【課題】
半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】
はんだ材１０６に易揮発金属（Zn、Mg、Sb）を含むはんだを用い、半導体素子１０４とリードフレーム１０２を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金１０３を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂１０１と基板の密着力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、製造工程上にのみ用いる粘着シートを用いていたため、製造コストを低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リードフレーム２の裏面に樹脂シート１を貼り合せた後、ダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程、樹脂パッケージの個片化工程を行う。そして、樹脂シート１は、樹脂モールドされた樹脂と一体化し、樹脂パッケージの一部として用いられる。この製造方法により、樹脂シート１は破棄されることはなく、製造コストが低減され、また、樹脂パッケージの薄型化も実現される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤとの接続信頼性を向上させることのできるリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、半導体素子２１が搭載されるダイパッド３と、そのダイパッド３の周囲に複数配置されたインナーリード７と、そのインナーリード７と一体的に構成されるアウターリード８とを含む基板フレーム２を有している。封止樹脂２３によって封止される領域であって、少なくともボンディングワイヤ２２が接続される部分の基板フレーム２上、つまりインナーリード７上には４層のめっき１５Ａが施されている。この４層のめっき１５Ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層１１と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層１２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第３めっき層１３と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第４めっき層１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を回路基板などに実装する際における、ハンダ不濡れによる接合強度低下を防止する。
【解決手段】半導体チップをリードフレームにマウントおよびワイヤーボンディングしたリードフレーム１１を樹脂１にて封止した後、切断して形成した端子２の先端部４にメッキ１７を施し、次いで、吊りピンを切断することで個片化した半導体装置１６を得る。 （もっと読む）

【課題】外装めっきにおけるウイスカ耐性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップが固定されたタブと、複数のインナリードと、前記インナリードと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、前記半導体チップの電極パッドと前記インナリードとを接続する複数のワイヤと、前記半導体チップを封止する封止体とを有し、前記封止体から突出する複数のアウタリード２ｂのそれぞれの表面に、鉛フリーめっきから成る外装めっき８が形成され、この外装めっき８は、その厚み方向の界面側８ｃと表面側８ｄとで、界面側８ｃに存在する直径１μｍ以下の粒子が、表面側８ｄに存在する直径１μｍ以下の粒子より多く、これにより、外装めっき８のアウタリード２ｂの線膨張係数との差を小さくしてウイスカの成長を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】無鉛はんだを用いて実装した表面実装部品の端子接続部分に剥離が生じることの無い高信頼性の回路基板に実装される表面実装部品及び該回路基板の実装方法並びに該回路基板を用いた電子機器の提供。
【解決手段】表面実装部品６のリード５とパッド７のはんだ接合部に、はんだ８とパッド７とリード５とを構成する元素の一部からなる化合物層が形成されている回路基板１の、リード５と接続されるスルーホール２ａを、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以下のニッケル、パラジウム等で形成することにより、表面実装部品６を実装後、回路基板１の裏面にフローはんだ付けを行う際に、スルーホール２ａを介して接合部に伝達される熱量を低減し、接合部の温度を該化合物層の溶融温度以下に維持することにより、接合部界面の剥離を防止し、リード５とパッド７との接続信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】パラジウムの使用量を最少に抑えて安価なリードフレームを提供すると共に、不具合を少なくしたリードフレームの製造方法を提供すること。
【解決手段】金属板１より成形されるリードフレームにおいて、半導体素子搭載側の表面と基板実装側の表面のみにパラジウム鍍金１ａが施されていて、成形されたリード部の金線がボンディングされるリード部表面部分と基板実装用パッド部の半田で接合される部分を除いた実装不要部分及び側面には鍍金が施されていない （もっと読む）

【課題】セラミック基板とガラスエポキシ基板との接合の破壊を防止する。
【解決手段】線形状に成形された銅線を所定の径にするために伸線する伸線工程と、伸線工程で伸線した銅線を所定の長さに切断する切断工程と、切断工程で切断された銅線の一端を長手方向に向かってプレスして銅カラム部材を形成するプレス工程と、プレス工程で形成された銅カラム部材を、加熱時間が６００℃以上で、６０分間以上保持して焼鈍する焼鈍工程とによって、銅カラムを形成する。これにより、銅カラムのビッカース硬さが５５ＨＶ以下になって、銅カラムを軟化し、セラミック基板とガラスエポキシ基板とを当該銅カラムを介して接合する際に、セラミック基板の熱膨張とガラスエポキシ基板の熱膨張との差に起因する熱ストレスを当該銅カラムによって吸収することができる。この結果、セラミック基板とガラスエポキシ基板との接合の破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】溶融したはんだがリード上を行き渡ることが抑制された電子部品のリードを、製造可能な電子部品のリードの製造方法、及び電子部品のリードの製造装置を提供する。
【解決手段】電子部品のリードの製造方法は、第１レーザを電子部品に用いられるリードのＮｉ層２３ｂよりも外側に積層され、Ｎｉ層２３ｂよりもはんだ濡れ性の高いＡｕ層２３ｃに照射することにより、第２層から第１層を露出させ、第２レーザを露出した第１層に照射することにより、第２レーザが照射された領域の周辺に凸部を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱処理による耐食性の低下や接触抵抗の増加を回避しつつ、錫メッキされた端子部におけるウィスカの発生を抑制すること。
【解決手段】一般的な配線基板１０の作製工程として存在する、配線基板１０の突起型端子１２の先端部分に錫メッキを施す端子部メッキ工程と、錫メッキを施した突起型端子１２の先端部分をウィスカの発生抑制のために熱処理するメッキ部熱処理工程とを省略する。そして、回路パターン１４中のパッド部１４ａに半田ペーストを塗布する半田ペースト塗布工程において、突起型端子１２の先端部分にも半田ペーストを塗布し、パッド部１４ａに部品１９を半田付けするリフロー工程において、突起型端子１２の先端部分を溶融した半田により実質的に錫メッキし、錫メッキされた突起型端子１２の先端部分を、実質的に、ウィスカの発生抑制のために熱処理を施した状態とする。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーめっきにおけるウィスカ耐性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップが固定されたタブと、複数のインナリードと、前記インナリードと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、前記半導体チップの電極パッドと前記インナリードとを接続する複数のワイヤと、前記半導体チップを封止する封止体とを有し、前記封止体から突出する複数のアウタリード２ｂのそれぞれの表面に、鉛フリーめっきから成る外装めっき８が形成されており、この外装めっき８は、所望の条件で形成された第１鉛フリーめっき８ａと、第１鉛フリーめっき８ａの組成と同系列の組成から成る第２鉛フリーめっき８ｂとを有し、第１鉛フリーめっき８ａと第２鉛フリーめっき８ｂとが積層され、アウタリード２ｂ上にめっき形成条件の異なる２種類の鉛フリーめっきが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

【課題】フレッチング及び熱的露出の後でも低い接触抵抗及び良好なはんだ付け性を維持することができ、一層低い摩擦係数及び減少したウィスカー成長の付加的特質の一つ又は全てと組合された被覆機構を開発することである。
【解決手段】本発明では、複数の近接して配置された構造体(feature)が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成するような、特別な用途を有する被覆された電気伝導性基体が与えられる。 （もっと読む）

【課題】モールド手段から突出するリードの長さに関わらず、モールド手段から突出するリードの全面に外装メッキ処理を施すことが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードカット工程後にリードフレームからリード先端にメッキ電流が流れるように、あらかじめ、前記リード間、又は／及び前記リードとタブ間に仮結線を形成し、前記仮結線を形成後に、モールド成形を行い、前記リードカットを実施し、前記リードに外装メッキを施し、前記仮結線を分断する。 （もっと読む）

【課題】ステージ部の表面に半導体チップを搭載し、ステージ部の裏面を外方に露出させるように半導体チップ及びステージ部を樹脂モールド部で封止した構成の半導体パッケージにおいて、ステージ部の裏面にめっきを施す作業を簡便に実施できるようにする。
【解決手段】ステージ部５と複数のリード７とをフレーム枠部９及び連結リードにより相互に連結したリードフレームにおいて、フレーム枠部９に、切り込み線とその両端を結ぶ折り曲げ線とを形成すると共に、切り込み線及び折り曲げ線によって囲まれたフレーム枠部９の領域部分を折り曲げ線において折り曲げることで、ステージ部５の表面５ａ側から突出する突出片１７とする。また、突出片１７の突出高さＴ１を樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きく設定し、さらに、突出片１７の突出方向の先端の一部を、突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出させる。 （もっと読む）

【課題】 基板との接続強度を向上しつつ、信頼性が高い実装性に優れた半導体装置および半導体装置用リードフレームを提供する。
【解決手段】半導体装置１００においては、外部リード１５は、端部の一部に外部端子部１５０を備えた端部側の第１の領域１５ａと、基部側の第２の領域１５ｂと、からなる。金属層１８に被覆される領域（第１の領域１５ａ）は、外部端子部１５０を一部として含む領域であって、下地めっき層１７に被覆される領域（第２の領域１５ｂ）よりも半田の濡れ性が高くなっている。 （もっと読む）

【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。 （もっと読む）

【課題】圧電振動デバイスを備えており、かつ、電子機器に自動実装することができるリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃと、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部にそれぞれ延設された第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと、第２パッド部２ｂに搭載され、第１、第３パッド部２ａ，２ｃに電気的に接続された水晶発振器３と、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部ごと第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと水晶発振器３を封止する樹脂パッケージ部とから構成されており、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃのうちの樹脂パッケージ部内に配置される部位表面に銀めっき、アルミニウムめっきまたは金めっきが施されている。 （もっと読む）

【課題】タイバー切断時に生じるハンダバリの撲滅を図り、信頼性の高い樹脂封止型電子装置を提供する。また、樹脂封止型電子装置のリードと外部電極の溶接不良を防止し、且つリードに対する電子部品の接着面積を大きくし接続不良を防止する。
【解決手段】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、リードフレーム１に半導体チップ２等を搭載し、樹脂封止した後に、タイバー９を切断する場合、前記タイバー９の切断をプレス加工時の前記リードフレーム１のリードバリ１０がある方向から行なう。また、本発明の樹脂封止型電子装置においては、チップコンデンサ２７は、リードＬ１とアイランド２１のバリ形成面３１に導電性ペースト３３を介して接着される。バリ形成面３１はダレ面３２より表面積が大きいので、接着面積を大きくできる。また、リードＬ１の制御電極４０に対する溶接面は、バリ形成面３１の反対面であるダレ面３２とする。 （もっと読む）