【課題】界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲートスタック形成工程は、ウエハ上に界面層を形成するステップと、界面層に第一ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜にアニールを施すことで第一ハフニウムシリケート膜を緻密化もしくは結晶化するステップと、緻密化もしくは結晶化した第一ハフニウムシリケート膜上に第二ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜および第二ハフニウムシリケート膜に対しプラズマ窒化を施すステップと、プラズマ窒化のプラズマダメージを回復する回復アニールステップと、を有する。窒素導入による移動度の劣化を抑制し、良好なＭＯＳＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、下部電極としてのポリシリコン膜１０２を形成する工程と、ポリシリコン膜１０２を窒化処理してシリコン窒化膜１０３を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜１０３上に誘電体層１０４を形成する工程と、誘電体層１０４の上に、上部電極１０５を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、上記窒化工程は、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入して窒素含有プラズマを発生させるプラズマ処理装置により６６．７Ｐａ〜１３３３Ｐａの処理圧力でポリシリコン膜１０２をプラズマ窒化処理する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に於いて、簡便な方法により、処理容器の内壁面をプラズマによりコーティングし、内壁面から酸素等の汚染原子が放出されることを抑止し、成膜品質を向上させる。
【解決手段】基板５を処理する処理容器１の内面を、プラズマ処理により反応ガス１９でコーティング処理する工程と、前記処理容器内に基板を搬入する工程と、前記反応ガスを用いて基板をプラズマ処理する工程と、前記処理容器内から基板を搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めたゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】窒素含有ゲート絶縁膜１２を形成するステップが、シリコン単原子層を堆積するステップ及びシリコン単原子層を酸化するステップを順次に含み、半導体基板１１上にシリコン酸化膜２１を形成する酸化膜形成ステップと、シリコン酸化膜の表面部分２１ａを５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化法により窒化する窒化ステップと、シリコン単原子層を堆積するステップ及びシリコン単原子層を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化法により窒化するステップを順次に含み、表面部分を窒化したシリコン酸化膜の表面にシリコン窒化膜２２を形成する窒化膜形成ステップと、を有し、窒素含有ゲート絶縁膜とゲート電極１３との界面での窒素濃度が、窒素含有ゲート絶縁膜と半導体基板との界面での窒素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 剥離の発生の少ない薄膜多層配線基板とその製造方法を提案する。
【解決手段】 少なくとも一つの前記配線層が、下層の配線層上に形成された第一のＳｉＯ_２薄膜と、前記第一のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＯＮ薄膜と、前記ＳｉＯＮ薄膜上に形成された第二のＳｉＯ_２薄膜と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜に埋め込まれて形成された配線導体と、前記配線導体と接続しかつ前記第一のＳｉＯ_２薄膜、前記ＳｉＯＮ薄膜および前記第二のＳｉＯ_２薄膜を貫通して前記下層の配線層の配線導体と電気的に接続するビア導体と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＮ薄膜と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細化を行っても、書き込み/消去特性、繰り返し特性、およびリテンション特性に優れたＭＯＮＯＳ型メモリセルを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置のメモリセルは、ＭＯＮＯＳ型の構造をしており、電荷蓄積層が複数の絶縁物層から構成される。それらの絶縁膜の隣接する層間の伝導帯端エネルギーと価電子帯端エネルギーの関係は、トンネル絶縁膜からブロック絶縁膜に向かって、次第に大きくなるか、または、次第に小さくなるかのいずれかである。さらに、ブロック絶縁膜の比誘電率をε_rとすれば、電荷蓄積層とブロック絶縁膜の間のエネルギー障壁は、電子に対して4.5ε_r^-2/3(eV)以上、3.8eV以下、正孔に対して4.0ε_r^-2/3(eV)以上、3.8eV以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】
半導体基板１の主面にゲート絶縁膜用の絶縁膜を形成する。それから、プラズマ処理装置５１の処理室５１ａ内で、半導体基板１の主面のゲート絶縁膜用の絶縁膜をプラズマ窒化する。その後、プラズマ処理装置５１から半導体基板１をフープ３１内に移送し、フープ３１をベイステーションＢＳに移動させてそこで待機させて半導体基板１を保管する。ベイステーションＢＳに待機している間、半導体基板１を保管しているフープ３１内に、フープ３１に設けられた第１の呼吸口から窒素ガスを供給し、フープ３１に設けられた第２の呼吸口からフープ３１内の窒素ガスを排出する。その後、フープ３１を熱処理装置５２に移動させて、半導体基板１を熱処理装置５２の処理室内に搬入して熱処理する。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハＷ上に平面アンテナ部材ＳＰＡを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ（ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ）を形成する。このプラズマを用いて前記ウエハ表面に酸化膜２（ないし酸窒化膜２ａ）を形成し、必要に応じてポリシリコン等の電極１３を形成して電子デバイス構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、基板１１上に、シリコン酸化膜１２を形成する工程と、シリコン酸化膜１２に対して窒素を導入してシリコン酸窒化膜１３を形成する工程と、シリコン酸窒化膜１３上にＺｒ、Ｈｆの少なくともいずれかを含む絶縁膜１４を形成する工程とを含む。基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する前記工程では、基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、１０５０℃以上、１１００℃以下でシリコン酸化膜１２を熱処理する。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

超高純度ハフニウム含有有機金属化合物を使用して高Ｋ（誘電率）膜を作るためのプロセスが、開示される。高純度ハフニウム含有有機金属化合物で作られた高Ｋ膜を組み込むデバイスもまた、述べられる。
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表面上にシリコン薄膜または酸化シリコン薄膜を各々が有する２つのウェハが、少なくとも１つのウェハの薄膜に、５ｎｍ未満の厚さを有する薄い酸窒化シリコン表面膜を形成する表面処理を施すことによって接合される。薄膜は、誘導結合プラズマ源によって発生した窒素系プラズマによって形成される。加えて、プラズマと前記ウェハを支持する基板ホルダとの間の電位差は、表面処理中、５０Ｖ未満、有益には、１５Ｖ未満、好ましくは、０である。これにより、接触ステップ後に実行される任意の熱処理の温度にかかわらず、欠陥がない接合界面を得ることができる。
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【課題】 各種半導体装置の製造過程で、プラズマ窒化処理によって形成された窒素含有層を不必要な部位に残存させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ窒化処理工程の後に、選択エッチング処理工程を設け、電極層１０７に形成された窒化珪素膜１０９を残しつつ、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１を除去する。選択エッチング工程により、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１が除去される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題の少なくとも一つを解決する、ゲート酸化膜上に窒化珪素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置におけるゲート構造の形成の一部として、ゲート酸化膜上に窒化珪素膜を形成する方法であって、窒化処理プロセスにより、半導体基板のゲート酸化膜の上部に、窒化珪素の層を形成するステップと、熱処理チャンバ内で、前記半導体基板を加熱するステップと、前記熱処理チャンバ内で、前記半導体基板をN₂に暴露するステップと、前記熱処理チャンバ内で、前記半導体基板をN₂およびN₂Oの混合物に暴露するステップと、を有する方法。 （もっと読む）

【課題】多値化を実現するのに十分なメモリーウインドウと電荷保持特性を両立できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられたトンネル絶縁膜１０３と、トンネル絶縁膜１０３上に設けられ、第１および第２の電荷蓄積層１０４，１０５を含む電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に設けられたブロック絶縁膜１０６と、ブロック絶縁膜１０６上に設けられた制御ゲート電極１０７とを備え、電荷蓄積層において、第２の電荷蓄積層１０５はブロック絶縁膜１０６側に最も近い側に設けられ、第１の電荷蓄積層１０４はトンネル絶縁膜１０３と第２の電荷蓄積層１０５の間に設けられ、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもトラップ密度が高く、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもバンドギャップが小さく、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４、シリコン窒化膜よりも誘電率が高い。 （もっと読む）

【課題】半導体層と絶縁層との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。窒化ケイ素中の窒素元素が活性多結晶シリコン膜からなる半導体層１２中に拡散し、この活性多結晶シリコン膜中の格子歪みを補償し、半導体層１２と絶縁層６との所望の界面特性を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＥＯＴが小さく、界面準位密度の増加が抑制されたゲート絶縁膜を備え、微細化されてもリーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の領域１０２上に、第１の酸化膜２０３を形成する工程（ａ）と、半導体基板１０１にプラズマ窒化処理を行って、第１の酸化膜２０２に窒素を導入して第１のゲート絶縁膜２０３を形成する工程（ｂ）と、半導体基板１０１に酸化性雰囲気下で熱処理を行って、第１のゲート絶縁膜２０３を酸化する工程（ｃ）と、半導体基板１０１にプラズマ窒化処理を行って、第１のゲート絶縁膜２０３にさらに窒素を導入する工程（ｄ）と、半導体基板１０１に酸素雰囲気下で熱処理を行って、第１のゲート絶縁膜２０３を酸化する工程（ｅ）とを備えている。工程（ｂ）で、半導体基板１０１は直接窒化されない。 （もっと読む）