半導体装置およびその製造方法
【課題】銅配線と、その上部の接続プラグとのコンタクト箇所の信頼性を向上させる。
【解決手段】ＣｏＷＰからなるキャップメタル３４の上部に、キャップメタル窒化層３５を設ける。キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。キャップメタル３４の膜厚に対するキャップメタル窒化層３５の膜厚の比は、たとえば０．１〜１とする。また、ＳｉＯＣ膜１４ａの上には、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化したＳｉＯＣＮ層１６が形成されている。ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が偏析した領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。
【解決手段】ＣｏＷＰからなるキャップメタル３４の上部に、キャップメタル窒化層３５を設ける。キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。キャップメタル３４の膜厚に対するキャップメタル窒化層３５の膜厚の比は、たとえば０．１〜１とする。また、ＳｉＯＣ膜１４ａの上には、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化したＳｉＯＣＮ層１６が形成されている。ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が偏析した領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の構造および製造方法に関し、特に表面に金属キャップ膜を有する銅配線に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高速化に対する要請から、配線材料として銅が広く利用されるようになってきた。銅は、従来用いられてきたアルミ配線に比べ、低抵抗、低容量であり、エレクトロマイグレーションおよびストレスマイグレーション耐性に優れている。その一方、銅は、１５０℃の低温であっても酸素を含む雰囲気中で容易に酸化されるという性質を有する。このため、銅配線を形成するプロセスにおいては、銅の表面を酸化防止膜によって被覆する技術が一般的に利用されている。酸化防止膜としては、酸素を使用しない化学的気相成長によって成膜できる窒化シリコン膜や炭化シリコン膜などが用いられる。
【０００３】
しかしながら、これらの酸化防止膜は、いずれも比誘電率が高く（窒化シリコン膜の比誘電率は８、炭化シリコン膜の比誘電率は５）、配線間の寄生容量の増大を招く結果となる。
【０００４】
こうした問題を解決する方策として、無電解メッキにより、銅配線の表面に選択的にキャップメタル膜を設ける技術が知られている。たとえば、銅配線の表面にＣｏＷＰ層を選択的に形成し、酸化し易い銅表面をＣｏＷＰで被覆保護し、しかる後に、酸化性雰囲気で成長される酸化シリコンなどの絶縁膜の成膜を行うことが提案されている。
【０００５】
ところが、この技術においても以下のような課題があった。すなわち、配線間絶縁膜の表面に残留する銅やコバルト原子を除去する目的でフッ酸等により洗浄処理を行った際、ＣｏＷＰ層がエッチングされ損傷を受け、極端な場合にはＣｏＷＰ層が消滅することがあった。ＣｏＷＰはフッ酸等の洗浄液によって浸食されるためである。また、ＣｏＷＰは銅と比較して酸化しにくいものの、酸化シリコンを形成する化学的気相成長雰囲気にさらされると酸化が起こり、コバルト酸化物が形成されてビアの接続抵抗の増大を招くことがあった。
【０００６】
そこで、特許文献１のように、ＣｏＷＰ層を、耐酸化性および耐フッ酸性を有するコバルトシリサイド層で被覆する技術が提案されている。この技術では、図６に示すように、配線間層間膜１の中に、下層銅配線２、上層銅配線３、銅ビア４が形成されており、さらに、下層銅配線２および上層銅配線３の上面には、金属キャップ膜５および金属キャップ膜のシリサイド層６が形成されている。ここで、金属キャップ膜のシリサイド層６は、金属キャップ膜５を形成した後、シランガスにさらすことにより形成されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−４３３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記コバルトシリサイド層の形成のため、配線間の絶縁膜（ＳｉＯ２など）の表面が、シランガスにさらされる際に、シランの分解によるＳｉ原子の付着により表面が電気的に活性になり、リークが増加する懸念がある。また、エッチング停止層がないために、ビアエッチの際にミスアラインメント部において銅ビア４形成のためのビアホールが下層銅配線２の側面にまで到達し、埋め込み不良を引き起こす原因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた、凹部を有する絶縁膜と、
前記凹部に埋設された、銅を含む金属膜と、
前記金属膜の上部を覆う金属キャップ膜と、
を備え、
前記金属キャップ膜の少なくとも上部が窒化されていることを特徴とする半導体装置、
が提供される。
【００１０】
また本発明によれば、
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去して凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部に、銅を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の表面に金属キャップ膜を形成する工程と、
前記金属キャップ膜の表面および前記絶縁膜の表面を窒化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法、
が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、金属キャップ膜の上部が窒化された構造を有するため、銅を含む金属膜とその上部に形成される金属膜とのコンタクト箇所の信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１（ａ）は、本実施形態における配線構造を示す断面図である。シリコン基板（不図示）上の絶縁膜１０６の上に、ＳｉＣＮ膜１２、ＳｉＯＣ膜１４ａ、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化して形成されたＳｉＯＣＮ層１６、シリコン酸化膜１８、ＳｉＣＮ膜２０、およびＳｉＯＣ膜１４ｂがこの順で積層している。ＳｉＯＣ膜１４ａ中およびＳｉＯＣ膜１４ｂ中には、それぞれ第一の銅配線２２ａおよび第二の銅配線２２ｂが形成されている。なお、「ＳｉＯＣ膜」とは、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＨを含む膜であって、有機シリコン系原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成される。本実施形態では、多孔質（ポーラス）構造のＳｉＯＣ膜を用いる。
【００１３】
第一の銅配線２２ａは、それぞれタンタル系バリアメタル膜２４ａおよび銅膜２６ａにより構成されている。シリコン酸化膜１８中には、第一の銅配線２２ａの上面と接続する接続プラグ２８が形成されている。接続プラグ２８は、タンタル系バリアメタル膜３０および銅膜３２により構成されている。ＳｉＯＣ膜１４ｂ中には、接続孔の上面と接続する第二の銅配線２２ｂが形成されている。第二の銅配線２２ｂは、タンタル系バリアメタル膜２４ｂおよび銅膜２６ｂにより構成されている。
【００１４】
第一の銅配線２２ａ、接続プラグ２８、第二の銅配線２２ｂは、それぞれ略同じ幅を有しており、ボーダーレス配線を構成している。
【００１５】
第一の銅配線２２ａの上面にはキャップメタル３４が形成されている。キャップメタル３４の構成材料としては、
Ｃｏ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＰ等のコバルト含有金属；
Ｎｉ、ＮｉＭｏＰ、ＮｉＭｏＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＲｅＢ、ＮｉＢ、ＮｉＰなどのニッケル含有金属；
Ａｇ、ＡｇＣｕ等の銀含有金属；
等が挙げられる。
【００１６】
なお、キャップメタル３４は、その上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも高い位置となるように設けられている。
【００１７】
キャップメタル３４の上部には、キャップメタル窒化層３５が形成されている。たとえば、キャップメタル３４をＣｏＷＰで構成した場合、キャップメタル窒化層３５は、ＣｏＷＰＮとなる。
【００１８】
キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍとする。このようにすれば、ストレスマイグレーション耐性を確実に向上させることができる。キャップメタル３４の膜厚に対するキャップメタル窒化層３５の膜厚の比は、たとえば０．１〜１とすることができる。こうすることにより、安定なビアコンタクトを実現することができる。
本実施形態では、
キャップメタル３４：５ｎｍ
キャップメタル窒化層３５：５ｎｍ
とする。
キャップメタル３４の表面を窒化することにより得られる効果として、上記のほか、配線の電気的特性の安定性向上が挙げられる。たとえばキャップメタル３４をＣｏＷＰとしたとき、表面窒化によりＣｏＷＰ膜の熱的安定性が向上する。これにより、窒化していない場合と比較してCu中へのＣｏ拡散による抵抗上昇が抑制される。
【００１９】
ＳｉＯＣ膜１４ａの上には、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化して形成されたＳｉＯＣＮ層１６が形成されている。ＳｉＯＣＮ層１６は、キャップメタル３４表面と同時に窒化されたものである。ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が含まれる領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは２〜５０ｎｍとする。シラン処理を行う従来技術では、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面にシリコンが析出するため、本実施形態のような、均一な厚みを持つ窒素の含有層（ＳｉＯＣＮ層１６）を形成することは困難である。本実施形態では、清浄なＳｉＯＣ膜１４ａ表面を窒化処理していることにより、このような層が安定的に形成される。
なお、本実施形態では、図１（ａ）に示すように、キャップメタル窒化層３５がキャップメタル３４の上面および側面を覆うように形成されているが、図１（ｂ）に示すように、キャップメタル窒化層３５がキャップメタル３４の上面に積層する形態で形成されていてもよい。
【００２０】
以下、図１に示した本実施形態における配線構造１の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。
【００２１】
図２（ａ）は、ＳｉＣＮ膜１２およびＳｉＯＣ膜１４ａに配線溝が形成された状態を示す。配線溝は、ＳｉＣＮ膜１２およびＳｉＯＣ膜１４ａを成膜後、その上に、所定形状にパターニングされたレジスト膜（不図示）を設け、ＳｉＣＮ膜１２およびＳｉＯＣ膜１４ａを段階的にエッチングすることにより形成する。
【００２２】
次いで、スパッタリング法により、基板全面にＴａおよびＴａＮがこの順で積層したタンタル系バリアメタル膜２４ａを形成する（図２（ｂ））。
続いて、図２（ｃ）に示すように、タンタル系バリアメタル膜２４ａ上に、銅膜２６ａを形成し、アニールを行う。
【００２３】
次に、配線溝外部に成膜された不要な銅膜２６ａおよびタンタル系バリアメタル膜２４ａを化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）により除去し、配線溝内部にのみ銅膜２６ａ等を残すようにして第一の銅配線２２ａを形成する（図２（ｄ））。
【００２４】
つづいて、図２（ｅ）に示すように、第一の銅配線２２ａの表面にキャップメタル３４を形成する。キャップメタル３４は、無電解めっき法等により形成することができる。無電解めっきで用いる触媒としては、たとえばパラジウムを用いることができる。また、パラジウム触媒を使わずに銅表面に、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）等を還元剤とする無電解めっきで堆積することができる。キャップメタル３４の構成材料は、前述したとおりであり、ＣｏＷＰ等のコバルト含有金属、ＮｉＷＰ等のニッケル含有金属、ＡｇＣｕ等の銀含有金属が例示される。
【００２５】
以上のようにして作製された構造体に対して、表面窒化処理を行う。これにより、図２（ｆ）に示すように、キャップメタル窒化層３５およびＳｉＯＣＮ層１６が形成される。表面窒化処理の方法として、ＮＨ３プラズマ処理、Ｎ２−Ｈ２プラズマ処理、Ｎ２プラズマ処理等のプラズマ処理や、ＮＨ３熱処理（熱窒化）、Ｎ２イオン注入等の方法が例示される。本実施形態では、アンモニアプラズマ処理を用いる。
【００２６】
その後、図３（ａ）に示すように、キャップメタル窒化層３５およびＳｉＯＣＮ層１６の上に、シリコン酸化膜１８を成膜する（図３（ａ））。
【００２７】
つづいて、シリコン酸化膜１８を選択的にエッチングし、キャップメタル窒化層３５の上面に到達する接続孔４０を形成する（図３（ｂ））。
【００２８】
その後、接続孔４０内部を埋め込むように、タンタル系バリアメタル膜３０および銅膜３２をこの順で形成する（図３（ｃ））。銅膜３２は、第一の銅配線２２ａの銅膜２６ａと同様のめっき法により成膜する。その後、ＣＭＰによる平坦化を行い、接続プラグ２８を形成する（図３（ｄ））。
【００２９】
その後、前述と同様の工程により、接続プラグ２８上に銅配線２２ｂを形成することにより、図１に示す銅配線構造が形成される。銅配線２２ｂの上部にも、銅配線２２ａと同様、キャップメタルおよびキャップメタル窒化層を形成することができる。
【００３０】
この後、上述した工程を繰り返すことにより、３層以上の多層配線構造の半導体装置を形成することができる。
【００３１】
本実施形態に係る半導体装置は、以下の効果を奏する。
第一に、本実施形態に係る半導体装置は、キャップメタル３４の上部がキャップメタル窒化層３５で覆われた構造を有するため、銅配線とその上部のビアとのコンタクト箇所の耐酸化性および銅拡散バリア性が向上する。なお、キャップメタル３４は、配線間のリーク電流を減らすために、配線間の絶縁膜表面を除去することで、キャップメタル上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも高い位置となるように設けられているが、この構造によってビアプラグとのコンタクトを安定的にとることができ、この点からもコンタクト抵抗の安定性等が向上するという効果がある。
【００３２】
第二に、本実施形態に係る半導体装置は、エッチング停止層として機能するＳｉＯＣＮ層１６を備えるため、ミスアラインメントによるビアエッチ時の隙間が発生しにくくなり、隙間への銅の埋め込み不良が発生しにくくなる。このため、隙間による製造不良や信頼性劣化を防止することができる。なお、ＳｉＯＣＮ層１６は、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面を窒化処理して得られる層であるため、従来のように拡散防止膜として窒化膜を設ける場合に比し配線間絶縁膜の誘電率増大を抑制することができ、配線間クロストークの低減にも寄与する。
【００３３】
第三に、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化処理されてＳｉＯＣＮ層１６となっているため、配線間の絶縁膜表面が窒素で不活性化され、リーク電流を低減することができる。従来技術の項で述べたようなキャップメタルのシラン処理を行う場合と異なり、配線間絶縁膜表面をシランガスにさらす必要がなく、シランの分解により生じたＳｉ原子が配線間絶縁膜表面に付着することによるリークの発生もない。なお、本実施形態では、ＳｉＯＣ膜１４ａが多孔質材料により構成されている。このため、窒化プラズマ処理を行った際、膜中にプラズマが侵入して窒化が促され、所望の厚みのＳｉＯＣＮ層１６を安定的に形成することができる。
【００３４】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００３５】
たとえば、上記実施の形態では、キャップメタル３４の上部がキャップメタル窒化層３５で覆われた構造としたが、窒化処理により、キャップメタル３４全体が窒化され窒化層となっていてもよい。また、本実施形態では、キャップメタル上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも高い位置となるように設けたが、キャップメタル上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも低い位置としてもよい。
さらに、本実施形態では、第一の銅配線２２ａの表面にのみ選択的にキャップメタル３４が形成された例を示したが、キャップメタル３４が第一の銅配線２２ａの表面以外の部分にまで広がって形成されＳｉＯＣ膜１４ａの表面の一部を覆う形態としてもよい。
【００３６】
また、本実施形態では、配線間絶縁膜（銅配線２２ａの下面の水準から上面の水準に至る領域に形成された膜）を多孔質のＳｉＯＣ膜１４ａにより構成したが、他の材料により構成することもできる。ここで、絶縁膜の表面は撥水性絶縁材料により構成されていることが好ましい。このようにすれば、配線間の電流リークをより効果的に低減できる。撥水性絶縁材料としては、SiOC,、フッ素含有ポリマー、ポリアリルエーテル（PAE)、ポーラスSiOC、ポーラスPAE等が挙げられる。
配線間絶縁膜は、図４のような２層構造としてもよい。図４に示す銅配線２２ａの配線間絶縁膜は、多孔質のＳｉＯＣ膜１４ａと、その上に設けられた稠密構造（非多孔質）のＳｉＯＣ膜５０ａとが積層した構造を有する。こうすることにより、配線間絶縁膜の誘電率低減を図りつつ、配線間絶縁膜表面の機械的強度を向上させ、ＣＭＰ耐性等を良好にすることができる。
【００３７】
本実施形態では、配線材料として銅を用いた例を示したが、他の金属材料を用いてもよい。たとえば、銀、アルミニウム等の異種元素を含む銅合金としてもよい。
【００３８】
また、配線間絶縁膜は、本実施形態ではＣＶＤ−ＳｉＯＣ膜としたが、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）等の塗布膜や、芳香族炭化水素系化合物等の有機膜を用いてもよい。
【００３９】
また、本実施形態ではシングルダマシンプロセスにより形成される配線構造を例に挙げたが、デュアルダマシンプロセスにより形成される配線構造に本発明を適用することもできる。
さらに、図７に示すように、キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５が、配線溝の内部に埋め込まれた形状とすることもできる。
本発明は、凹部に銅が埋め込まれてなる配線構造に適用できる。上記実施形態では、銅が配線溝の内部に埋め込まれた構造の例を示したが、銅が孔（ホール）内に埋め込まれた構造にも本発明を適用することができる。
【実施例１】
【００４０】
図５は、本実施例に係る半導体装置の構造を示す図である。配線間層間膜１中に、下層銅配線２、上層銅配線３、銅ビア４が形成されている。下層銅配線２および上層銅配線３の上面には、金属キャップ膜５および金属キャップ膜の窒化層７が形成されている。配線間層間膜１の各層の境界には、配線間層間膜の窒化層８が形成されている。
【００４１】
金属キャップ膜として、本実施例では、ＣｏＷＰを用いた。金属キャップ膜の膜厚は１００ｎｍ、配線間層間膜の窒化層８の膜厚は５０ｎｍとした。金属キャップ膜の窒化層７および配線間層間膜の窒化層８の形成方法としては、ＮＨ３プラズマ処理を用いた。
【００４２】
本実施例によれば、金属キャップ膜５の上に金属キャップ膜の窒化層７を形成することにより、金属キャップ膜５の耐酸化性と銅拡散バリア性を向上することができる。また、金属キャップ膜の窒化層７を形成する際、シランガスにさらす必要がなく、したがってシランの分解によるＳｉ原子の付着によりＣｏＷＰ層表面が電気的に活性化することによりリークが増加する懸念がない。
【００４３】
また、配線間層間膜の窒化層８を形成することにより、配線間の絶縁膜表面が窒素で不活性化されることで、リーク電流が低減できる。
【００４４】
さらに、配線間層間膜の窒化層８自体は、エッチング停止層として機能し、ミスアラインメントによるビアエッチ時の隙間が発生しにくくなり、隙間への銅の埋め込み不良が発生しにくくなる。これにより、隙間による製造不良や信頼性劣化を防止することができる。メタルキャップの表面が窒化されていない従来技術においては、ビアエッチングのミスアラインメント部で銅ビア４のビアホールが下層銅配線２の側面にまで到達し、埋め込み不良を引き起こす原因となっていた（図６）。これに対し本実施例の配線構造では、窒化層８がエッチング停止層として機能するため銅ビア４のビアホールが下層銅配線２の側面にまで到達することがなく（図５）、コンタクトの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施の形態に係る配線構造の断面図である。
【図２】図１に示した配線構造の製造方法を示す工程図である。
【図３】図１に示した配線構造の製造方法を示す工程図である。
【図４】図１に示した配線構造の製造方法を示す工程図である。
【図５】実施例に係る配線構造の断面図である。
【図６】従来の配線構造の断面図である。
【図７】実施の形態に係る配線構造の断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１ 配線間層間膜
２ 下層銅配線
３ 上層銅配線
４ 銅ビア
５ 金属キャップ膜
６ 金属キャップ膜のシリサイド層
７ 金属キャップ膜の窒化層
８ 配線間層間膜の窒化層
１２ ＳｉＣＮ膜
１４ａ ＳｉＯＣ膜
１４ｂ ＳｉＯＣ膜
１６ ＳｉＯＣＮ層
１８ シリコン酸化膜
２０ ＳｉＣＮ膜
２２ａ 第一の銅配線
２２ｂ 第二の銅配線
２４ａ タンタル系バリアメタル膜
２４ｂ タンタル系バリアメタル膜
２６ａ 銅膜
２６ｂ 銅膜
２８ 接続プラグ
３０ タンタル系バリアメタル膜
３２ 銅膜
３４ キャップメタル
３５ キャップメタル窒化層
４０ 接続孔
５０ａ 稠密構造（非多孔質）のＳｉＯＣ膜
５０ｂ 稠密構造（非多孔質）のＳｉＯＣ膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の構造および製造方法に関し、特に表面に金属キャップ膜を有する銅配線に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高速化に対する要請から、配線材料として銅が広く利用されるようになってきた。銅は、従来用いられてきたアルミ配線に比べ、低抵抗、低容量であり、エレクトロマイグレーションおよびストレスマイグレーション耐性に優れている。その一方、銅は、１５０℃の低温であっても酸素を含む雰囲気中で容易に酸化されるという性質を有する。このため、銅配線を形成するプロセスにおいては、銅の表面を酸化防止膜によって被覆する技術が一般的に利用されている。酸化防止膜としては、酸素を使用しない化学的気相成長によって成膜できる窒化シリコン膜や炭化シリコン膜などが用いられる。
【０００３】
しかしながら、これらの酸化防止膜は、いずれも比誘電率が高く（窒化シリコン膜の比誘電率は８、炭化シリコン膜の比誘電率は５）、配線間の寄生容量の増大を招く結果となる。
【０００４】
こうした問題を解決する方策として、無電解メッキにより、銅配線の表面に選択的にキャップメタル膜を設ける技術が知られている。たとえば、銅配線の表面にＣｏＷＰ層を選択的に形成し、酸化し易い銅表面をＣｏＷＰで被覆保護し、しかる後に、酸化性雰囲気で成長される酸化シリコンなどの絶縁膜の成膜を行うことが提案されている。
【０００５】
ところが、この技術においても以下のような課題があった。すなわち、配線間絶縁膜の表面に残留する銅やコバルト原子を除去する目的でフッ酸等により洗浄処理を行った際、ＣｏＷＰ層がエッチングされ損傷を受け、極端な場合にはＣｏＷＰ層が消滅することがあった。ＣｏＷＰはフッ酸等の洗浄液によって浸食されるためである。また、ＣｏＷＰは銅と比較して酸化しにくいものの、酸化シリコンを形成する化学的気相成長雰囲気にさらされると酸化が起こり、コバルト酸化物が形成されてビアの接続抵抗の増大を招くことがあった。
【０００６】
そこで、特許文献１のように、ＣｏＷＰ層を、耐酸化性および耐フッ酸性を有するコバルトシリサイド層で被覆する技術が提案されている。この技術では、図６に示すように、配線間層間膜１の中に、下層銅配線２、上層銅配線３、銅ビア４が形成されており、さらに、下層銅配線２および上層銅配線３の上面には、金属キャップ膜５および金属キャップ膜のシリサイド層６が形成されている。ここで、金属キャップ膜のシリサイド層６は、金属キャップ膜５を形成した後、シランガスにさらすことにより形成されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−４３３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記コバルトシリサイド層の形成のため、配線間の絶縁膜（ＳｉＯ２など）の表面が、シランガスにさらされる際に、シランの分解によるＳｉ原子の付着により表面が電気的に活性になり、リークが増加する懸念がある。また、エッチング停止層がないために、ビアエッチの際にミスアラインメント部において銅ビア４形成のためのビアホールが下層銅配線２の側面にまで到達し、埋め込み不良を引き起こす原因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた、凹部を有する絶縁膜と、
前記凹部に埋設された、銅を含む金属膜と、
前記金属膜の上部を覆う金属キャップ膜と、
を備え、
前記金属キャップ膜の少なくとも上部が窒化されていることを特徴とする半導体装置、
が提供される。
【００１０】
また本発明によれば、
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去して凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部に、銅を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の表面に金属キャップ膜を形成する工程と、
前記金属キャップ膜の表面および前記絶縁膜の表面を窒化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法、
が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、金属キャップ膜の上部が窒化された構造を有するため、銅を含む金属膜とその上部に形成される金属膜とのコンタクト箇所の信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１（ａ）は、本実施形態における配線構造を示す断面図である。シリコン基板（不図示）上の絶縁膜１０６の上に、ＳｉＣＮ膜１２、ＳｉＯＣ膜１４ａ、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化して形成されたＳｉＯＣＮ層１６、シリコン酸化膜１８、ＳｉＣＮ膜２０、およびＳｉＯＣ膜１４ｂがこの順で積層している。ＳｉＯＣ膜１４ａ中およびＳｉＯＣ膜１４ｂ中には、それぞれ第一の銅配線２２ａおよび第二の銅配線２２ｂが形成されている。なお、「ＳｉＯＣ膜」とは、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＨを含む膜であって、有機シリコン系原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成される。本実施形態では、多孔質（ポーラス）構造のＳｉＯＣ膜を用いる。
【００１３】
第一の銅配線２２ａは、それぞれタンタル系バリアメタル膜２４ａおよび銅膜２６ａにより構成されている。シリコン酸化膜１８中には、第一の銅配線２２ａの上面と接続する接続プラグ２８が形成されている。接続プラグ２８は、タンタル系バリアメタル膜３０および銅膜３２により構成されている。ＳｉＯＣ膜１４ｂ中には、接続孔の上面と接続する第二の銅配線２２ｂが形成されている。第二の銅配線２２ｂは、タンタル系バリアメタル膜２４ｂおよび銅膜２６ｂにより構成されている。
【００１４】
第一の銅配線２２ａ、接続プラグ２８、第二の銅配線２２ｂは、それぞれ略同じ幅を有しており、ボーダーレス配線を構成している。
【００１５】
第一の銅配線２２ａの上面にはキャップメタル３４が形成されている。キャップメタル３４の構成材料としては、
Ｃｏ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＰ等のコバルト含有金属；
Ｎｉ、ＮｉＭｏＰ、ＮｉＭｏＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＲｅＢ、ＮｉＢ、ＮｉＰなどのニッケル含有金属；
Ａｇ、ＡｇＣｕ等の銀含有金属；
等が挙げられる。
【００１６】
なお、キャップメタル３４は、その上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも高い位置となるように設けられている。
【００１７】
キャップメタル３４の上部には、キャップメタル窒化層３５が形成されている。たとえば、キャップメタル３４をＣｏＷＰで構成した場合、キャップメタル窒化層３５は、ＣｏＷＰＮとなる。
【００１８】
キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍとする。このようにすれば、ストレスマイグレーション耐性を確実に向上させることができる。キャップメタル３４の膜厚に対するキャップメタル窒化層３５の膜厚の比は、たとえば０．１〜１とすることができる。こうすることにより、安定なビアコンタクトを実現することができる。
本実施形態では、
キャップメタル３４：５ｎｍ
キャップメタル窒化層３５：５ｎｍ
とする。
キャップメタル３４の表面を窒化することにより得られる効果として、上記のほか、配線の電気的特性の安定性向上が挙げられる。たとえばキャップメタル３４をＣｏＷＰとしたとき、表面窒化によりＣｏＷＰ膜の熱的安定性が向上する。これにより、窒化していない場合と比較してCu中へのＣｏ拡散による抵抗上昇が抑制される。
【００１９】
ＳｉＯＣ膜１４ａの上には、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化して形成されたＳｉＯＣＮ層１６が形成されている。ＳｉＯＣＮ層１６は、キャップメタル３４表面と同時に窒化されたものである。ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が含まれる領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは２〜５０ｎｍとする。シラン処理を行う従来技術では、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面にシリコンが析出するため、本実施形態のような、均一な厚みを持つ窒素の含有層（ＳｉＯＣＮ層１６）を形成することは困難である。本実施形態では、清浄なＳｉＯＣ膜１４ａ表面を窒化処理していることにより、このような層が安定的に形成される。
なお、本実施形態では、図１（ａ）に示すように、キャップメタル窒化層３５がキャップメタル３４の上面および側面を覆うように形成されているが、図１（ｂ）に示すように、キャップメタル窒化層３５がキャップメタル３４の上面に積層する形態で形成されていてもよい。
【００２０】
以下、図１に示した本実施形態における配線構造１の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。
【００２１】
図２（ａ）は、ＳｉＣＮ膜１２およびＳｉＯＣ膜１４ａに配線溝が形成された状態を示す。配線溝は、ＳｉＣＮ膜１２およびＳｉＯＣ膜１４ａを成膜後、その上に、所定形状にパターニングされたレジスト膜（不図示）を設け、ＳｉＣＮ膜１２およびＳｉＯＣ膜１４ａを段階的にエッチングすることにより形成する。
【００２２】
次いで、スパッタリング法により、基板全面にＴａおよびＴａＮがこの順で積層したタンタル系バリアメタル膜２４ａを形成する（図２（ｂ））。
続いて、図２（ｃ）に示すように、タンタル系バリアメタル膜２４ａ上に、銅膜２６ａを形成し、アニールを行う。
【００２３】
次に、配線溝外部に成膜された不要な銅膜２６ａおよびタンタル系バリアメタル膜２４ａを化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）により除去し、配線溝内部にのみ銅膜２６ａ等を残すようにして第一の銅配線２２ａを形成する（図２（ｄ））。
【００２４】
つづいて、図２（ｅ）に示すように、第一の銅配線２２ａの表面にキャップメタル３４を形成する。キャップメタル３４は、無電解めっき法等により形成することができる。無電解めっきで用いる触媒としては、たとえばパラジウムを用いることができる。また、パラジウム触媒を使わずに銅表面に、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）等を還元剤とする無電解めっきで堆積することができる。キャップメタル３４の構成材料は、前述したとおりであり、ＣｏＷＰ等のコバルト含有金属、ＮｉＷＰ等のニッケル含有金属、ＡｇＣｕ等の銀含有金属が例示される。
【００２５】
以上のようにして作製された構造体に対して、表面窒化処理を行う。これにより、図２（ｆ）に示すように、キャップメタル窒化層３５およびＳｉＯＣＮ層１６が形成される。表面窒化処理の方法として、ＮＨ３プラズマ処理、Ｎ２−Ｈ２プラズマ処理、Ｎ２プラズマ処理等のプラズマ処理や、ＮＨ３熱処理（熱窒化）、Ｎ２イオン注入等の方法が例示される。本実施形態では、アンモニアプラズマ処理を用いる。
【００２６】
その後、図３（ａ）に示すように、キャップメタル窒化層３５およびＳｉＯＣＮ層１６の上に、シリコン酸化膜１８を成膜する（図３（ａ））。
【００２７】
つづいて、シリコン酸化膜１８を選択的にエッチングし、キャップメタル窒化層３５の上面に到達する接続孔４０を形成する（図３（ｂ））。
【００２８】
その後、接続孔４０内部を埋め込むように、タンタル系バリアメタル膜３０および銅膜３２をこの順で形成する（図３（ｃ））。銅膜３２は、第一の銅配線２２ａの銅膜２６ａと同様のめっき法により成膜する。その後、ＣＭＰによる平坦化を行い、接続プラグ２８を形成する（図３（ｄ））。
【００２９】
その後、前述と同様の工程により、接続プラグ２８上に銅配線２２ｂを形成することにより、図１に示す銅配線構造が形成される。銅配線２２ｂの上部にも、銅配線２２ａと同様、キャップメタルおよびキャップメタル窒化層を形成することができる。
【００３０】
この後、上述した工程を繰り返すことにより、３層以上の多層配線構造の半導体装置を形成することができる。
【００３１】
本実施形態に係る半導体装置は、以下の効果を奏する。
第一に、本実施形態に係る半導体装置は、キャップメタル３４の上部がキャップメタル窒化層３５で覆われた構造を有するため、銅配線とその上部のビアとのコンタクト箇所の耐酸化性および銅拡散バリア性が向上する。なお、キャップメタル３４は、配線間のリーク電流を減らすために、配線間の絶縁膜表面を除去することで、キャップメタル上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも高い位置となるように設けられているが、この構造によってビアプラグとのコンタクトを安定的にとることができ、この点からもコンタクト抵抗の安定性等が向上するという効果がある。
【００３２】
第二に、本実施形態に係る半導体装置は、エッチング停止層として機能するＳｉＯＣＮ層１６を備えるため、ミスアラインメントによるビアエッチ時の隙間が発生しにくくなり、隙間への銅の埋め込み不良が発生しにくくなる。このため、隙間による製造不良や信頼性劣化を防止することができる。なお、ＳｉＯＣＮ層１６は、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面を窒化処理して得られる層であるため、従来のように拡散防止膜として窒化膜を設ける場合に比し配線間絶縁膜の誘電率増大を抑制することができ、配線間クロストークの低減にも寄与する。
【００３３】
第三に、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化処理されてＳｉＯＣＮ層１６となっているため、配線間の絶縁膜表面が窒素で不活性化され、リーク電流を低減することができる。従来技術の項で述べたようなキャップメタルのシラン処理を行う場合と異なり、配線間絶縁膜表面をシランガスにさらす必要がなく、シランの分解により生じたＳｉ原子が配線間絶縁膜表面に付着することによるリークの発生もない。なお、本実施形態では、ＳｉＯＣ膜１４ａが多孔質材料により構成されている。このため、窒化プラズマ処理を行った際、膜中にプラズマが侵入して窒化が促され、所望の厚みのＳｉＯＣＮ層１６を安定的に形成することができる。
【００３４】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００３５】
たとえば、上記実施の形態では、キャップメタル３４の上部がキャップメタル窒化層３５で覆われた構造としたが、窒化処理により、キャップメタル３４全体が窒化され窒化層となっていてもよい。また、本実施形態では、キャップメタル上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも高い位置となるように設けたが、キャップメタル上面がＳｉＯＣ膜１４ａの上面よりも低い位置としてもよい。
さらに、本実施形態では、第一の銅配線２２ａの表面にのみ選択的にキャップメタル３４が形成された例を示したが、キャップメタル３４が第一の銅配線２２ａの表面以外の部分にまで広がって形成されＳｉＯＣ膜１４ａの表面の一部を覆う形態としてもよい。
【００３６】
また、本実施形態では、配線間絶縁膜（銅配線２２ａの下面の水準から上面の水準に至る領域に形成された膜）を多孔質のＳｉＯＣ膜１４ａにより構成したが、他の材料により構成することもできる。ここで、絶縁膜の表面は撥水性絶縁材料により構成されていることが好ましい。このようにすれば、配線間の電流リークをより効果的に低減できる。撥水性絶縁材料としては、SiOC,、フッ素含有ポリマー、ポリアリルエーテル（PAE)、ポーラスSiOC、ポーラスPAE等が挙げられる。
配線間絶縁膜は、図４のような２層構造としてもよい。図４に示す銅配線２２ａの配線間絶縁膜は、多孔質のＳｉＯＣ膜１４ａと、その上に設けられた稠密構造（非多孔質）のＳｉＯＣ膜５０ａとが積層した構造を有する。こうすることにより、配線間絶縁膜の誘電率低減を図りつつ、配線間絶縁膜表面の機械的強度を向上させ、ＣＭＰ耐性等を良好にすることができる。
【００３７】
本実施形態では、配線材料として銅を用いた例を示したが、他の金属材料を用いてもよい。たとえば、銀、アルミニウム等の異種元素を含む銅合金としてもよい。
【００３８】
また、配線間絶縁膜は、本実施形態ではＣＶＤ−ＳｉＯＣ膜としたが、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）等の塗布膜や、芳香族炭化水素系化合物等の有機膜を用いてもよい。
【００３９】
また、本実施形態ではシングルダマシンプロセスにより形成される配線構造を例に挙げたが、デュアルダマシンプロセスにより形成される配線構造に本発明を適用することもできる。
さらに、図７に示すように、キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５が、配線溝の内部に埋め込まれた形状とすることもできる。
本発明は、凹部に銅が埋め込まれてなる配線構造に適用できる。上記実施形態では、銅が配線溝の内部に埋め込まれた構造の例を示したが、銅が孔（ホール）内に埋め込まれた構造にも本発明を適用することができる。
【実施例１】
【００４０】
図５は、本実施例に係る半導体装置の構造を示す図である。配線間層間膜１中に、下層銅配線２、上層銅配線３、銅ビア４が形成されている。下層銅配線２および上層銅配線３の上面には、金属キャップ膜５および金属キャップ膜の窒化層７が形成されている。配線間層間膜１の各層の境界には、配線間層間膜の窒化層８が形成されている。
【００４１】
金属キャップ膜として、本実施例では、ＣｏＷＰを用いた。金属キャップ膜の膜厚は１００ｎｍ、配線間層間膜の窒化層８の膜厚は５０ｎｍとした。金属キャップ膜の窒化層７および配線間層間膜の窒化層８の形成方法としては、ＮＨ３プラズマ処理を用いた。
【００４２】
本実施例によれば、金属キャップ膜５の上に金属キャップ膜の窒化層７を形成することにより、金属キャップ膜５の耐酸化性と銅拡散バリア性を向上することができる。また、金属キャップ膜の窒化層７を形成する際、シランガスにさらす必要がなく、したがってシランの分解によるＳｉ原子の付着によりＣｏＷＰ層表面が電気的に活性化することによりリークが増加する懸念がない。
【００４３】
また、配線間層間膜の窒化層８を形成することにより、配線間の絶縁膜表面が窒素で不活性化されることで、リーク電流が低減できる。
【００４４】
さらに、配線間層間膜の窒化層８自体は、エッチング停止層として機能し、ミスアラインメントによるビアエッチ時の隙間が発生しにくくなり、隙間への銅の埋め込み不良が発生しにくくなる。これにより、隙間による製造不良や信頼性劣化を防止することができる。メタルキャップの表面が窒化されていない従来技術においては、ビアエッチングのミスアラインメント部で銅ビア４のビアホールが下層銅配線２の側面にまで到達し、埋め込み不良を引き起こす原因となっていた（図６）。これに対し本実施例の配線構造では、窒化層８がエッチング停止層として機能するため銅ビア４のビアホールが下層銅配線２の側面にまで到達することがなく（図５）、コンタクトの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施の形態に係る配線構造の断面図である。
【図２】図１に示した配線構造の製造方法を示す工程図である。
【図３】図１に示した配線構造の製造方法を示す工程図である。
【図４】図１に示した配線構造の製造方法を示す工程図である。
【図５】実施例に係る配線構造の断面図である。
【図６】従来の配線構造の断面図である。
【図７】実施の形態に係る配線構造の断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１ 配線間層間膜
２ 下層銅配線
３ 上層銅配線
４ 銅ビア
５ 金属キャップ膜
６ 金属キャップ膜のシリサイド層
７ 金属キャップ膜の窒化層
８ 配線間層間膜の窒化層
１２ ＳｉＣＮ膜
１４ａ ＳｉＯＣ膜
１４ｂ ＳｉＯＣ膜
１６ ＳｉＯＣＮ層
１８ シリコン酸化膜
２０ ＳｉＣＮ膜
２２ａ 第一の銅配線
２２ｂ 第二の銅配線
２４ａ タンタル系バリアメタル膜
２４ｂ タンタル系バリアメタル膜
２６ａ 銅膜
２６ｂ 銅膜
２８ 接続プラグ
３０ タンタル系バリアメタル膜
３２ 銅膜
３４ キャップメタル
３５ キャップメタル窒化層
４０ 接続孔
５０ａ 稠密構造（非多孔質）のＳｉＯＣ膜
５０ｂ 稠密構造（非多孔質）のＳｉＯＣ膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた、凹部を有する絶縁膜と、
前記凹部に埋設された、銅を含む金属膜と、
前記金属膜の上部を覆う金属キャップ膜と、
を備え、
前記金属キャップ膜の少なくとも上部が窒化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記凹部が溝部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記凹部が孔であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜の少なくとも上部が窒化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記金属キャップ膜は、その上面が前記絶縁膜の上面よりも高い位置となるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、前記絶縁膜の表面が撥水性絶縁材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜がＳｉＯＣ膜であって、前記絶縁膜の表面にＳｉＯＣＮ層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記ＳｉＯＣ膜が、多孔質材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が多孔質材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜は、第１絶縁膜と、その上部に設けられた前記金属膜の上面と同水準の上面を有する第２絶縁膜とを含む積層構造からなり、
前記第１絶縁膜は多孔質膜であり、前記第２絶縁膜は稠密性の膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記金属膜は金属配線を構成し、
前記金属膜上に、前記金属膜とその上部に設けられた他の金属膜とを電気的に接続する導電プラグを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記導電プラグの幅と前記金属膜の幅とが、略同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去して凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部に、銅を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の表面に金属キャップ膜を形成する工程と、
前記金属キャップ膜の表面および前記絶縁膜の表面を窒化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３における半導体装置の製造方法であって、
前記金属キャップ膜および前記絶縁膜を窒素含有プラズマ中にさらすことにより、前記金属キャップ膜の表面および前記絶縁膜の表面を窒化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた、凹部を有する絶縁膜と、
前記凹部に埋設された、銅を含む金属膜と、
前記金属膜の上部を覆う金属キャップ膜と、
を備え、
前記金属キャップ膜の少なくとも上部が窒化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記凹部が溝部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記凹部が孔であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜の少なくとも上部が窒化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記金属キャップ膜は、その上面が前記絶縁膜の上面よりも高い位置となるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、前記絶縁膜の表面が撥水性絶縁材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜がＳｉＯＣ膜であって、前記絶縁膜の表面にＳｉＯＣＮ層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記ＳｉＯＣ膜が、多孔質材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が多孔質材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜は、第１絶縁膜と、その上部に設けられた前記金属膜の上面と同水準の上面を有する第２絶縁膜とを含む積層構造からなり、
前記第１絶縁膜は多孔質膜であり、前記第２絶縁膜は稠密性の膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記金属膜は金属配線を構成し、
前記金属膜上に、前記金属膜とその上部に設けられた他の金属膜とを電気的に接続する導電プラグを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記導電プラグの幅と前記金属膜の幅とが、略同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去して凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部に、銅を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の表面に金属キャップ膜を形成する工程と、
前記金属キャップ膜の表面および前記絶縁膜の表面を窒化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３における半導体装置の製造方法であって、
前記金属キャップ膜および前記絶縁膜を窒素含有プラズマ中にさらすことにより、前記金属キャップ膜の表面および前記絶縁膜の表面を窒化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−２５３６６６（Ｐ２００６−２５３６６６Ａ）
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３２３１４（Ｐ２００６−３２３１４）
【出願日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【出願人】（３０２０６２９３１）ＮＥＣエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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