【課題】フッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けを抑え、熱処理後のハードマスク層の膜剥がれを抑える技術を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたフッ素添加カーボン膜２０と、このフッ素添加カーボン膜２０の上に形成され、ＳｉＣＯ膜２３とＳｉＯ_２膜２４とを含むハードマスク層と、前記フッ素添加カーボン膜２０とハードマスク層との間に、ＳｉＮ膜２１とＳｉＣＮ膜２２とを下からこの順序で積層して形成されたバリア層と、を備える。ＳｉＮ膜２１によりフッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けが抑えられ、ＳｉＣＮ膜２２によりハードマスク層の成膜プロセス時のフッ素添加カーボン膜２０の酸化を抑えることができるので、熱処理後のハードマスク層やバリア層の膜剥がれを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ダメージの発生が抑制された状態で、プラズマを用いた原子層成長による成膜速度の向上が図れるようにする。
【解決手段】成膜室内にアミノシランからなる原料ガス１２１を導入するとともに、成膜室の内部のシリコン基板１０１の上方に配置された複数のモノポールアンテナに高周波電力を供給してプラズマを生成し、原料ガスを構成しているアミノシラン（有機化合物）が分解された状態とする。これらは例えば１秒間行う。このことにより、シリコン基板１０１の上に、堆積シリコン層１０２が形成された状態とする。 （もっと読む）

チャンバ内で半導体基板を処理する方法は、二ステップアニールプロセスを用いて酸窒化シリコン膜を形成するステップを含む。第一アニールステップは、分圧が約１〜約１００ミリトールである酸化ガスの存在下に酸窒化シリコン膜をアニールする工程を含み、第二アニールステップは、流量が約１ｓｌｍである酸素ガスで酸窒化シリコン膜をアニールする工程を含む。第一アニールステップは、第二アニールステップより高いチャンバ温度と高いチャンバ圧で行われる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル及びコンタミネーションによる汚染を抑制しつつ被処理基板を８００℃以上の高温に安定して加熱することができるプラズマ処理装置及び基板加熱機構を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、基板載置台７、支持部８、支持部固定部２４を備える。基板載置台７は発熱体７４を内蔵する。発熱体７４及び電極３２は、ＳｉＣを含む材料からなり、電極３２は、支持部固定部２４に固定されるとともに、支持部８を貫通し、かつ先端部が発熱体７４に接続されている。そして、石英を含む絶縁材料からなる電極被覆管４３が、電極３２の先端部以外の部分を被覆し、基板載置台７の発熱体７４の下方部分、支持部８、及び支持部固定部２４を貫通するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】高性能化および／又は低消費電力化等の優れた特性を有する電子デバイスのための優れた膜質の絶縁膜を与えることが可能な絶縁膜の改質方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、酸素原子含有ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜を改質する。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を使った半導体装置において、ゲート絶縁膜への電荷のトラップを抑制する。
【解決手段】ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第１の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第２の絶縁膜の積層により形成する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板の製造方法は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行うものである。このような構成により、工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 優れた金属シリケート膜を形成することができ、特性や信頼性に優れた半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上にゲート絶縁膜１３を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極１４を形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程は、金属シリケート膜を形成する工程を含み、金属シリケート膜の形成に用いるシリコン原料は、モノシラン中の少なくとも１つの水素原子をアルキル基で置換した第１の炭化水素シリコン化合物、ジシラン中の少なくとも１つの水素原子をアルキル基で置換した第２の炭化水素シリコン化合物、及びトリシラン中の少なくとも１つの水素原子をアルキル基で置換した第３の炭化水素シリコン化合物の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚均一性を改善する。
【解決手段】電界と磁界とにより処理容器内にマグネトロン放電を起こしてプラズマを生成し、このプラズマを用いて基板をプラズマ処理する基板処理方法であって、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内にガスを供給してプラズマにより活性化させ、基板上に膜を形成する工程と、処理後の基板を処理容器から搬出する工程とを備える。膜を形成する工程では、基板上に形成される膜の膜厚均一性に影響を与えないよう処理容器からのガスの排気を少なくする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜の劣化を防止できる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタQを覆う水素拡散防止絶縁膜２５を形成する工程と、水素拡散防止絶縁膜２５の上にキャパシタ保護絶縁膜２４を形成する工程と、半導体基板１側にバイアス用高周波電力を印加すると共に、酸素とシリコン化合物ガスとを含む第１成膜ガスにプラズマ化用高周波電力を印加するプラズマCVD法により、キャパシタ保護絶縁膜２４の上に第１絶縁膜２６を形成する工程とを有し、キャパシタ保護絶縁膜２４の成膜条件として、キャパシタ保護絶縁膜２４に含まれる水分量が第１絶縁膜２６に含まれる水分量よりも少なくなる条件を採用する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を具備したゲート絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に下地膜を形成する下地膜形成部２が設けられている。更に、半導体基板を冷却する冷却部３、及び冷却部３により冷却された半導体基板の温度が１００℃以下の状態で、下地膜に活性窒素を導入するプラズマ窒化部４が設けられている。半導体基板の冷却は、例えば、液体窒素又は液体ヘリウムを用いて、半導体基板が載置されるステージを冷却することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚でかつ局所的な表面粗さの小さいゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板表面に熱酸化または熱酸窒化によってシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成した後（ステップＳ１）、そのシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化膜表面にプラズマ窒化処理を施す（ステップＳ２）。このプラズマ窒化処理により、そのシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面に高活性な窒素原子を生成させて活性な状態にする。そして、プラズマ窒化処理後のシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面を大気に曝露させないようにプラズマ窒化処理に連続してＡＬＤ処理を施し、その上にシリコン窒化膜を堆積する（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に下地膜を形成する第１工程と、下地膜上に半導体膜を形成する第２工程と、半導体膜上に該半導体膜の酸化又は窒化を防止する膜を所定のパターンに形成する第３工程と、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度とし、半導体膜の所定のパターンに覆われていない領域をラジカル酸化又はラジカル窒化して素子分離をおこなう第４工程とを有し、ラジカル酸化又はラジカル窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された半導体膜上において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下好ましくは１．０ｅＶ以下、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であるプラズマ処理室でおこなわれる。 （もっと読む）

【課題】平均窒素濃度が高くかつシリコン基板界面近傍の窒素濃度が低い高誘電率のゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板上に窒化層を形成した後（ステップＳ１）、まず酸化性溶液処理を行って窒化層とシリコン基板との間に低酸素濃度界面酸化領域を形成し（ステップＳ２）、次に酸化性ガス雰囲気での熱処理を行ってその低酸素濃度界面酸化領域に酸素を供給してそこに高酸素濃度界面酸化領域を形成する（ステップＳ３）。酸化性ガス雰囲気での熱処理に先立ち酸化性溶液を用いた酸化を行うことにより、酸化性溶液処理で形成された低酸素濃度界面酸化領域が熱処理時に酸化されやすくなり、そこに高酸素濃度界面酸化領域が形成されるようになる。これにより、窒化膜とシリコン基板の間を低窒素濃度化しつつ、全体として高窒素濃度で誘電率の高いゲート絶縁膜が形成可能になる。 （もっと読む）

【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】液状原料を液滴１０２として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板１０１上に塗布し液体パターン１０３を形成する工程と、その液体パターン１０３を固化して薄膜パターン１０４に形成する工程と、薄膜パターン１０４にレーザを照射して結晶化膜１０６に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を形成する際の欠陥の生成を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板の表面を窒化する第１窒化ガスと、製造中に前記半導体基板と実質的に反応しない第１希釈ガスとを含み、前記第１希釈ガスの分圧と前記第１窒化ガスの分圧の和と、前記第１窒化ガスの分圧との比が５以上でかつ全圧が４０Ｔｏｒｒ以下である雰囲気中に前記半導体基板を置き、前記半導体基板の表面に窒化膜を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力下で窒素ガスと酸素ガスとが混合された混合ガスを用いて行うプラズマ放電処理で、原子状酸素ラジカルの密度を的確に高めることができ、かつ安価に制御を行うことが可能なプラズマ放電処理装置およびプラズマ放電処理方法を提供する。
【解決手段】窒素ガスと酸素ガスとが混合された混合ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電処理を行うプラズマ放電処理装置１は、間隙部分が放電空間９とされた一対の対向電極２、３と、対向電極２、３の両方または一方に電圧を印加する電圧印加装置４と、放電空間９に混合ガスを供給するガス供給装置５と、プラズマ化された混合ガスの発光強度を発光分光法により計測する分光器７と、計測された発光強度のうち一酸化窒素の発光スペクトルのピークに相当する特定の波長の発光強度に基づいて処理条件を調整してプラズマ放電処理を行わせる制御装置８とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の熱酸化膜やＣＶＤ法による絶縁膜の形成方法のみでは、今後の高速、低消費電力デバイスへの応用は不十分である。また、良好なデバイス特性を得るためには様々な形体を持った装置を使用する必要があり、操作性やフットプリントの点で問題がある。
【解決手段】本発明により、大気への暴露を避けて、洗浄、酸化、窒化、薄膜化などの処理を行うことで、洗浄度の高い絶縁膜の形成が可能となる。さらに、同一の動作原理を用いて絶縁膜の形成に関する様々な工程を行うことで、装置形体の簡略化を実現し、特性の優れた絶縁膜を効率よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に、しきい値特性のシフトを生じないリーク電流特性に優れたＨｆＳｉＯ_４膜を形成する。
【解決手段】 希フッ酸処理したシリコン基板表面に、Ｈｆと窒素を含む有機金属原料を供給し、ＨｆＮの核形成を行い、前記核形成工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆを含む有機金属原料とＳｉを含む有機原料とを供給し、Ｈｆシリケート膜をＣＶＤ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面を処理する方法及び処理システム。
【解決手段】 表面は、少なくとも2つのラジカル源からの少なくとも2種類のラジカルに曝露される。ラジカル源からの各対応するラジカルは基板表面の異なる領域と相互作用する。本発明は酸化、窒化又はその両方の均一性を適切に改善する。 （もっと読む）