【課題】 構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、窒素とシリコンとを含む第１の絶縁膜を形成する。（ｂ）第１の絶縁膜を還元性雰囲気に晒す。（ｃ）工程ｂの後、第１の絶縁膜を窒化性雰囲気に晒す。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理において、その終点を精度よく検出する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、チャンバー１内でプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、被処理体（ウエハＷ）へ向けて移動するプラズマ中の活性種の粒子数の積算値を計測する計測部６０と、計測された粒子数の積算値が設定値に達した場合に、プラズマ処理を終了させるように制御する制御部５０と、を備えている。計測部６０は、光源部６１から所定のレーザー光をプラズマへ向けて照射し、ＶＵＶモノクロメーターを備えた検知部６３で受光することにより活性種の粒子数を測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜が形成された基板を処理室内に搬入するステップと、前記処理室に接続されたプラズマユニットによるプラズマによって活性化した窒素原子を含むガスを前記処理室内に供給して前記高誘電率膜に対してプラズマ窒化処理を施すステップと、前記処理室内に成膜ガスを供給して前記プラズマ窒化処理後の高誘電率膜上に電極膜を形成するステップと、前記電極膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、前記プラズマユニットによるプラズマによって活性化したクリーニングガスを前記処理室内に供給して前記処理室内をクリーニングするステップと、を有する。
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【課題】低リーク電流、高移動度の半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上にシリコン酸化膜、第一のハフニウム含有窒化シリケート膜、第二のハフニウム含有窒化シリケート膜が順次積層されたゲート絶縁膜、および金属シリサイド電極が積層されたゲート構造を含むＭＩＳＦＥＴを有し、前記第一のハフニウム含有窒化シリケート膜中のハフニウム原子濃度が５〜１０％であり、窒素原子濃度が５〜１０％であり、前記第二のハフニウム含有窒化シリケート膜中のハフニウム原子濃度が５０〜６０％であり、窒素原子濃度が２０〜４５％であり、前記ゲート絶縁膜の膜厚が１．８〜３．０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】空気の層に基づくパッシベーションの膜の不整合性による不連続性の問題を解決し、高耐圧特性に優れたトランジスタの提供を課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物からなる半導体層と、その上に、ソース／ドレイン電極と、両サイドを前記ソース/ドレイン電極に挟まれ、かつゲート電極を備えるＩＩＩ−Ｖ族窒化物からなる半導体よりも高い誘電率を有する誘電体膜とが形成されており、前記ゲート電極が、前記誘電体膜の一部を窒化したものであり、さらにセカンドメタルで被覆されていることを特徴とするヘテロ接合電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に不純物ドーピング酸化膜ライナが形成されているＳＴＩ構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域１０２に接するようにトレンチの内壁を覆う側壁ライナ１３０と、側壁ライナ１３０上に形成された不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａと、トレンチを埋め込むギャップフィル絶縁膜１５０とを備える半導体素子である。不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａを形成するために、側壁ライナ１３０上に酸化膜ライナを形成した後、プラズマ雰囲気下で酸化膜ライナに不純物をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が備えるゲート電極の側壁膜の膜厚のばらつきを抑制するとともに側壁膜の表面の平坦性を向上させることにより、半導体装置の性能等の向上を図り得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を含有する浮遊ゲート電極３と制御ゲート電極１０との間に電極間絶縁膜４を挟んでなるとともにトンネル絶縁膜２を介して半導体基板１上に設けられた少なくとも１個のゲート構造１３に対して第１の加熱処理を施す。この第１の加熱処理が施されたゲート構造１３を有する半導体基板１の表層部に向けて不純物を注入した後、ゲート構造１３を覆って不純物無添加の非単結晶シリコン膜１８を設ける。この非単結晶シリコン膜１８を覆ってさらに絶縁膜１９を設けた後、この絶縁膜１９により覆われた非単結晶シリコン膜１８およびゲート構造１３に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム基板上にシリコン酸化物やシリコン酸窒化物などの誘電層を堆積するための方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム基板上に誘電層を形成する場合のゲルマニウム基板の酸化を防止するためにゲルマニウム基板上にバリア層を堆積するステップ１３０を伴う。特定の実施形態において、シリコン層がゲルマニウム基板上に堆積されてバリア層を形成する。特定の実施形態において、ゲルマニウム基板の窒化が、バリア層として機能するＧｅ_ｘＮ_ｙ層を形成する。特定の実施形態において、窒化シリコン層がゲルマニウム基板上に堆積されてバリア層を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜とシリコン基板のシリコン表面との間の窒素濃度の制御を可能とし、この間にリーク電流に対応する窒素濃度の境界膜を形成する。
【解決手段】プラズマ窒化によってシリコン基板１０の表面にシリコン窒化膜１４を形成するプラズマ窒化工程と、プラズマ酸化によって前記シリコン窒化膜１４の表面にシリコン酸化膜２０を形成することにより当該シリコン酸化膜２０とシリコン基板１０のシリコン表面との間に、シリコン窒化膜からなる境界膜２１を形成するプラズマ酸化工程と、を含み、前記プラズマ窒化工程では前記シリコン酸化膜分の厚みに前記境界膜分の厚みを加えた膜厚のシリコン窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とゲート絶縁膜との界面の窒素濃度の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された酸素を含んだ絶縁膜をプラズマ窒化する工程(S102)において、連続して実行するプラズマ窒化処理を、１００マイクロ秒以上の間隔をあけて２回以上行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化処理によりゲート電極膜を形成するプロセスにおいてシリコン基板中に拡散した窒素元素量を簡便に測定する方法を提供し、さらにデバイス特性に与える影響の小さいプラズマ窒化プロセスによるゲート電極膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上のシリコン酸化膜を除去し、それにより露出したシリコン基板表面の窒素元素量をＸＰＳにより測定することで、シリコン基板中の窒素元素量を測定する。ゲート電極膜の形成にあたっては、プラズマ窒化処理後かつ熱処理前の前記シリコン基板中の窒素元素量をＭ₁、熱処理後のシリコン基板中の窒素元素量をＭ₂としたとき、Ｍ₂／Ｍ₁が２以下となる条件で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】窒素がシリコン酸化膜の内部にまで大量に導入せずまた、ダングリングボンドが発生するのを防止するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜が形成された前記シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン酸化膜上に窒素ガスを導入してプラズマを生成して該プラズマ処理する工程と、前記シリコン酸化膜の上部を前記プラズマにより窒化して、該シリコン酸化膜の上部をシリコン窒化膜に変化させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１表面に、シリコン酸化膜１１又はシリコン酸窒化膜からなる第１ゲート絶縁膜１０を形成した後、第１ゲート絶縁膜１０をプラズマ窒化処理する。次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、窒素酸化物ガス又は窒素酸化物を含むガス中で熱処理する（第１熱処理工程）。次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、不活性ガス又は真空中で、第１熱処理温度よりも高温で熱処理する第２熱処理工程を行なう。その後、第１ゲート絶縁膜１０上に、気相堆積法を用いてシリコン窒化膜からなる第２ゲート絶縁膜１２を堆積する。第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 （もっと読む）

【課題】膜中における窒素原子の分布を最適化できる酸化膜の窒化方法を提供する
【解決手段】基板処理方法は、１ｎｍを超える厚さの酸化膜を有するシリコン基板を処理容器内に準備する工程と、前記処理容器内にＡｒと窒素を供給して、該処理容器内にプラズマを形成する工程と、前記酸化膜を、前記プラズマ中において励起された窒素ラジカルあるいは窒素イオンに曝露し、前記酸化膜中に窒素原子を導入する工程と、を備え、前記酸化膜中に窒素原子を導入する工程は、前記処理容器内が６０Ｐａ以下の処理圧力下で前記酸化膜を前記窒素ラジカル又は窒素イオンに曝露することにより、窒素を前記酸化膜に導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体の部品として石英ガラス等が用いられる場合に、Naの発生を低減するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 正イオンかつ可動イオンとなる不純物元素を含む誘電体部品と、一部が前記誘電体部品を用いて封止された真空容器と、前記真空容器内にガスを導入し、前記真空容器の内部の圧力を調整する手段と、前記誘電体部品を介して電磁波を前記真空容器の内部に放射する手段と、被処理体を保持する手段と、を有し、前記真空容器の内部でプラズマを発生させ、前記プラズマを用いて前記被処理体の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記誘電体部品の前記プラズマが接する面と反対側に電極を設置し、前記電極に前記誘電体部品とプラズマが接する面のフローティング電位より負の直流電位を印加することによりNaの発生を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の窒化処理において、電気特性の良い半導体を製造する基板処理装置及び基板処理装置における半導体製造方法を提供することを目的とする。また、生産効率の良い基板処理装置及び基板処理装置における半導体製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を処理する処理室と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、基板を加熱する加熱部と、ガス供給部と、第１の工程として供給された窒素含有ガスをプラズマ生成部によりプラズマ化し、さらに加熱部により基板を加熱し、第２の工程としてプラズマ生成を停止し、さらに基板温度を４５０℃以上で加熱する制御部を有する基板処理装置、基板処理装置における半導体製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタのそれぞれが最適な特性のゲート絶縁膜を有し、駆動力及び信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２とを備えている。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１は、第１のゲート絶縁膜３１と第１のゲート電極３２とを有している。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２は、第２のゲート絶縁膜４１と第２のゲート電極４２とを有している。第１のゲート絶縁膜３１及び第２のゲート絶縁膜４１は酸窒化シリコンからなり、第１のゲート絶縁膜３１の窒素濃度プロファイルと、第２のゲート絶縁膜４１の窒素濃度プロファイルとは互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】配線間絶縁膜からビア間絶縁膜への水分の移動を抑制し、配線間の実効誘電率に与える影響の少ない絶縁膜を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置１は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線２ｂと、前記配線２ｂと同じ層に形成された配線間絶縁膜４ｂと、前記配線２ｂの下面に接続された第１のビア７ａと、前記第１のビア７ａと同じ層に形成された第１のビア間絶縁膜８ａと、前記配線２ｂの上面に接続された第２のビア７ｂと、前記第２のビア７ｂと同じ層に形成された第２のビア間絶縁膜８ｂと、前記配線間絶縁膜４ｂと前記第１のビア間絶縁膜８ａとの間、および前記配線間絶縁膜４ｂと前記第２のビア間絶縁膜８ｂとの間の少なくともいずれか一方に形成されたＣｕＳｉＮ膜９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】例えばゲート絶縁層として用いる場合に特性の良好な絶縁層を形成することができる絶縁層の形成方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗの表面に絶縁層を形成する方法において、前記被処理基板の表面に露出するシリコンを窒化処理して前記シリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成する第１の窒化工程と、前記シリコン窒化膜が形成された被処理基板をＮ_２ Ｏ雰囲気中で、且つ圧力を５０〜７０Ｔｏｒｒ（６６６５〜９３３１Ｐａ）の範囲内に維持した状態で熱処理してシリコン酸窒化膜４を形成する第１のアニール工程と、を有する。これにより、例えばゲート絶縁層として特性の良好な絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に設けられ、前記シリコン酸化膜よりも誘電率が高い金属シリケート絶縁膜と、前記金属シリケート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記金属シリケート絶縁膜における、前記ゲート電極と接する側の金属元素の組成比率が、前記シリコン酸化膜と接する側の金属元素の組成比率よりも低い。 （もっと読む）