【課題】安定した特性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に設けられ、前記シリコン酸化膜よりも誘電率が高い金属シリケート絶縁膜と、前記金属シリケート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記金属シリケート絶縁膜における、前記ゲート電極と接する側の金属元素の組成比率が、前記シリコン酸化膜と接する側の金属元素の組成比率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 膜厚１．２ｎｍ以下の薄いＳｉＯ_２膜であっても増膜を抑えつつ、より高濃度に窒素を導入する。
【解決手段】 基板表面に形成されたシリコン酸化膜中に窒素を導入して該シリコン酸化膜を窒化する方法において、被処理膜の法線に対して５０°以上の角度を持って窒素イオンを照射する工程と、イオン照射量以上の窒素原子を照射する工程とを、同時または交互に行う。 （もっと読む）

【課題】銅含有金属膜の表面にＳｉを導入し、その部分を窒化してＣｕＳｉＮバリアを形成する技術を採用する際に、層間絶縁膜へのダメージおよび大気開放による水分吸着の生じ難い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程と、銅含有金属膜の表面をラジカルまたは熱化学的手法により清浄化処理する工程と、銅含有金属膜の表面にＳｉを導入する工程と、銅含有金属膜のＳｉが導入された部分をラジカルにより窒化する工程とによって半導体装置を製造する際に、清浄化処理工程、Ｓｉ導入工程、および窒化工程を真空を破ることなく連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】同じ品質ないし特性の酸窒化膜を安定して形成する。
【解決手段】処理容器１１の処理室１４に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えたＭＭＴ装置を使用してウエハ１に酸窒化膜を形成する方法において、酸素ガスＧｏを単独で処理室１４に供給した雰囲気で、高周波電力を印加してプラズマを着火させ、プラズマが安定する期間Ｔの経過後に、窒素ガスＧｎを供給してプラズマを維持しつつ、ウエハ１に酸窒化膜をプラズマ処理する。着火が毎回安定して起こる酸素ガス単独雰囲気によってプラズマを生成させた後に、窒素ガスを供給することにより、酸素ガスと窒素ガスとの混合雰囲気であっても、毎回、安定したプラズマを生成できるので、同じ品質ないし特性の酸窒化膜を安定して形成できる。
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【課題】強誘電体キャパシタの疲労特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＺＴ膜２４ａの形成では有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を採用し、その厚さを約５ｎｍとする。ＰＺＴ膜２４ｂの形成でもＭＯＣＶＤ法を採用し、その厚さを約９５ｎｍとする。但し、ＰＺＴ膜２４ａの組成とＰＺＴ膜２４ｂの組成とを比較すると、ＰＺＴ膜２４ｂの組成において、Ｔｉ含有量が少なく、Ｚｒ含有量が多くなるように、原料ガスの供給量を調整する。ＰＺＴ膜２４ｃの形成では、例えば化学溶液堆積（ＣＳＤ）法を採用し、その厚さを約２０ｎｍとする。但し、ＰＺＴ膜２４ｃ中のＰｂ含有量が、ＰＺＴ膜２４ａ及び２４ｂよりも、化学量論組成に近くなるよう、原料ガスの供給量を調整する。例えば、Ｚｒ含有量及びＴｉ含有量の総和と同程度とする。 （もっと読む）

【課題】 電流駆動力が大きく、誘電率の大きなシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜を作る。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン酸化膜の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜をアニールして単結晶シリコン膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集積回路向けの高品質な高Ｋ誘電体を得ることである。
【解決手段】方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。回路は、非クリティカル・デバイスと、この非クリティカル・デバイスの部分として形成された酸化物とを含む。この回路内のクリティカル・デバイスの部分として、基板の上に高Ｋ誘電材料が形成される。この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。第２の方法は、最初の材料として窒化物または酸窒化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を形成するためのウエハ表面の窒化にあたり、基板主面と平行な面方向及び交差する面方向の何れについても同様な窒化速度を得る。
【解決手段】窒化処理チャンバー２２内に複数のウエハ２３を収容する。プラズマ生成チャンバー２１内に反応ガスとしてＮ_２ガス及びＮＨ_３ガスを供給し、プラズマ２４を発生させる。また、窒化処理チャンバー２２の下流で真空ポンプによる排気を行い、プラズマ生成チャンバー２１内で生成された窒素ラジカルを窒化処理チャンバー２２内に流す。これにより、ウエハ表面に窒素ラジカルを供給して窒化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高誘電体膜の電気的な特性を向上させる事ができる非揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フローティングゲート１０４とコントロールゲート１２２間誘電体１２０として、酸化膜１０８，１１６の間に高誘電絶縁膜１１２を含む高誘電体膜を形成し、高誘電絶縁膜の上部及び下部、またはフローティングゲートの上部及びコントロールゲートの下部に窒素含有絶縁膜１０６，１１０，１１４，１１８を形成することにより、酸化膜と高誘電絶縁膜との間、または酸化膜とフローティングゲートまたはコントロールゲートとの間の界面反応を抑制し、高誘電体膜の誘電率、漏洩電流、絶縁破壊電圧及び電荷保存特性などの電気的な特性を向上させ、高性能及び高信頼性の高誘電体膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。
【解決手段】ケイ素を主成分とするウエハＷを処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材ＲＬＳＡを介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いてウエハＷ表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の端部において発生するゲートリーク不良を低減し、ゲート耐圧が改善された薄膜トランジスタとその作製方法を提供する。
【解決手段】側端面がテーパ形状を有する島状の半導体膜と、前記半導体膜の表面及び側端面に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、前記ゲート電極層上に設けられた開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を有する絶縁膜上に接して設けられ、前記開口部を介して前記半導体膜に接続されるソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記ゲート絶縁膜の前記半導体膜の側端面に接する部分はハロゲンを含み、且つ前記半導体膜の表面に接する部分よりも厚い薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】優れたデバイス特性（例えば、優れたホウ素バリア性）を有する酸窒化膜を含む電子デバイス用材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイス用材料は、電子デバイス用基材と、該基材上に配置されたシリコン酸窒化膜とを少なくとも含み、シリコン酸窒化膜は、アンテナを用いてシリコン酸化膜表面をＡｒガスと窒素ガスとを用いたプラズマにより圧力が７〜２６０Ｐａの範囲で窒化して形成され、プラズマによるダメージが少なく、シリコン酸窒化膜は、該シリコン酸窒化膜の厚さ方向に、酸窒化膜表面付近に窒素原子を多く含み、シリコン酸窒化膜は、シリコン酸窒化膜表面側から０〜１．５ｎｍの範囲における窒素原子含有量の最大値Ｎ_sが１８〜３０ａｔｍ％の窒素含有領域と、シリコン酸窒化膜の、基材との対向面から０〜０．５ｎｍの範囲における窒素原子含有量の最大値Ｎ_bが０〜１０ａｔｍ％の窒素含有領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高容量のＭＩＭキャパシタを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置内部に、第一のキャパシタ電極１０３と、第一のキャパシタ電極１０３表面に形成された薄膜かつ膜質の良好な絶縁性の窒素含有銅シリサイド膜１０４ａを有するキャパシタ絶縁膜１０４と、キャパシタ絶縁膜１０４上に形成された第二のキャパシタ電極１０８により構成されるＭＩＭキャパシタを備えることにより、半導体装置のＭＩＭキャパシタの容量を向上する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のＣｕ拡散防止性能を向上する。
【解決手段】酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面に、アンモニアプラズマ処理を施す。これにより、例えば厚さ１０ｎｍ未満の薄い窒化シリコン膜が形成される。この結果、酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面部分の膜質、清浄度、電気的な安定性を向上でき、Ｃｕの拡散防止性能を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来は良好な酸化膜／シリコン界面を得るための高温プラズマ酸化処理のように被処理体を極短時間高温にしてイオン及びラジカルを作用させる処理を、高エネルギー密度の光により変色する可能性のあるガラス基板上で行うことのできる処理装置がなかった。
【解決手段】プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 （もっと読む）

【課題】高いエネルギ変換効率の太陽電池を製造する。
【解決手段】ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。かかるプラズマ酸化処理は、１０ｅＶ以下のシース電位のプラズマを用いて、圧力が６．６７Ｐａ〜６．６７×１０^２Ｐａの範囲で、温度が２００℃〜６００℃の範囲となる条件下で行う。プラズマを励起するマイクロ波は、スロットアンテナを通じて処理容器内に供給され、マイクロ波の表面波によってプラズマが生成される。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。 （もっと読む）

半導体デバイスの形成方法は、真空処理装置内に基板を供する手順であって、前記基板は該基板上に設けられた歪みGe含有層と、該歪みGe含有層上に設けられたSi含有層を有する手順、前記基板を700℃未満の温度に維持する手順、及びUV支援酸化プロセスにおいて、下地である前記歪みGe含有層の酸化と歪み緩和を最小限に抑制しながら前記Si含有層を酸化を起こすラジカルに曝露してSi含有誘電層を生成する手順を有する。基板、該基板上に設けられた歪みGe含有層、及び該歪みGe含有層上に形成されたSi含有誘電層を有する半導体デバイスが供される。当該半導体デバイスは、前記Si含有誘電層上に設けられたゲート電極層すなわちhigh-k層、及び該high-k層上に設けられたゲート電極層をさらに有して良い。
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【課題】リーク特性等の特性が優れた高誘電体絶縁膜を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、第１の金属と酸素からなる金属酸化物にフッ素を導入した絶縁膜であって、窒素或いは前記金属酸化物をなす第１の金属の価数よりも小さな価数の第２の金属を少なくとも１つ、前記フッ素と同時に導入したことを特徴とし、窒素または前記第２の金属の量を［Ｘ］、フッ素の量を［Ｆ］と表わすとき、｛［Ｘ］−［Ｆ］｝／２≦８．４atomic％であることを特徴とする。 （もっと読む）