回路のレイアウト装置，処理方法およびプログラム
【課題】 回路のレイアウト装置で，ＥＯＥの発生しやすい箇所を推定することを目的とする。
【解決手段】 回路レイアウト装置１は，被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部１１，回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り，各メッシュ領域について，メッシュ領域の配線密度とメッシュ領域の各辺に隣接する周辺領域の各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部１２，各メッシュ領域について，メッシュ領域と各周辺領域の密度の関係がＥＯＥの発生条件に該当するメッシュ領域を抽出し，そのエラー情報を生成するエラー抽出部１３を備える。
【解決手段】 回路レイアウト装置１は，被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部１１，回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り，各メッシュ領域について，メッシュ領域の配線密度とメッシュ領域の各辺に隣接する周辺領域の各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部１２，各メッシュ領域について，メッシュ領域と各周辺領域の密度の関係がＥＯＥの発生条件に該当するメッシュ領域を抽出し，そのエラー情報を生成するエラー抽出部１３を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ＬＳＩ製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ製造において，近年主流となっている銅配線は，回路の絶縁素材上に生成された配線溝に銅メッキを施し，配線溝を銅で埋めるＥＣＰ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｌａｔｉｎｇ）により作成される。しかし，ＥＣＰの場合には，回路の配線溝上だけでなく同時に絶縁素材上全体をも銅メッキで覆われてしまうため，配線パターンを露出させるために，さらに銅メッキを研磨（平坦化）する工程が行われる。この研磨工程は，ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）と呼ばれる。
【０００３】
ＣＭＰにおいて，例えば，絶縁素材上の銅メッキに対する研磨の場合のように，複数の素材を研磨する場合に，各素材の研磨レートに差があるため，素材の密度分布に偏りがあるときに，ＥＯＥ（Ｅｄｇｅ Ｏｖｅｒ Ｅｒｏｓｉｏｎ）と呼ばれる過研磨現象が生じることが知られている。
【０００４】
図８は，被研磨対象物が絶縁素材と銅（Ｃｕ）である場合のＣＭＰにおける研磨不良の例を示す図である。
【０００５】
図８において，横軸は，被研磨対象物での位置，縦軸は，研磨後の相対的な高さを表している。従来のエロージョン（Ｅｒｏｓｉｏｎ），ディッシング（Ｄｉｓｈｉｎｇ）などの過研磨に対し，ＥＯＥは，ある領域が素材の研磨レート以上に急激に研磨される現象である。このＥＯＥの発生メカニズムは，まだはっきりと知られていない。
【０００６】
従来，ＣＭＰにおける過研磨による不良を防止するために，ダミーの配線パターンを挿入することにより異なる素材の密度分布を均一にして，過研磨が生じやすい箇所をなくすことが行われていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２２２２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＯＥは，ある領域の急激な過研磨現象であり，２つの被研磨素材の研磨レートの差が大きい場合，さらに，素材の密度分布に偏りがある場合に，発生しやすいと考えられる。特に，後者の，素材の密度分布に偏りに関しては，図８にも表れているように，低密度領域と接する高密度領域で発生しやすいと考えられている。
【０００９】
しかし，従来，絶縁素材と配線素材の２つの素材に対するＣＭＰにおけるＥＯＥの発生箇所を特定することは，以下の問題により実現が困難である。
【００１０】
（１） 従来のダミー配線の挿入による密度均一化の処理では，以下のような点からＥＯＥの発生を防ぐことができない。
（ａ）ＥＯＥは，通常の密度の上下限でも発生する恐れがあるが，密度の上下限をより厳しく設定すると，ダミー配線を無理に詰め込むことになり，ダミー配線数の増加や配線形状の複雑化が生じ，データサイズが増大してしまう。
（ｂ）本来の配線にダミー配線が近接する状態が生じるため，遅延などが変化してしまい，回路性能に影響を及ぼすことがある。
（ｃ）手動操作によってダミー配線を強引に挿入して密度の均一化を行うと，ダミー配線が不規則に並ぶことになるため，データ量が膨大なものとなり，処理負荷が非常に大きなものになってしまう。
【００１１】
（２） ダミー配線の挿入による密度均一化を行っても，どうしても密度の偏りが生じるが，その際に，ＥＯＥが発生すかどうかが不明であった。また，ＥＯＥの研磨量のモデルが未だ知られていないため，ＣＭＰのシミュレーションなどによって事前にＥＯＥの発生を知ることが困難であった。そのため，実際の研磨工程において初めてＥＯＥの発生が判明するという問題がある。
【００１２】
１つの側面では，本発明は，回路レイアウトの際に，ＥＯＥ（Ｅｄｇｅ Ｏｖｅｒ Ｅｒｏｓｉｏｎ）が発生する可能性がある箇所を抽出できる回路レイアウト技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様として開示する回路のレイアウト装置は，１）研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部と，２）前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域である周辺領域の各々における配線密度の平均密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部と，３）前記回路の各メッシュ領域について，該メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域と各周辺領域の密度の関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域を抽出し，抽出したメッシュ領域と該メッシュ領域の各周辺領域の密度差を示すエラー情報を生成するエラー抽出部とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
開示の回路のレイアウト装置によれば，ＥＯＥが発生する可能性がある箇所をエラーとして抽出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】研磨密度が異なる２素材に対するＣＭＰにおいてＥＯＥが発生しやすい箇所の例を示す図である。
【図２】開示する回路レイアウト装置の一実施例における構成例を示す図である。
【図３】一実施例におけるメッシュ領域および周辺領域の例を示す図である。
【図４】一実施例におけるメッシュ領域の配線密度の例を示す図である。
【図５】一実施例におけるメッシュ情報の例を示す図である。
【図６】一実施例におけるメッシュ領域と隣接する周辺領域との比較例を示す図である。
【図７】一実施例における回路レイアウト装置の概要処理フロー例を示す図である。
【図８】被研磨対象物が絶縁素材と銅である場合のＣＭＰにおける研磨不良の例を示す図である。
【図９】回路レイアウト装置のハードウェア構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
ＥＯＥは，２つの被研磨素材（絶縁素材と配線素材）の研磨レートの差が大きく，２つの素材の密度分布に偏りがある場合，特に，低密度領域と接する高密度領域で発生しやすいことが知られている。
【００１７】
図１は，研磨密度が異なる２素材に対するＣＭＰにおいてＥＯＥが発生しやすい箇所の例を示す図である。
【００１８】
図１に示す例では，広い高密度の領域と広い低密度の領域との境界の高密度領域側の範囲を示す範囲ＡではＥＯＥが発生しやすく，狭い高密度の領域と狭い低密度の領域の境界の範囲を示す範囲ＢではＥＯＥは発生しない。
【００１９】
本発明の一態様として開示する回路レイアウト装置は，ＬＳＩ等の回路のレイアウト処理を行い，さらに，ＣＭＰ（研磨）工程での研磨故障を軽減するために，研磨故障となるＥＯＥが発生しやすい箇所を抽出し，さらに，抽出した箇所に対する修正を行うものである。
【００２０】
回路レイアウト装置は，回路の各層の平面を小さな単位領域で区切り，区切った判定対象の領域の配線密度とその領域に隣接する四方の大きな領域各々の配線密度と比較する。そして，回路レイアウト装置は，両者の配線密度の関係が，ＥＯＥが発生しやすい箇所の条件を満たすかを判定し，例えば，図１の範囲Ａに示すような箇所のみをエラー領域として抽出する機能を有する。さらに，回路レイアウト装置は，エラー領域として抽出した領域に対して，ダミー配線を用いた配線パターンの修正を行う機能を有する。
【００２１】
図２は，開示する回路レイアウト装置の一実施例における構成例を示す図である。
【００２２】
回路レイアウト装置１は，上述の機能を実現するため，回路情報取得部１１，メッシュ情報生成部１２，エラー抽出部１３，エラー情報記憶部１４，エラー情報ソート部１５，エラー修正部１６を備える。
【００２３】
回路情報取得部１１は，処理対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する。回路情報は，例えば，マスクＣＡＤなどから出力されるＧＤＳＩＩなどの情報である。回路情報は，既にダミー配線の挿入によるパターン修正が施された配線パターンのものであってもよい。
【００２４】
メッシュ情報生成部１２は，処理対象となる回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り，区切った各メッシュ領域について，そのメッシュ領域の配線密度とメッシュ領域の四方に各辺に隣接する各周辺領域の配線密度とを示すメッシュ情報を生成する。
【００２５】
より具体的には，メッシュ情報生成部１２は，矩形の単位領域を用いて回路をメッシュ状に区切ってメッシュ領域を設定し，さらに，メッシュ領域の四辺の１つに隣接する周辺領域をそれぞれ設定する。
【００２６】
単位領域のサイズは，ユーザによって任意のサイズに定義され，例えば，数十ナノメートル［ｎｍ］（例えば４０ｎｍ）などである。周辺領域は，複数の単位領域（メッシュ領域）分の広さに相当する矩形の領域である。
【００２７】
さらに，メッシュ情報生成部１２は，回路情報取得部１１が取得した回路情報をもとに，メッシュ領域ｔの配線密度を計算する。さらに，メッシュ情報生成部１２は，各周辺領域ｐについて，周辺領域ｐを構成する各メッシュ領域の配線密度の平均密度を計算し，周辺領域の配線密度とする。さらに，メッシュ情報生成部１２は，メッシュ領域ｔの配線密度と，各周辺領域ｐの配線密度との密度差を計算する。
【００２８】
メッシュ情報生成部１２は，各メッシュ領域ｔとその周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４との密度の関係を示すメッシュ情報を生成して保持する。
【００２９】
図３は，一実施例におけるメッシュ領域および周辺領域の例を示す図である。
【００３０】
図３に示す例では，回路をメッシュ状に区切った場合の状態を示す。回路内の１つの濃い灰色の矩形は，メッシュ領域ｔを表す。メッシュ領域ｔに接する破線で示される大きな４つの矩形は，周辺領域ｐ（ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４）を表す。周辺領域ｐ（ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４）は，ユーザにより定義され，複数のメッシュ領域ｔ（数十〜数百のメッシュ領域）に相当する矩形の領域として設定される。
【００３１】
図４は，一実施例におけるメッシュ領域の配線密度の例を示す図である。
【００３２】
図４は，あるメッシュ領域ｔの配線パターンの例であり，濃い灰色の部分が回路の絶縁素材の範囲を，薄い灰色の部分が配線素材（銅）の範囲を表す。さらに，絶縁素材の範囲に対する配線素材の範囲の密度，すなわち配線密度が２５％であることを示している。
【００３３】
なお，本実施例において，回路の配線素材として，銅（Ｃｕ）を用いる。よって，配線密度は，銅密度と言い換えることができる。
【００３４】
図５は，一実施例におけるメッシュ情報の例を示す図である。
【００３５】
メッシュ情報は，回路が複数層である場合のメッシュ領域ｔが属する回路の層を示す「レイヤ」，回路平面上でのメッシュ領域ｔの座標位置（ｘ，ｙ）を示す「位置」，メッシュ領域ｔの配線密度を示す「密度」，各周辺領域ｐの密度を示す「周辺密度」，メッシュ領域ｔの密度と各周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４の密度との密度差を示す「密度差」，ＥＯＥの発生条件を満たすメッシュ領域であるかを示す「エラーフラグ」，エラーと判定されたメッシュ領域に対する修正が実行されたことを示す「修正フラグ」などのデータ項目を有する。
【００３６】
メッシュ情報の「エラーフラグ」は，エラー抽出部１３の処理結果にもとづいて，メッシュ領域が発生条件を満たす場合に“１（エラー）”が，発生条件を満たさない場合に“０（否）”が設定される。
【００３７】
「修正フラグ」は，エラー修正部１６の処理結果にもとづいて，メッシュ領域に対するパターン修正が行われた場合に“１（修正済み）”が，パターン修正が行われなかった場合に“０（否）”が設定される。
【００３８】
エラー抽出部１３は，回路の全メッシュ領域について，それぞれ，そのメッシュ領域ｔのメッシュ情報をもとに，メッシュ領域ｔの密度と各周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４の密度との関係が，過研磨が発生する条件（ＥＯＥの発生条件）に該当するかを判定する。
【００３９】
エラー抽出部１３は，ＥＯＥの発生条件として，例えば以下のような条件を保持する。
・ メッシュ領域の密度と周辺領域の密度の密度差が閾値以上である。
・ メッシュ領域の密度または周辺領域の密度が，低密度の閾値以下である。
・ メッシュ領域の密度または周辺領域の密度が，高密度の閾値以上である。
【００４０】
発生条件は，予めユーザによって，材料評価用テスト回路パターン（ＴＥＧ）により収集された密度情報などをもとに，数式，条件式等で定義される。
【００４１】
エラー抽出部１３は，保持する発生条件をもとに，メッシュ領域ｔとその周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４についてそれぞれ判定処理を行う。
【００４２】
図６は，一実施例におけるメッシュ領域と隣接する周辺領域との比較例を示す図である。
【００４３】
エラー抽出部１３は，図６（Ａ）に示すような回路の１つのメッシュ領域ｔを判定対象とする場合に，図６（Ｂ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度とその左辺側に隣接する周辺領域ｐ１の密度とを比較し，両者の密度差が発生条件の閾値以上であるかを判定する。さらに，エラー抽出部１３は，図６（Ｃ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と右辺側に隣接する周辺領域ｐ２の密度とを，図６（Ｄ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と下辺側に隣接する周辺領域ｐ３の密度とを，図６（Ｅ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と上辺側に隣接する周辺領域ｐ４の密度とをそれぞれ比較し，密度差が発生条件の閾値以上であるかを判定する。
【００４４】
ここで，図６（Ａ）に示すメッシュ領域ｔが，回路において配線密度が高い領域に属している場合には，図６（Ｆ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と右辺側の周辺領域ｐ２の密度との密度差が非常に大きくなる。よって，発生条件に定義された閾値以上となるため，発生条件を満たすことになる。エラー抽出部１３は，メッシュ領域ｔの密度が周辺領域ｐ２との関係で発生条件を満たすと判定する。エラー抽出部１３は，回路に設定した全てのメッシュ領域について，それぞれ隣接する全ての周辺領域との密度差を判定する。
【００４５】
エラー抽出部１３は，メッシュ領域ｔが発生条件を満たすと判定した場合に，そのメッシュ領域ｔのメッシュ情報をエラー情報とし，エラー情報の該当する周辺領域ｐに対する「エラーフラグ」に“１”を設定し，エラー情報記憶部１４に格納する。
【００４６】
エラー情報記憶部１４は，エラー抽出部１３によって抽出されたエラー情報を記憶する。
【００４７】
エラー情報ソート部１５は，エラー情報記憶部１４に格納されているエラー情報を，その「密度差（メッシュ領域の密度とその周辺領域の密度との密度差）」が大きい順にソートし，ソート結果を示すソートリストを生成する。ソートリストは，例えば，エラー情報から抽出された「レイヤ」，「位置」，エラー判定となった「周辺領域」，エラー判定となった周辺領域との「密度差」などのデータ項目を含む。
【００４８】
エラー修正部１６は，エラー情報記憶部１４に格納されているエラー情報，または，エラー情報ソート部１５により生成されたエラーリストをもとに，エラーと判定されたメッシュ領域の配線パターンの修正処理を行う。エラー修正部１６は，既知のダミー配線を用いたパターン修正処理を行い，例えば，メッシュ領域内に設定されているダミー配線を削除して，新たにダミー配線を挿入したり，既に設定されているダミー配線間に，より小型のダミー配線を追加して挿入したりして，配線パターンを変更する。
【００４９】
さらに，エラー修正部１６は，メッシュ領域の配線パターンを修正した場合に，対応するエラー情報の「修正フラグ」に“１（エラー）”を設定する。
【００５０】
次に，回路レイアウト装置１の処理の流れを説明する。
【００５１】
図７は，一実施例における回路レイアウト装置の概要処理フロー例を示す図である。
【００５２】
回路レイアウト装置１において，回路情報取得部１１は，被研磨対象の回路の回路情報を取得する（ステップＳ１）。
【００５３】
メッシュ情報生成部１２は，回路をメッシュ状に区切ってメッシュ領域と，メッシュ領域に対応する４つの周辺領域とを設定し，各メッシュ領域について，自メッシュ領域の密度と，各周辺領域の密度（周辺領域を構成するメッシュ領域の平均密度）とを含むメッシュ情報を生成する（ステップＳ２）。
【００５４】
回路レイアウト装置１において，処理が終了条件に該当するかが判定される（ステップＳ３）。終了条件は，「処理の繰り返しの回数が一定回数に達しているか」，「エラーとなったメッシュ領域の数が一定の数以下となったか」などの条件とする。
【００５５】
処理が終了条件に該当していなければ（ステップＳ３のＮ），エラー抽出部１３は，回路内の全てのメッシュ領域について発生条件による判定処理を行い，エラーと判定したメッシュ領域を抽出し，そのメッシュ領域のメッシュ情報をエラー情報としてエラー情報記憶部１４に格納する（ステップＳ４）。
【００５６】
次に，エラー情報ソート部１５は，エラー情報記憶部１４に記憶されているエラー情報を，メッシュ領域とその周辺領域との密度差でソートし，ソートリストを生成する（ステップＳ５）。エラー修正部１６は，ソートリストをもとに，メッシュ領域とその周辺領域との密度差が大きいメッシュ領域から順に，ダミー配線によるパターン修正を行う（ステップＳ６）。
【００５７】
一方，処理が終了条件に該当していれば（ステップＳ３のＹ），さらに，回路レイアウト装置１において，回路の全ての層について処理が終了したかが判定される（ステップＳ７）。回路の全層について処理が終了していなければ（ステップＳ７のＮ），ステップＳ３の処理へ戻され，回路の全層について処理が終了していれば（ステップＳ７のＹ），処理を終了する。
【００５８】
上記の処理フローにおいて処理が繰り返される場合に，ステップＳ６の処理において，エラー修正部１６は，処理の繰り返し回数に応じて，または，メッシュ領域の密度に応じて，エラーとなったメッシュ領域に対するパターン修正の内容を変えるようにしてもよい。例えば，エラー修正部１６は，繰り返し回数に応じて，挿入するダミー配線のパターンを変更し，繰り返し回数が増えるごとに，より高密度となるようなダミー配線のパターンを採用して配線パターンを変更する。または，エラー修正部１６は，低密度のメッシュ領域に対してサイズが大きいダミー配線を挿入し，高密度のメッシュ領域に対してサイズが小さいダミー配線を挿入するなどして配線パターンを変更する。
【００５９】
図９は，上記の回路レイアウト装置１のハードウェア構成の一例を示す図である。
【００６０】
回路レイアウト装置１は，図９に示すコンピュータ１００として実施することができる。コンピュータ１００は，例えば，演算装置（ＣＰＵ：Central Processing Unit）１０１，メモリ１０２，入力装置１０３，出力装置１０４，外部記憶装置１０５，ネットワーク接続装置１０６，媒体駆動装置１０７などを備え，これらの各装置がバス１０８に接続された構成である。
【００６１】
ＣＰＵ１０１は，コンピュータ１００の全体を制御する。メモリ１０２は，プログラムの実行やデータ更新などの処理において，外部記憶装置１０５や可搬型の記憶媒体に記憶されているプログラムやデータを一時的に格納するＲＡＭ（Random Access Memory）などである。メモリ１０２は，ＣＰＵ１０１に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラム，アプリケーションプログラム，ＣＰＵ１０１による処理に必要な各種データの少なくとも一部が一時的に格納される。
【００６２】
入力装置１０３は，例えばキーボード，マウス，タッチパネルなどである。出力装置１０４は，例えばディスプレイなどである。外部記憶装置１０５は，例えばハードディスク装置などである。外部記憶装置１０５には，プログラムやデータが格納される。
【００６３】
ネットワーク接続装置１０６は，インターネットなどのネットワークに接続し，外部の情報処理装置とプログラムやデータの送受信を行う。
【００６４】
媒体駆動装置１０７は，可搬型の記憶媒体に記憶されたプログラムやデータを読み出す。可搬型の記憶媒体は，例えば，ＦＤ（フレキシブルディスク），ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ，光磁気ディスクなどの媒体である。
【００６５】
コンピュータ１００のＣＰＵ１０１は，メモリ１０２に読み出したプログラムやデータを用いて，回路レイアウト装置１の上述した実施例に示す処理を含む各種処理を実行する。
【００６６】
すなわち，回路レイアウト装置１の回路情報取得部１１，メッシュ情報生成部１２，エラー抽出部１３，エラー情報ソート部１５，エラー修正部１６などは，プログラムで構成することができ，これらのプログラムがメモリ１０２にロードされてＣＰＵ１０１で実行されることにより，回路レイアウト装置１の上述の処理部が有する各機能が実現される。また，エラー情報記憶部１４などは外部記憶装置１０５に対応する。
【００６７】
なお，回路レイアウト装置１の各処理および機能を実現するプログラムおよびデータは，必ずしも外部記憶装置１０５に記憶されている必要はなく，可搬型の記憶媒体に記憶されているプログラムおよびデータが，媒体駆動装置１０７によって読み取られ，メモリ１０２に格納されるようにしてもよい。さらに，ネットワーク接続装置１０６が，公衆回線，インターネット，ＬＡＮ，ＷＡＮなどのネットワークを介して他のコンピュータなどに記憶された上述のプログラムおよびデータを取得するようにしてもよい。
【００６８】
以上，本発明の一態様として開示する回路レイアウト装置１について詳細に説明したが，本発明は上述する実施形態に限定されず，本発明の要旨を逸脱しない範囲において，各種の改良および変更を行ってもよいことは当然である。
【００６９】
本発明の一態様として開示する回路レイアウト装置１は，エラー抽出部１３により，回路内の各メッシュ領域の密度を，メッシュ領域の四方向について，隣接する相当程度に広い周辺領域の密度と比較し，ＥＯＥの発生条件に該当するかを判定する。よって，回路レイアウト装置１は，高密度の広領域と低密度の広領域との境界の高密度領域側に該当するような部分（メッシュ領域）をエラーとして抽出することができ，従来では，推定することが困難であったＥＯＥが発生する可能性がある箇所を局所的に抽出することができる。
【００７０】
また，回路レイアウト装置１は，エラー抽出部１３により，エラーと判定したメッシュ領域と周辺領域との密度を示すエラー情報を生成する。よって，回路レイアウト装置１は，実際の研磨（ＣＭＰ）工程を行うことなく，ＥＯＥが発生しやすい箇所に関する情報をエラー情報として提供することができる。
【００７１】
さらに，回路レイアウト装置１は，エラー修正部１６により，エラーと判定されたメッシュ領域，すなわちＥＯＥが発生する可能性がある領域に対してパターンを修正する。よって，回路レイアウト装置１は，回路内でＥＯＥが発生する可能性がある箇所を局所的に修正することができ，処理負荷を抑えて効率的に修正を行うことができる。
【００７２】
また，回路レイアウト装置１は，エラー情報ソート部１５により，エラー情報を，メッシュ領域と周辺領域との密度差が大きい順にソートする。よって，回路レイアウト装置１は，密度差が大きくＥＯＥが発生する可能性がより高い箇所から，より効率的にパターン修正を行うことができる。
【００７３】
したがって，回路レイアウト装置１は，次のような効果を奏する。
・ 実際にＣＭＰを行うことなく，回路の配線パターンおよびＴＥＧなどのテスト情報にもとづいて，回路内でＥＯＥが発生する可能性がある箇所を抽出することができる。
・ 抽出されたＥＯＥが発生しやすい箇所に対して局所的にパターン修正を行うことができるため，処理負荷やデータサイズの増大を招くことなく，効率的にダミー配線の挿入を行うことができる。
【符号の説明】
【００７４】
１ 回路レイアウト装置
１１ 回路情報取得部
１２ メッシュ情報生成部
１３ エラー抽出部
１４ エラー情報記憶部
１５ エラー情報ソート部
１６ エラー修正部
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ＬＳＩ製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ製造において，近年主流となっている銅配線は，回路の絶縁素材上に生成された配線溝に銅メッキを施し，配線溝を銅で埋めるＥＣＰ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｌａｔｉｎｇ）により作成される。しかし，ＥＣＰの場合には，回路の配線溝上だけでなく同時に絶縁素材上全体をも銅メッキで覆われてしまうため，配線パターンを露出させるために，さらに銅メッキを研磨（平坦化）する工程が行われる。この研磨工程は，ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）と呼ばれる。
【０００３】
ＣＭＰにおいて，例えば，絶縁素材上の銅メッキに対する研磨の場合のように，複数の素材を研磨する場合に，各素材の研磨レートに差があるため，素材の密度分布に偏りがあるときに，ＥＯＥ（Ｅｄｇｅ Ｏｖｅｒ Ｅｒｏｓｉｏｎ）と呼ばれる過研磨現象が生じることが知られている。
【０００４】
図８は，被研磨対象物が絶縁素材と銅（Ｃｕ）である場合のＣＭＰにおける研磨不良の例を示す図である。
【０００５】
図８において，横軸は，被研磨対象物での位置，縦軸は，研磨後の相対的な高さを表している。従来のエロージョン（Ｅｒｏｓｉｏｎ），ディッシング（Ｄｉｓｈｉｎｇ）などの過研磨に対し，ＥＯＥは，ある領域が素材の研磨レート以上に急激に研磨される現象である。このＥＯＥの発生メカニズムは，まだはっきりと知られていない。
【０００６】
従来，ＣＭＰにおける過研磨による不良を防止するために，ダミーの配線パターンを挿入することにより異なる素材の密度分布を均一にして，過研磨が生じやすい箇所をなくすことが行われていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２２２２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＯＥは，ある領域の急激な過研磨現象であり，２つの被研磨素材の研磨レートの差が大きい場合，さらに，素材の密度分布に偏りがある場合に，発生しやすいと考えられる。特に，後者の，素材の密度分布に偏りに関しては，図８にも表れているように，低密度領域と接する高密度領域で発生しやすいと考えられている。
【０００９】
しかし，従来，絶縁素材と配線素材の２つの素材に対するＣＭＰにおけるＥＯＥの発生箇所を特定することは，以下の問題により実現が困難である。
【００１０】
（１） 従来のダミー配線の挿入による密度均一化の処理では，以下のような点からＥＯＥの発生を防ぐことができない。
（ａ）ＥＯＥは，通常の密度の上下限でも発生する恐れがあるが，密度の上下限をより厳しく設定すると，ダミー配線を無理に詰め込むことになり，ダミー配線数の増加や配線形状の複雑化が生じ，データサイズが増大してしまう。
（ｂ）本来の配線にダミー配線が近接する状態が生じるため，遅延などが変化してしまい，回路性能に影響を及ぼすことがある。
（ｃ）手動操作によってダミー配線を強引に挿入して密度の均一化を行うと，ダミー配線が不規則に並ぶことになるため，データ量が膨大なものとなり，処理負荷が非常に大きなものになってしまう。
【００１１】
（２） ダミー配線の挿入による密度均一化を行っても，どうしても密度の偏りが生じるが，その際に，ＥＯＥが発生すかどうかが不明であった。また，ＥＯＥの研磨量のモデルが未だ知られていないため，ＣＭＰのシミュレーションなどによって事前にＥＯＥの発生を知ることが困難であった。そのため，実際の研磨工程において初めてＥＯＥの発生が判明するという問題がある。
【００１２】
１つの側面では，本発明は，回路レイアウトの際に，ＥＯＥ（Ｅｄｇｅ Ｏｖｅｒ Ｅｒｏｓｉｏｎ）が発生する可能性がある箇所を抽出できる回路レイアウト技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様として開示する回路のレイアウト装置は，１）研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部と，２）前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域である周辺領域の各々における配線密度の平均密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部と，３）前記回路の各メッシュ領域について，該メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域と各周辺領域の密度の関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域を抽出し，抽出したメッシュ領域と該メッシュ領域の各周辺領域の密度差を示すエラー情報を生成するエラー抽出部とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
開示の回路のレイアウト装置によれば，ＥＯＥが発生する可能性がある箇所をエラーとして抽出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】研磨密度が異なる２素材に対するＣＭＰにおいてＥＯＥが発生しやすい箇所の例を示す図である。
【図２】開示する回路レイアウト装置の一実施例における構成例を示す図である。
【図３】一実施例におけるメッシュ領域および周辺領域の例を示す図である。
【図４】一実施例におけるメッシュ領域の配線密度の例を示す図である。
【図５】一実施例におけるメッシュ情報の例を示す図である。
【図６】一実施例におけるメッシュ領域と隣接する周辺領域との比較例を示す図である。
【図７】一実施例における回路レイアウト装置の概要処理フロー例を示す図である。
【図８】被研磨対象物が絶縁素材と銅である場合のＣＭＰにおける研磨不良の例を示す図である。
【図９】回路レイアウト装置のハードウェア構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
ＥＯＥは，２つの被研磨素材（絶縁素材と配線素材）の研磨レートの差が大きく，２つの素材の密度分布に偏りがある場合，特に，低密度領域と接する高密度領域で発生しやすいことが知られている。
【００１７】
図１は，研磨密度が異なる２素材に対するＣＭＰにおいてＥＯＥが発生しやすい箇所の例を示す図である。
【００１８】
図１に示す例では，広い高密度の領域と広い低密度の領域との境界の高密度領域側の範囲を示す範囲ＡではＥＯＥが発生しやすく，狭い高密度の領域と狭い低密度の領域の境界の範囲を示す範囲ＢではＥＯＥは発生しない。
【００１９】
本発明の一態様として開示する回路レイアウト装置は，ＬＳＩ等の回路のレイアウト処理を行い，さらに，ＣＭＰ（研磨）工程での研磨故障を軽減するために，研磨故障となるＥＯＥが発生しやすい箇所を抽出し，さらに，抽出した箇所に対する修正を行うものである。
【００２０】
回路レイアウト装置は，回路の各層の平面を小さな単位領域で区切り，区切った判定対象の領域の配線密度とその領域に隣接する四方の大きな領域各々の配線密度と比較する。そして，回路レイアウト装置は，両者の配線密度の関係が，ＥＯＥが発生しやすい箇所の条件を満たすかを判定し，例えば，図１の範囲Ａに示すような箇所のみをエラー領域として抽出する機能を有する。さらに，回路レイアウト装置は，エラー領域として抽出した領域に対して，ダミー配線を用いた配線パターンの修正を行う機能を有する。
【００２１】
図２は，開示する回路レイアウト装置の一実施例における構成例を示す図である。
【００２２】
回路レイアウト装置１は，上述の機能を実現するため，回路情報取得部１１，メッシュ情報生成部１２，エラー抽出部１３，エラー情報記憶部１４，エラー情報ソート部１５，エラー修正部１６を備える。
【００２３】
回路情報取得部１１は，処理対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する。回路情報は，例えば，マスクＣＡＤなどから出力されるＧＤＳＩＩなどの情報である。回路情報は，既にダミー配線の挿入によるパターン修正が施された配線パターンのものであってもよい。
【００２４】
メッシュ情報生成部１２は，処理対象となる回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り，区切った各メッシュ領域について，そのメッシュ領域の配線密度とメッシュ領域の四方に各辺に隣接する各周辺領域の配線密度とを示すメッシュ情報を生成する。
【００２５】
より具体的には，メッシュ情報生成部１２は，矩形の単位領域を用いて回路をメッシュ状に区切ってメッシュ領域を設定し，さらに，メッシュ領域の四辺の１つに隣接する周辺領域をそれぞれ設定する。
【００２６】
単位領域のサイズは，ユーザによって任意のサイズに定義され，例えば，数十ナノメートル［ｎｍ］（例えば４０ｎｍ）などである。周辺領域は，複数の単位領域（メッシュ領域）分の広さに相当する矩形の領域である。
【００２７】
さらに，メッシュ情報生成部１２は，回路情報取得部１１が取得した回路情報をもとに，メッシュ領域ｔの配線密度を計算する。さらに，メッシュ情報生成部１２は，各周辺領域ｐについて，周辺領域ｐを構成する各メッシュ領域の配線密度の平均密度を計算し，周辺領域の配線密度とする。さらに，メッシュ情報生成部１２は，メッシュ領域ｔの配線密度と，各周辺領域ｐの配線密度との密度差を計算する。
【００２８】
メッシュ情報生成部１２は，各メッシュ領域ｔとその周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４との密度の関係を示すメッシュ情報を生成して保持する。
【００２９】
図３は，一実施例におけるメッシュ領域および周辺領域の例を示す図である。
【００３０】
図３に示す例では，回路をメッシュ状に区切った場合の状態を示す。回路内の１つの濃い灰色の矩形は，メッシュ領域ｔを表す。メッシュ領域ｔに接する破線で示される大きな４つの矩形は，周辺領域ｐ（ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４）を表す。周辺領域ｐ（ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４）は，ユーザにより定義され，複数のメッシュ領域ｔ（数十〜数百のメッシュ領域）に相当する矩形の領域として設定される。
【００３１】
図４は，一実施例におけるメッシュ領域の配線密度の例を示す図である。
【００３２】
図４は，あるメッシュ領域ｔの配線パターンの例であり，濃い灰色の部分が回路の絶縁素材の範囲を，薄い灰色の部分が配線素材（銅）の範囲を表す。さらに，絶縁素材の範囲に対する配線素材の範囲の密度，すなわち配線密度が２５％であることを示している。
【００３３】
なお，本実施例において，回路の配線素材として，銅（Ｃｕ）を用いる。よって，配線密度は，銅密度と言い換えることができる。
【００３４】
図５は，一実施例におけるメッシュ情報の例を示す図である。
【００３５】
メッシュ情報は，回路が複数層である場合のメッシュ領域ｔが属する回路の層を示す「レイヤ」，回路平面上でのメッシュ領域ｔの座標位置（ｘ，ｙ）を示す「位置」，メッシュ領域ｔの配線密度を示す「密度」，各周辺領域ｐの密度を示す「周辺密度」，メッシュ領域ｔの密度と各周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４の密度との密度差を示す「密度差」，ＥＯＥの発生条件を満たすメッシュ領域であるかを示す「エラーフラグ」，エラーと判定されたメッシュ領域に対する修正が実行されたことを示す「修正フラグ」などのデータ項目を有する。
【００３６】
メッシュ情報の「エラーフラグ」は，エラー抽出部１３の処理結果にもとづいて，メッシュ領域が発生条件を満たす場合に“１（エラー）”が，発生条件を満たさない場合に“０（否）”が設定される。
【００３７】
「修正フラグ」は，エラー修正部１６の処理結果にもとづいて，メッシュ領域に対するパターン修正が行われた場合に“１（修正済み）”が，パターン修正が行われなかった場合に“０（否）”が設定される。
【００３８】
エラー抽出部１３は，回路の全メッシュ領域について，それぞれ，そのメッシュ領域ｔのメッシュ情報をもとに，メッシュ領域ｔの密度と各周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４の密度との関係が，過研磨が発生する条件（ＥＯＥの発生条件）に該当するかを判定する。
【００３９】
エラー抽出部１３は，ＥＯＥの発生条件として，例えば以下のような条件を保持する。
・ メッシュ領域の密度と周辺領域の密度の密度差が閾値以上である。
・ メッシュ領域の密度または周辺領域の密度が，低密度の閾値以下である。
・ メッシュ領域の密度または周辺領域の密度が，高密度の閾値以上である。
【００４０】
発生条件は，予めユーザによって，材料評価用テスト回路パターン（ＴＥＧ）により収集された密度情報などをもとに，数式，条件式等で定義される。
【００４１】
エラー抽出部１３は，保持する発生条件をもとに，メッシュ領域ｔとその周辺領域ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４についてそれぞれ判定処理を行う。
【００４２】
図６は，一実施例におけるメッシュ領域と隣接する周辺領域との比較例を示す図である。
【００４３】
エラー抽出部１３は，図６（Ａ）に示すような回路の１つのメッシュ領域ｔを判定対象とする場合に，図６（Ｂ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度とその左辺側に隣接する周辺領域ｐ１の密度とを比較し，両者の密度差が発生条件の閾値以上であるかを判定する。さらに，エラー抽出部１３は，図６（Ｃ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と右辺側に隣接する周辺領域ｐ２の密度とを，図６（Ｄ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と下辺側に隣接する周辺領域ｐ３の密度とを，図６（Ｅ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と上辺側に隣接する周辺領域ｐ４の密度とをそれぞれ比較し，密度差が発生条件の閾値以上であるかを判定する。
【００４４】
ここで，図６（Ａ）に示すメッシュ領域ｔが，回路において配線密度が高い領域に属している場合には，図６（Ｆ）に示すように，メッシュ領域ｔの密度と右辺側の周辺領域ｐ２の密度との密度差が非常に大きくなる。よって，発生条件に定義された閾値以上となるため，発生条件を満たすことになる。エラー抽出部１３は，メッシュ領域ｔの密度が周辺領域ｐ２との関係で発生条件を満たすと判定する。エラー抽出部１３は，回路に設定した全てのメッシュ領域について，それぞれ隣接する全ての周辺領域との密度差を判定する。
【００４５】
エラー抽出部１３は，メッシュ領域ｔが発生条件を満たすと判定した場合に，そのメッシュ領域ｔのメッシュ情報をエラー情報とし，エラー情報の該当する周辺領域ｐに対する「エラーフラグ」に“１”を設定し，エラー情報記憶部１４に格納する。
【００４６】
エラー情報記憶部１４は，エラー抽出部１３によって抽出されたエラー情報を記憶する。
【００４７】
エラー情報ソート部１５は，エラー情報記憶部１４に格納されているエラー情報を，その「密度差（メッシュ領域の密度とその周辺領域の密度との密度差）」が大きい順にソートし，ソート結果を示すソートリストを生成する。ソートリストは，例えば，エラー情報から抽出された「レイヤ」，「位置」，エラー判定となった「周辺領域」，エラー判定となった周辺領域との「密度差」などのデータ項目を含む。
【００４８】
エラー修正部１６は，エラー情報記憶部１４に格納されているエラー情報，または，エラー情報ソート部１５により生成されたエラーリストをもとに，エラーと判定されたメッシュ領域の配線パターンの修正処理を行う。エラー修正部１６は，既知のダミー配線を用いたパターン修正処理を行い，例えば，メッシュ領域内に設定されているダミー配線を削除して，新たにダミー配線を挿入したり，既に設定されているダミー配線間に，より小型のダミー配線を追加して挿入したりして，配線パターンを変更する。
【００４９】
さらに，エラー修正部１６は，メッシュ領域の配線パターンを修正した場合に，対応するエラー情報の「修正フラグ」に“１（エラー）”を設定する。
【００５０】
次に，回路レイアウト装置１の処理の流れを説明する。
【００５１】
図７は，一実施例における回路レイアウト装置の概要処理フロー例を示す図である。
【００５２】
回路レイアウト装置１において，回路情報取得部１１は，被研磨対象の回路の回路情報を取得する（ステップＳ１）。
【００５３】
メッシュ情報生成部１２は，回路をメッシュ状に区切ってメッシュ領域と，メッシュ領域に対応する４つの周辺領域とを設定し，各メッシュ領域について，自メッシュ領域の密度と，各周辺領域の密度（周辺領域を構成するメッシュ領域の平均密度）とを含むメッシュ情報を生成する（ステップＳ２）。
【００５４】
回路レイアウト装置１において，処理が終了条件に該当するかが判定される（ステップＳ３）。終了条件は，「処理の繰り返しの回数が一定回数に達しているか」，「エラーとなったメッシュ領域の数が一定の数以下となったか」などの条件とする。
【００５５】
処理が終了条件に該当していなければ（ステップＳ３のＮ），エラー抽出部１３は，回路内の全てのメッシュ領域について発生条件による判定処理を行い，エラーと判定したメッシュ領域を抽出し，そのメッシュ領域のメッシュ情報をエラー情報としてエラー情報記憶部１４に格納する（ステップＳ４）。
【００５６】
次に，エラー情報ソート部１５は，エラー情報記憶部１４に記憶されているエラー情報を，メッシュ領域とその周辺領域との密度差でソートし，ソートリストを生成する（ステップＳ５）。エラー修正部１６は，ソートリストをもとに，メッシュ領域とその周辺領域との密度差が大きいメッシュ領域から順に，ダミー配線によるパターン修正を行う（ステップＳ６）。
【００５７】
一方，処理が終了条件に該当していれば（ステップＳ３のＹ），さらに，回路レイアウト装置１において，回路の全ての層について処理が終了したかが判定される（ステップＳ７）。回路の全層について処理が終了していなければ（ステップＳ７のＮ），ステップＳ３の処理へ戻され，回路の全層について処理が終了していれば（ステップＳ７のＹ），処理を終了する。
【００５８】
上記の処理フローにおいて処理が繰り返される場合に，ステップＳ６の処理において，エラー修正部１６は，処理の繰り返し回数に応じて，または，メッシュ領域の密度に応じて，エラーとなったメッシュ領域に対するパターン修正の内容を変えるようにしてもよい。例えば，エラー修正部１６は，繰り返し回数に応じて，挿入するダミー配線のパターンを変更し，繰り返し回数が増えるごとに，より高密度となるようなダミー配線のパターンを採用して配線パターンを変更する。または，エラー修正部１６は，低密度のメッシュ領域に対してサイズが大きいダミー配線を挿入し，高密度のメッシュ領域に対してサイズが小さいダミー配線を挿入するなどして配線パターンを変更する。
【００５９】
図９は，上記の回路レイアウト装置１のハードウェア構成の一例を示す図である。
【００６０】
回路レイアウト装置１は，図９に示すコンピュータ１００として実施することができる。コンピュータ１００は，例えば，演算装置（ＣＰＵ：Central Processing Unit）１０１，メモリ１０２，入力装置１０３，出力装置１０４，外部記憶装置１０５，ネットワーク接続装置１０６，媒体駆動装置１０７などを備え，これらの各装置がバス１０８に接続された構成である。
【００６１】
ＣＰＵ１０１は，コンピュータ１００の全体を制御する。メモリ１０２は，プログラムの実行やデータ更新などの処理において，外部記憶装置１０５や可搬型の記憶媒体に記憶されているプログラムやデータを一時的に格納するＲＡＭ（Random Access Memory）などである。メモリ１０２は，ＣＰＵ１０１に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラム，アプリケーションプログラム，ＣＰＵ１０１による処理に必要な各種データの少なくとも一部が一時的に格納される。
【００６２】
入力装置１０３は，例えばキーボード，マウス，タッチパネルなどである。出力装置１０４は，例えばディスプレイなどである。外部記憶装置１０５は，例えばハードディスク装置などである。外部記憶装置１０５には，プログラムやデータが格納される。
【００６３】
ネットワーク接続装置１０６は，インターネットなどのネットワークに接続し，外部の情報処理装置とプログラムやデータの送受信を行う。
【００６４】
媒体駆動装置１０７は，可搬型の記憶媒体に記憶されたプログラムやデータを読み出す。可搬型の記憶媒体は，例えば，ＦＤ（フレキシブルディスク），ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ，光磁気ディスクなどの媒体である。
【００６５】
コンピュータ１００のＣＰＵ１０１は，メモリ１０２に読み出したプログラムやデータを用いて，回路レイアウト装置１の上述した実施例に示す処理を含む各種処理を実行する。
【００６６】
すなわち，回路レイアウト装置１の回路情報取得部１１，メッシュ情報生成部１２，エラー抽出部１３，エラー情報ソート部１５，エラー修正部１６などは，プログラムで構成することができ，これらのプログラムがメモリ１０２にロードされてＣＰＵ１０１で実行されることにより，回路レイアウト装置１の上述の処理部が有する各機能が実現される。また，エラー情報記憶部１４などは外部記憶装置１０５に対応する。
【００６７】
なお，回路レイアウト装置１の各処理および機能を実現するプログラムおよびデータは，必ずしも外部記憶装置１０５に記憶されている必要はなく，可搬型の記憶媒体に記憶されているプログラムおよびデータが，媒体駆動装置１０７によって読み取られ，メモリ１０２に格納されるようにしてもよい。さらに，ネットワーク接続装置１０６が，公衆回線，インターネット，ＬＡＮ，ＷＡＮなどのネットワークを介して他のコンピュータなどに記憶された上述のプログラムおよびデータを取得するようにしてもよい。
【００６８】
以上，本発明の一態様として開示する回路レイアウト装置１について詳細に説明したが，本発明は上述する実施形態に限定されず，本発明の要旨を逸脱しない範囲において，各種の改良および変更を行ってもよいことは当然である。
【００６９】
本発明の一態様として開示する回路レイアウト装置１は，エラー抽出部１３により，回路内の各メッシュ領域の密度を，メッシュ領域の四方向について，隣接する相当程度に広い周辺領域の密度と比較し，ＥＯＥの発生条件に該当するかを判定する。よって，回路レイアウト装置１は，高密度の広領域と低密度の広領域との境界の高密度領域側に該当するような部分（メッシュ領域）をエラーとして抽出することができ，従来では，推定することが困難であったＥＯＥが発生する可能性がある箇所を局所的に抽出することができる。
【００７０】
また，回路レイアウト装置１は，エラー抽出部１３により，エラーと判定したメッシュ領域と周辺領域との密度を示すエラー情報を生成する。よって，回路レイアウト装置１は，実際の研磨（ＣＭＰ）工程を行うことなく，ＥＯＥが発生しやすい箇所に関する情報をエラー情報として提供することができる。
【００７１】
さらに，回路レイアウト装置１は，エラー修正部１６により，エラーと判定されたメッシュ領域，すなわちＥＯＥが発生する可能性がある領域に対してパターンを修正する。よって，回路レイアウト装置１は，回路内でＥＯＥが発生する可能性がある箇所を局所的に修正することができ，処理負荷を抑えて効率的に修正を行うことができる。
【００７２】
また，回路レイアウト装置１は，エラー情報ソート部１５により，エラー情報を，メッシュ領域と周辺領域との密度差が大きい順にソートする。よって，回路レイアウト装置１は，密度差が大きくＥＯＥが発生する可能性がより高い箇所から，より効率的にパターン修正を行うことができる。
【００７３】
したがって，回路レイアウト装置１は，次のような効果を奏する。
・ 実際にＣＭＰを行うことなく，回路の配線パターンおよびＴＥＧなどのテスト情報にもとづいて，回路内でＥＯＥが発生する可能性がある箇所を抽出することができる。
・ 抽出されたＥＯＥが発生しやすい箇所に対して局所的にパターン修正を行うことができるため，処理負荷やデータサイズの増大を招くことなく，効率的にダミー配線の挿入を行うことができる。
【符号の説明】
【００７４】
１ 回路レイアウト装置
１１ 回路情報取得部
１２ メッシュ情報生成部
１３ エラー抽出部
１４ エラー情報記憶部
１５ エラー情報ソート部
１６ エラー修正部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路のレイアウト装置において，
被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部と，
前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域の広さを持つ周辺領域各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部と，
前記回路のメッシュ領域ごとに，前記メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域の密度と各周辺領域の密度との関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域をエラーとして抽出するエラー抽出部とを備える
ことを特徴とする回路のレイアウト装置。
【請求項２】
前記エラー抽出部によって抽出されたメッシュ領域に対するエラー情報を記憶するエラー情報記憶部と，
前記エラー情報をもとに，前記発生条件に該当するメッシュ領域に対して，ダミー配線を用いた配線パターンの修正を行うエラー修正部を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の回路のレイアウト装置。
【請求項３】
前記エラー情報記憶部に記憶されたエラー情報を，前記メッシュ領域の密度と該メッシュ領域に隣接する周辺領域の密度との密度差をもとにソートするエラー情報ソート部を備えて，
前記エラー修正部は，前記ソートされたエラー情報の前記密度差が大きいメッシュ領域に対するパターン修正を行う
ことを特徴とする請求項２に記載の回路のレイアウト装置。
【請求項４】
回路のレイアウトのために，コンピュータが，
被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得し，
前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域の広さを持つ周辺領域各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成し，
前記回路のメッシュ領域ごとに，該メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域の密度と各周辺領域の密度との関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域をエラーとして抽出する
ことを特徴とする回路のレイアウト処理方法。
【請求項５】
コンピュータに，
被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する処理と，
前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域の広さを持つ周辺領域各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成する処理と，
前記回路のメッシュ領域ごとに，該メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域の密度と各周辺領域の密度との関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域をエラーとして抽出する処理とを，実行させる処理を行う
プログラム。
【請求項１】
回路のレイアウト装置において，
被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部と，
前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域の広さを持つ周辺領域各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部と，
前記回路のメッシュ領域ごとに，前記メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域の密度と各周辺領域の密度との関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域をエラーとして抽出するエラー抽出部とを備える
ことを特徴とする回路のレイアウト装置。
【請求項２】
前記エラー抽出部によって抽出されたメッシュ領域に対するエラー情報を記憶するエラー情報記憶部と，
前記エラー情報をもとに，前記発生条件に該当するメッシュ領域に対して，ダミー配線を用いた配線パターンの修正を行うエラー修正部を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の回路のレイアウト装置。
【請求項３】
前記エラー情報記憶部に記憶されたエラー情報を，前記メッシュ領域の密度と該メッシュ領域に隣接する周辺領域の密度との密度差をもとにソートするエラー情報ソート部を備えて，
前記エラー修正部は，前記ソートされたエラー情報の前記密度差が大きいメッシュ領域に対するパターン修正を行う
ことを特徴とする請求項２に記載の回路のレイアウト装置。
【請求項４】
回路のレイアウトのために，コンピュータが，
被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得し，
前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域の広さを持つ周辺領域各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成し，
前記回路のメッシュ領域ごとに，該メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域の密度と各周辺領域の密度との関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域をエラーとして抽出する
ことを特徴とする回路のレイアウト処理方法。
【請求項５】
コンピュータに，
被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する処理と，
前記回路をある単位領域でメッシュ状に区切り，区切られた各メッシュ領域について，該メッシュ領域の配線密度と該メッシュ領域の各辺に隣接する複数の単位領域の広さを持つ周辺領域各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成する処理と，
前記回路のメッシュ領域ごとに，該メッシュ領域のメッシュ情報をもとに，該メッシュ領域の密度と各周辺領域の密度との関係が，過研磨が発生する条件を示す発生条件に該当するかを判定し，前記発生条件に該当するメッシュ領域をエラーとして抽出する処理とを，実行させる処理を行う
プログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−３７４１３（Ｐ２０１３−３７４１３Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７０６４０（Ｐ２０１１−１７０６４０）
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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