【課題】プラズマ窒化方法において、絶縁膜へのダメージを低減する。
【解決手段】ウエハの半導体層上に形成された第１の絶縁膜をＮ（窒素）を含むプラズマに暴露し、Ｎ原子を第１の絶縁膜に導入して、第２の絶縁膜を形成する。その際、Ｎを含むプラズマ内にイオンが断続的に生じるように、プラズマ発生用の電力を印加する。Ｎを含むプラズマへの電力供給を周期的に変化させることで、ラジカル粒子の供給を長時間維持しつつ、イオンの存在時間を制限することができる。イオンによる絶縁膜中のダメージの発生を抑制することにより、絶縁膜の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の垂直方向より水平方向により厚くシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜が形成される異方性酸化又は異方性窒化を行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、側壁部及び底部を有する素子分離溝を形成する工程と、マイクロ波、高周波、又は電子サイクロトロンのいずれかによって発生したプラズマに含まれる酸化性イオン、又はプラズマに含まれる窒化性イオンを、半導体基板１に所定電圧を印加して素子分離溝の側壁部及び素子分離溝の底部に供給し、素子分離溝の側壁部及び素子分離溝の底部に対して異方性酸化を行う、又は異方性窒化を行う工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２００上にHigh-kゲート絶縁膜３０を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３０を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜３０を窒化する工程と、前記High-kゲート絶縁膜３０上に電極３２を形成する工程と、前記電極３２を囲むように絶縁層３４を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 第一の処理部にて、シリコン基板上にHigh-kゲート絶縁膜を形成する工程と、シリコン基板を第二の処理部に搬入する工程と、前記ゲート絶縁膜を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜を窒化する工程と、 前記窒化された基板を前記第二の処理部でアニール処理する工程とを有する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に適用される比較的膜厚の厚い絶縁膜中の水素濃度を大幅に低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数のメモリセルトランジスタが設けられる。ｎ型拡散層７、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）２、及び絶縁膜６上と、側壁絶縁膜８の側面とには積層シリコン窒化膜９が形成される。メモリセルトランジスタのゲートの周囲に積層シリコン窒化膜９が設けられる。積層シリコン窒化膜９は、例えば膜厚が略１００ｎｍであり、ｎ層のシリコン窒化膜から構成される。ｎ層のシリコン窒化膜の膜厚は、それぞれ３ｎｍ以下に設定される。ｎ層のシリコン窒化膜は、それぞれ膜中の水素結合がプラズマ処理で置換され、水素が離脱され、膜中の水素濃度が大幅に低減されたシリコン窒化膜である。 （もっと読む）

【課題】横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。
【解決手段】ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】十分なＥＭ耐性および配線間ＴＤＤＢ寿命を確保しつつ、層間絶縁膜の低誘電率化を行っても絶縁膜ライナー膜厚を薄くすることができ、配線間の実効比誘電率Ｋｅｆｆを低減した高速で高信頼性な配線を得ることができる。
【解決手段】第１の絶縁膜１には配線溝Ｍ１が形成されており、配線溝Ｍ１内にはＣｕ膜２ｂが設けられている。Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。ＳｉＣＯ膜３ｂの上面には、高密度化処理が施されて高密度膜３ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を減少させることのできる絶縁膜を提供することを可能にする。
【解決手段】金属と、水素と、窒素とを含む非晶質の酸化物誘電体膜を有し、前記酸化物誘電体膜内の前記窒素の含有量［Ｎ］および前記水素の含有量［Ｈ］は、
｛［Ｎ］−［Ｈ］｝／２≦１．０×１０^２１ｃｍ^−３
を満たす。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して前記被処理体の表面にシリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜処理を行うようにした成膜方法において、前記シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、少なくとも前記成膜処理の初期の一定の期間及び／又は末期の一定の期間を除いて前記窒化ガス供給工程ではプラズマを立てるようにする。これにより、被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｈｆ等の金属の拡散の制御が容易で、所要の膜厚を持つ絶縁膜を生産性良く形成することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２を形成する第１工程と、シリコン酸化膜１０２の表面にイオン１０３を照射してシリコン酸化膜の表層部をＳｉ−Ｏ結合の切断された反応促進層１０４とする第２工程と、非酸化性雰囲気中においてスパッタにより反応促進層１０４の上に金属膜１０５を堆積し、反応促進層１０４を金属シリケート膜１０６にする第３工程と、金属膜１０５をラジカル酸化により酸化すると共に金属膜１０５からシリコン酸化膜１０２へと金属を拡散させ金属シリケート膜１０７を形成する第４工程と、金属シリケート膜１０７をラジカル窒化により窒化する第５工程を有する。イオンの入射エネルギーは、２ｅＶ以上且つ２０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、低ＥＯＴと低界面準位が両立できる絶縁膜を形成する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。第２工程において、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化する際にＨｆ−Ｓｉ膜に近紫外光を照射し、Ｓｉ基板の表層部を酸化してＳｉＯ_２膜１０４を形成する。近紫外光の波長は２２０〜３８０ｎｍである。近紫外光の光源として、Ｋｒ_２エキシマランプ、ＫｒＦエキシマランプ、ＸｅＣｌエキシマランプまたはＸｅＦエキシマランプを用いる。第２工程では、プラズマ励起、光励起またはオゾン供給を用いて活性化された酸素を用いてＨｆ−Ｓｉ膜を酸化する。 （もっと読む）

【課題】
活性窒素導入による特性改善効果を更に向上する。
【解決手段】
半導体基板の活性領域上に酸化膜を形成し、酸化膜の表面側から活性窒素を導入して酸化膜を窒化処理して窒化酸化膜にし、その後、半導体基板をＮ_２Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理し、次に、半導体基板をＮＯガスを含む雰囲気中で熱処理し、その後窒化酸化膜上に、ゲート電極用のシリコン膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上のＳｉＯ₂膜の窒化において、Ｎラジカルの生成効率が高く、かつＮ₂⁺ラジカルの生成効率が低減することにより、ＳｉＯ₂表面を充分窒化し、かつＳｉＯ₂／Ｓｉ界面の窒化を防止し、トランジスタの閾値電圧のシフトを防止した半導体装置の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造装置は、Ｎ₂⁺のＳｉ基板上ＳｉＯ₂膜への到達を防止し、ＳｉＯ₂／Ｓｉ界面の窒化を防止するものであり、第１の態様として、処理室と、ラジアルラインスロットアンテナと、第１ガスを導入する第１ガス導入口と、第２ガスを導入する第２ガス導入口とを少なくとも備える半導体装置の製造装置であって、処理室に、負に帯電した金属製のイオン除去プレートを備え、第１ガス導入口と第２ガス導入口とが、処理室に設けられ、第１ガスがイオン除去プレートを通過した後、第２ガスと混合される位置に設けられる半導体装置の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ＡＰＭ洗浄による側壁絶縁膜のエッチングレートを低減させることができる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ装置において、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタの大きさを平衡させる。
【解決手段】 シリコン基板の（１００）面上に他の結晶面を有する構造を形成し、かかる構造上にマイクロ波プラズマ処理により、高品質なゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成する。その際、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタのキャリア移動度が平衡するように、前記構造の寸法・形状を設定する。 （もっと読む）

【課題】消去飽和について改善したイミュニティを備えた不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリデバイスは、第２絶縁膜（ポリシリコン間あるいはブロック絶縁膜）の上部にある制御ゲートを備え、第２絶縁膜と接触している制御ゲートの少なくとも下部層は、所定の高い仕事関数を有し、完全なデバイス製造後に、ある高誘電率材料のグループと接触した場合、その仕事関数を低減する傾向を示す材料で構築される。第２絶縁膜の少なくとも上部層は、制御ゲートの下部層を第２絶縁膜の残りから隔離するものであって、制御ゲートの下部層の材料の仕事関数の低減を回避するために、該グループ外で選ばれた所定の高誘電率材料で構築される。製造方法において、上部層は、制御ゲートを設ける前に、第２絶縁膜の中に作成される。 （もっと読む）

【課題】 窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板の表面上に、シリコンと酸素とを含む絶縁膜を形成する。（ｂ）前記絶縁膜を活性窒素雰囲気に晒し、該絶縁膜に、その表面側から窒素を導入する。（ｃ）前記工程（ｂ）の後、酸素原子含有ガス中で熱処理を行う。（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｂ）と工程（ｃ）とを、この順番に少なくとも１回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】処理レートが速いプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理空間１を形成する金属製処理容器２と、処理空間１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、金属製処理容器２の側壁を処理空間１から遮蔽し、下端が基板載置台３の被処理基板載置面よりも下方に延びる石英製部材４ａと、石英製部材４ａの底面と金属製処理容器２の底壁２ｂとの間に設けられた、金属製処理容器２の底壁２ｂを、処理空間１から遮蔽する環状の石英製部材６と、基板載置台３の外周近傍から処理空間１に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、窒素とシリコンとを含む第１の絶縁膜を形成する。（ｂ）第１の絶縁膜を還元性雰囲気に晒す。（ｃ）工程ｂの後、第１の絶縁膜を窒化性雰囲気に晒す。 （もっと読む）