【課題】配線すべき複数の信号線を、ユーザの指定する目的に従って適切にグループ化する。
【解決手段】配線すべき複数の信号線を複数のグループに分けるための方法は、ユーザから、複数の信号線のグループ化の条件の指定を受け付けるステップと、指定された、グループ化の条件と、データ格納部に格納されている、複数の信号線の始点端子群と終点端子群との配置パターンとに基づいて、複数の信号線のグループ化の処理を切り替えて実施する実施ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層に形成される信号配線をなるべく迂回させずに配線できるように電源スタックビアが配置された半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、第１の方向に延伸された第１，第２の下層電源配線１１Ａ，１１Ｂと、第２の方向に延伸された第１，第２の上層電源配線１２Ａ，１２Ｂと、上層，下層電源配線を接続させる第１，第２接続部３Ａ，３Ｂと、を備え、第１，第２接続部は、第１，第２の接続用配線２６Ａ，２６Ｂと、第１，第２の位置変換用配線２７Ａ，２７Ｂと、第１，第２の上側ビア２８Ａ，２８Ｂと、を有して構成され、第１，第２の接続用配線は、第２の方向に沿った同一ライン上に配置され、第１，第２の位置変換用配線は、第１，第２の接続用配線を第２の方向に沿って延長した領域内に形成され、第１，第２の上側ビアは、第１の方向に沿った同一ライン上となる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 回路のレイアウト装置で，ＥＯＥの発生しやすい箇所を推定することを目的とする。
【解決手段】 回路レイアウト装置１は，被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部１１，回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り，各メッシュ領域について，メッシュ領域の配線密度とメッシュ領域の各辺に隣接する周辺領域の各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部１２，各メッシュ領域について，メッシュ領域と各周辺領域の密度の関係がＥＯＥの発生条件に該当するメッシュ領域を抽出し，そのエラー情報を生成するエラー抽出部１３を備える。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増加させることなく、効率良くリーク電流を抑制することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は論理が同一のセルＡ−１，Ｂ−１，Ｃ−１を備えている。セルＢ−１はセルＡ−１よりセル幅Ｗ２が大きいが、ＭＯＳトランジスタのゲート長Ｌ１はセルＡ−１と等しい。セルＣ−１は、セルＢ−１とセル幅Ｗ２が等しいが、ゲート長Ｌ２が大きいＭＯＳトランジスタを有しており、セルＡ−１，Ｂ−１と比べて回路遅延は遅くなるがリーク電流は小さくなる。このため例えば、空き領域に隣接したセルＡ−１をセルＢ−１に置き換え、タイミングに余裕があるパスにおけるセルＢ−１をセルＣ−１に置き換えることによって、チップ面積を増加させることなく、リーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】チップ内の温度差が小さい高信頼性の半導体集積回路を提供できるようにする。
【解決手段】熱解析部１１は、設計する半導体集積回路のデータから熱解析を行い、温度分布を算出し、ベクトル生成部１２は、算出された温度分布の温度勾配に応じたベクトルを生成し、ダミーパターン生成部１３は、生成されたベクトルにしたがってダミーパターンを生成し、半導体集積回路のレイアウトデータに追加する。このようなダミーパターンを生成することで、温度分布が平均化され、チップ内の温度差が小さい高信頼性の半導体集積回路を提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Ｇと、ドレイン電極Ｄと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される２つのソース電極Ｓと、を有するユニットＦＥＴと、前記ユニットＦＥＴが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットＦＥＴ間に存在する２つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第１の接地インダクタンス値を有する第１のビアホール１８Ｋと、隣り合うユニットＦＥＴが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第２の接地インダクタンス値を有する第２のビアホール１８Ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を抑制しつつ、ダミー配線パターンの配置にかかる工数を低減する。
【解決手段】レイアウト設計方法は、レイアウト設計装置が、レイアウト領域に対して、半導体集積回路の配置配線（Ｓ１）を行った後、レイアウト領域に配置されているバルクセルを抽出し（Ｓ２）、レイアウト領域において、抽出したバルクセルの周囲に、所定の大きさを備える空き配線領域が存在するかどうかを検索し（Ｓ３）、検索の結果、所定の大きさを備える空き配線領域を検出した場合、抽出したバルクセルの座標を基準にして、検出した空き配線領域にダミー配線パターンを配置（Ｓ４）する。 （もっと読む）

【課題】より多くのＩ／Ｏセルを配置することができるようにする。
【解決手段】多層配線層には、電位供給用接続配線２３０が設けられている。電位供給用接続配線２３０は、平面視で外周セル列２０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれか、および内周セル列３０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれかと重なっている。そして電位供給用接続配線２３０は、外周セル列２０の下方に位置する電源電位供給配線２２２を、内周セル列３０の下方に位置する電源電位供給配線２２２に接続するとともに、外周セル列２０の下方に位置する接地電位供給配線２２４を、内周セル列３０の下方に位置する接地電位供給配線２２４に接続している。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを縮小する。
【解決手段】レイアウト設計方法は、レイアウト設計装置が、半導体集積回路のレイアウト設計を階層別に行う階層レイアウト設計における上位階層において、上位階層の下の階層で配置配線が行われる所定の機能を備えた階層ブロックが配置される領域であって、空きユニットセル配置領域３と階層ブロック用のユニットセル配置領域４とを含む階層ブロック配置領域２を、チップ領域１に設定し、チップ領域１における階層ブロック配置領域２を包囲する周辺領域５のユニットセル配置領域、および、階層ブロック配置領域２内の空きユニットセル配置領域３を用いて、配置配線を行う。 （もっと読む）

【課題】セル高さが低減した場合であっても、容量セルの容量値を十分に確保可能なレイアウト構成を提供する。
【解決手段】第１の電源電圧を供給する電源配線１１が第１の方向に延びており、電源配線１１と平行に、第２の電源電圧を供給する電源配線１２および第３の電源電圧を供給する電源配線１３が延びている。容量素子１６は、ソースおよびドレインに第１の電源電圧が与えられ、ゲートに第２または第３の電源電圧が与えられるトランジスタによって構成されている。容量素子１６は電源配線１１の下に、電源配線１２側の領域から電源配線１３側の領域にわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の設計ＴＡＴを短縮する。
【解決手段】本発明による半導体集積回路の設計方法は、コンピュータ装置１０によって実行される半導体集積回路の設計方法であって、論理セル５００と配線セル４００をチップ上に配置するステップと、論理セル５００内のゲート５０５に対するアンテナルール１２２を配線セル４００の第１アンテナ用ライブラリ１０１に追加することで、第１アンテナ用ライブラリ１０１を第２アンテナ用ライブラリ２０１に変更するステップと、配線セル４００と他の論理セル５１０を第１配線５５０で接続するステップと、第２アンテナ用ライブラリ２０１に規定されたアンテナルール１２２に従い、ゲート５０５の面積に対する前記第１配線５５０の面積の比を検証する第１検証ステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の電源電圧を有する半導体装置設計の自動化による作業工数の削減とレイアウト面積の省面積化を図ることが可能な自動配置配線装置を提供する。
【解決手段】処理部は、自動配置の結果から複数のセル間を接続する複数の配線経路であって、第１のパワードメイン中のセルから第２のパワードメイン中のセルへ接続される配線経路を抽出する（１６）。処理部は、第１のパワードメインと第２のパワードメインとの各々の動作モード毎の電源活性情報を抽出し（１７）、第１のパワードメインと第２のパワードメインとが活性状態であるときに活性状態である第３のパワードメインを抽出し（１８）、特定セルの仕様項目違反を解消するために、第３のパワードメインに追加セルを挿入し（１９）、かつ、第１のパワードメイン中の特定セルと第２のパワードメイン中の特定セルとの間を追加セルを経由して配線する（２２）。 （もっと読む）

【課題】従来の設計支援装置により生成したインダクタは、周囲の回路の影響により特性ずれが生じる問題があった。
【解決手段】本発明の設計支援装置は、生成対象のインダクタに接続される接続対象回路領域の第１、第２の接続端子の位置情報を回路設計情報から生成されるフロアプラン結果から得て、インダクタを他の回路と接続する第３、第４の接続端子を、第１の接続端子と第３の接続端子との間及び第２の接続端子と第４の接続端子との間が最短の配線によって接続可能な位置に設定する端子位置設定部１０と、第３、第４の接続端子の位置を基準としてインダクタの配線パターンを生成し、当該配線パターンに基づきインダクタのレイアウト情報を生成するパターン生成部１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線及びビア間接続の信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の異なる高さに配置され、配線が形成された複数の配線層と、前記配線層の積層方向に延びる柱状に形成され、異なる複数の前記配線層の配線間を電気的に接続するビアとを備える。前記配線の一部は、前記ビアの中間部において前記ビアに接触する中間配線であり、所定の前記配線層の中間配線は、前記ビアを前記積層方向に直交する方向で貫通し、且つ、上面、下面及び両側面において前記ビアと接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の下位階層ブロックに跨るセル同士を各下位階層ブロックに設けた端子を経由して相互に接続する場合に、セル間を結ぶ経路が迂回経路となること。
【解決手段】階層レイアウト設計装置は、第１の下位階層ブロックに含まれるセルから出力された信号を受信する出力端子を該セルの近傍に配置する出力端子配置部と、第２の下位階層ブロックに含まれる複数のセルへ前記出力端子から出力された信号を供給する入力端子を、該複数のセルを囲む最小の矩形領域の境界上であって、前記出力端子が配置された箇所からの距離が最短の箇所に配置する入力端子配置部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】配線の遅延特性のばらつきを抑制すること。
【解決手段】回路設計支援装置１は、設定部１ａと生成部１ｂとを有している。設定部１ａは、半導体集積回路モデル２の層２ａ、２ｂそれぞれに、積層方向および面方向に隣接するユニット３の配線方向が互いに異なる方向に配線が生成される複数の矩形のユニット３を設定する。生成部１ｂは、ユニット３の境界で異なる層のユニット３に跨る配線を生成する。 （もっと読む）

【課題】設計時間とコンピュータ資源の消費とを抑えつつ、配線性を向上させることができる配線方法を提供する。
【解決手段】始点から、第１の配線形成用格子を連続的になぞって、複数の第１の交点のうちから選択された１つの第１の選択済交点まで、追加配線を伸ばすステップと、設計済配線及び設計済ビアの位置に基づいて、第１の配線層上に追加ビアを配置することができる第１のビア配置可能領域と、第２の配線層上に追加ビアを配置することができる第２のビア配置可能領域とを算出するステップと、第１の選択済交点を下面の領域内のいずれかの位置に含む追加ビアを、下面が第１のビア配置可能領域に含まれ、且つ、上面が第２のビア配置可能領域に含まれるように配置するステップと、追加ビアから、第２の配線形成用格子を連続的になぞって、終点まで追加配線を伸ばすステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】プロセスマージンを大きく取れる配線配置構造を提供する。
【解決手段】基板上に形成された複数の第１配線６を含む第１配線層と、第１配線層上に形成され、第１配線６に接続された複数のビアコンタクト１０を含むコンタクト層と、コンタクト層上に形成され、ビアコンタクト１０に接続された複数の第２配線１４を含む第２配線層とを備える半導体装置において、コンタクトピッチは、第１配線６の最小配線ピッチ、又は、第２配線１４の最小配線ピッチ、よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の配線設計において、配線領域上の配線要求群に対して配線経路探索を効率的に行う半導体集積回路設計装置を提供する。
【解決手段】チップ情報記憶部１９により、ネットリスト及び配線格子情報が記憶される。配線要求クラスタリング部１２により、配線要求クラスタが生成される。配線格子クラスタリング部１３により、配線格子クラスタが生成される。配線経路探索繰返し手段（配線経路探索部１４、配線要求クラスタ分解部１５、経路探索終了条件判定部１６、配線格子クラスタ分解部１７、配線格子レベル判定部１８）により、配線要求クラスタに対する配線経路探索が配線格子クラスタ上で行われ、配線要求クラスタの分解、配線格子クラスタの分解及び配線経路探索が、配線経路探索用の配線格子が最細粒度配線格子のレベルに分解されるまで繰り返される。 （もっと読む）