５の外周囲に接して磁石２１６が配置される。筒状電極２１５に冷却媒体を流す流路１０６が形成される。また少なくとも外周囲に筒状電極２１５および磁石２１６が配置されている部位に対応する反応室の壁は石英で構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供することにその目的がある。
【解決手段】本発明は、保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、マスクの数を低減し、製造費用を低減することができ、及び、データパッドをゲート金属パターンとデータ金属パターンのジャンピング構造で形成することによって、データパッドのオープンによる電食を防止することができる、薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、製造費用を低減することができる薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲートラインと接続されたゲート電極と、ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと接続されたソース電極と、ソース電極とチャネルを介して対向するドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極間のチャネルを形成する半導体層と、画素領域に位置しドレイン電極と接触形成された画素電極と、半導体層のチャネル上に形成されるチャネル保護膜と、ゲートラインから延長されたゲートパッド下部電極を備えたゲートパッドと、データラインと分離形成されたデータパッド下部電極を備えたデータパッドとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トンネル酸化膜の膜質のさらなる向上や、フローティングゲートにおけるデータ保持特性等のメモリ特性のさらなる向上を達成することができる不揮発性メモリ素子のトンネル酸化膜の窒化処理方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリ素子におけるトンネル酸化膜１０２に窒化処理を施すに際し、窒素ガスを含む処理ガスを用いたプラズマ処理により、トンネル酸化膜の表面部分に窒化領域１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 緻密性の高いシリコン窒化物層を高速で形成することができるシリコン窒化物層の形成方法を提供する。
【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下で電極とシリコンウエハの表面との間に流入させた窒素含有ガスのプラズマを生成し、シリコンウエハの表面から底面にかけて温度勾配を形成した状態でプラズマをシリコンウエハの表面と接触させることによりシリコン窒化物層を形成するシリコン窒化物層の形成方法である。ここで、窒素含有ガスは、窒素ガスと希ガスと水素ガスとの混合ガス、またはアンモニアガスと希ガスと水素ガスとの混合ガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化膜に対してプラズマ窒化処理し，その後アニール処理して絶縁膜を形成するにあたり，膜厚の増大を抑えて，ＯＮ電流特性を劣化させず，しかもＮＢＴＩ特性の劣化を抑えることのできる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上の酸化膜に対してプラズマ窒化処理し，その後当該基板を処理容器５１内でアニール処理して絶縁膜を形成する方法において，６６７Ｐａ以下の低圧力の下でアニール処理を行う。アニール処理は５秒〜４５秒間行われる。プラズマ窒化処理の際には，多数の透孔が形成されている平板アンテナを用いたマイクロ波プラズマによってプラズマ窒化処理する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２ステップでの成膜温度と圧力を同一とし、成膜温度を５１０℃以下の低温とし、圧力を７０Ｐａ以下、ＲＦパワーを０．１ＫＷ以上とすることでフラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性の絶縁膜が得られる。これらの好適な絶縁膜を備えた半導体装置が得られる。 （もっと読む）

本発明は，半導体基板の表面に対してマイクロ波を利用したプラズマにより，プラズマ酸化処理とプラズマ窒化処理とを同時に行い，さらに必要に応じて，上述のようなプラズマ酸窒化処理による絶縁膜形成の後，当該絶縁膜に対してさらにプラズマ窒化処理を行う。これによって，電気的特性が良好な絶縁膜（シリコン酸化膜）を形成することができる。
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