【課題】ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法、例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができ、腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態であり、電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態。 （もっと読む）

【課題】多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム発生ユニット４０Ａ，４０Ｂの出射窓４０ｇから電子ビームＥＢがスキャン方向（第１方向）Ｙに走査されながら基板表面に照射されるとともに、当該基板Ｗが水平移動方向（第２方向）Ｘに移動して基板表面Ｗｆに対して電子ビームＥＢが２次元的に照射される。ここで、出射窓４０ｇと基板Ｗとの距離Ｄについては、基板Ｗに対応した値に調整される。また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、熱処理中のガス分布を改善する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、基板を処理する装置であって、処理空間を画定するチャンバ本体と、処理空間内に配置され、基板を支持して回転させる基板支持体と、チャンバ本体の入口に結合され、処理空間に第１のガス流を提供するガス入口アセンブリと、チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリとを含み、ガス入口アセンブリおよび排出アセンブリがチャンバ本体の両側に配置され、また排出アセンブリが、処理空間を拡張する排出空間を画定する装置を提供する。
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【課題】従来は良好な酸化膜／シリコン界面を得るための高温プラズマ酸化処理のように被処理体を極短時間高温にしてイオン及びラジカルを作用させる処理を、高エネルギー密度の光により変色する可能性のあるガラス基板上で行うことのできる処理装置がなかった。
【解決手段】プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 （もっと読む）

【課題】安定した原子レベルの平坦面（テラス）を有する半導体ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体の表面に絶縁膜が形成された半導体ウェーハであって、半導体と絶縁膜の界面が、平坦面（テラス）が結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有し、界面の任意の３μｍ×３μｍの領域を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の測定領域とした場合に、この測定領域において、段差に概ね垂直方向の、概ね０．３μｍ間隔の１０本の測線に沿って測定された平坦面の幅（テラス幅）の測定値の９０％以上が５０ｎｍ以上であり、測定領域において、段差に概ね垂直方向の１０本の測線に沿って測定された前記段差の高さ（ステップ高さ）の測定値の９０％以上が１原子層分の高さであることを特徴とする半導体ウェーハおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジストパターンを形成するためのリソグラフィー工程を行わずに、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体層をパターニングする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体材料を成膜することで、有機半導体層１７を形成する工程と、有機半導体層１７の所定箇所を露光し、露光された部分の有機半導体材料を酸化体に変化させる工程と、基体の表面に、上記酸化体を選択的に溶解する有機溶剤を供給し、酸化体を有機溶剤に溶解させて除去することで、有機半導体層１７をパターニングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板に対する熱処理を行うための方法及び装置を提供する。本発明の熱処理チャンバは、赤外放射線源及びＵＶ放射線源のような２つの異なるエネルギー源を備える。ＵＶ放射線源及び赤外放射線源は、熱処理チャンバの内側で、熱を供給し、電子を活性化し、又は活性種を生成するため単独で又は組み合わせて使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ基板を含む被処理基体において、周縁部から発生する被処理基体への金属汚染を抑制可能な周縁部処理方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
【解決手段】 シリコン系基板１１を含む被処理基体１０の周縁部の局所的加熱及び周縁部への反応種の選択的供給の少なくとも一方により、周縁部での酸化速度を、シリコン系基板１１の表面における自然酸化膜３３の酸化速度より高くし、周縁部に沿って、自然酸化膜３３の厚さよりも厚い酸化膜３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理物が有する物理特性が被処理物形状に対し非対称である場合においても、被処理物を均一に、あるいは、加熱処理後の被処理物に所望の物理的特性が付与されるように加熱することが可能な光照射式加熱方法を提供すること。
【解決手段】被処理物の場所的物理特性の計測値に基づいて輻射率分布を得て、被処理物上での光強度分布パターンを求める（Ｓ１，Ｓ２）。この光強度パターンに応じて、被処理物温度の略均一化を実現する光照射式加熱装置のランプユニットの各発光部分から放出される個々の光強度を事前に求め（Ｓ３）、この求めた結果に対応させて、ランプユニットの各発光部分から放出される光の強度を個別に制御して被処理物に光照射を行う（Ｓ４）。また、加熱処理後の被処理物に略均一な電気特性が付与されるような光強度分布パターンで加熱処理するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】低温でダメージの少ない良質な酸化膜を形成する方法とその装置を提供する。
【解決手段】酸化源を含む高圧溶液を基板表面に噴出することにより、基板表面層に局所的に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。また、基板を設置する設置台と、酸化源を含む溶液の供給源と、溶液に圧力をかける手段と、圧力のかかった溶液を基板表面に噴出する供給ノズルとを有する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 配線間に層間絶縁層として好適に用いることができるＳｉＯＣ膜の形成することができるＳｉＯＣ膜の形成方法およびＳｉＯＣ膜を提供することにある。
【解決手段】 本発明のＳｉＯＣ膜の形成方法は、
（ａ）基体上にシリコーンポリマー膜を形成する工程と、
（ｂ）前記シリコーンポリマー膜に高エネルギー線を照射することによりＳｉＯＣ膜に変える工程と、
（ｃ）前記第２の膜に脱水処理を施す工程と、を含む。 （もっと読む）