【課題】レーザー結晶化法により、粒界が一方向に揃った結晶質半導体膜と、その作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成した半導体膜を線状レーザー光により結晶化するに際して、ストライプ状に凹凸が形成された位相シフトマスクを用いる。位相シフトマスクに形成されたストライプ状の凹凸は線状レーザー光の長軸方向と垂直に近い角度をなすように形成されている。レーザー光には連続発振のレーザー光を用い、該レーザー光の走査方向はストライプ状の凹凸（溝）の方向とほぼ平行である。長軸方向に周期的にレーザー光の輝度を変化させることによって、完全溶融した半導体膜の結晶核生成位置を制御することができる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス・トランジスタおよび製作方法の性能および製造可能性を強化するための新たな技術を提供する。
【課題】
【解決手段】トランジスタ装置およびそれを形成する方法であって、基板と、基板上の第１のゲート電極と、基板上の第２のゲート電極と、第２のゲート電極に重なり合うフランジ付き端部の対を備えるランディング・パッドとを備え、第２のゲート電極の構造は、ランディング・パッドの構造と不連続である。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳプロセスによるロジックＬＳＩにおいて一般に用いられる基本的構成回路のみを用いてＣＭＩＳ型半導体不揮発記憶回路を実現する。
【解決手段】ＭＩＳトランジスタ１５と、ＭＩＳトランジスタ１６とを有し、選択ノード１７には、ＭＩＳトランジスタ１５，１６の何れか一方の閾値電圧に消えずに残る変化を引き起こす書き込み電圧が供給される不揮発性メモリセル４と、ＮＯＲ（又はＮＡＮＤ）論理を出力する論理ゲート１１，１２を有するＲＳフリップフロップを備え、倫理ゲート１１，１２は、前記第１及び第２の出力ノードのラッチを解除するためのリストア信号が入力されるリストア端子を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層を介した、ソース電極とドレイン電極間とのリーク電流の発生を好適に防止または低減し得る半導体装置、かかる半導体装置を簡易に製造し得る半導体装置の製造方法、および信頼性の高い記憶装置を提供すること。
【解決手段】強誘電体メモリ１は、基板２と、基板２の一方の面側に設けられたソース電極３およびドレイン電極４と、ソース電極３とドレイン電極４との間に設けられたチャネル領域５１を備える半導体層５と、これらの各部と離間して設けられたゲート電極７と、ゲート電極７に対してソース電極３およびドレイン電極４を絶縁する機能を有し、強誘電体として機能する強誘電体ポリマーを主材料として構成された強誘電体層６とを備え、この強誘電体層６において、強誘電体ポリマーの主鎖が、基板２に対してほぼ平行、かつチャネル長方向とほぼ垂直な方向に沿って揃っている。 （もっと読む）

【課題】チップの内で大きな面積を占めるメモリ領域の低コスト化を図ることにより、チップ全体の製造コストを抑えることを課題とする。
【解決手段】薄膜からなる無線チップが有するメモリ領域において、有線の接続で入力された信号によりデータの書き込みを行い、無線による信号により読み出しを行う。有線の接続による信号に基づき生成されたアドレスを指定する信号により、有機メモリを構成するビット線及びワード線がそれぞれ選択され、選択されたメモリセルに電圧が印加される。このようにして書き込みが行われる。また読み出しは、無線の信号により生成されたクロック信号等により行われる。 （もっと読む）

【課題】
デコーダ部の両側にそれぞれのワード線に対応したドライバを設けることは困難となってきていた。
【解決手段】
半導体記憶装置は、行デコーダ部と、前記行デコーダ部の一方に配置された第１のセルアレイと、前記行デコーダ部の他方に配置された第２のセルアレイと、前記行デコーダ部上に配置され、前記第１のセルアレイの所定の行アドレスに対応するワード線と前記第２のセルアレイの前記所定の行アドレスに対応するワード線を短絡する配線層とを有する。 （もっと読む）

【課題】微小構造体の空間を形成するために設ける犠牲層に使用されるフォトマスクの枚数を低減し、製造コストを削減する。
【解決手段】同一のフォトマスクを用いてパターニングされたレジストマスクにより犠牲層を形成する。レジストマスクにより第１の犠牲層をエッチングして形成した後に、同一のフォトマスクを使用してパターンを形成されたレジストマスクを用いて第２の犠牲層をエッチングして形成する。レジストマスクは一方の犠牲層のエッチング前に外形寸法を拡大又は縮小する等して変形することで、大きさの異なる犠牲層を形成することができる。 （もっと読む）

被着されたシリコン中で、リンおよびヒ素のようなｎ形ドーパントは、シリコンの表面を求める傾向があり、層が被着される際に上昇する。第２のドープされていないまたはｐドープされたシリコン層が、ｎ形ドーパントが全く提供されることなく、ｎドープされたシリコン上に被着される場合、それにもかかわらず、この第２のシリコン層の第１の厚さは、下のレベルから上方に拡散した望ましくないｎ形ドーパントを含む傾向がある。ゲルマニウムがシリコンと合金にされる場合、この表面を求める挙動は減少する。いくつかのデバイスにおいて、第２の層が大きいゲルマニウム含有量を有することが有利ではないことがあり得る。本発明において、第１の高濃度にｎドープされた半導体層（好ましくは、少なくとも１０ａｔ％ゲルマニウム）が被着され、続いてｎ形ドーパントがほとんどないまたは全くないシリコン−ゲルマニウムのキャッピング層が被着され、続いてｎ形ドーパントがほとんどないまたは全くなく１０ａｔ％ゲルマニウム未満の層が被着される。第１の層およびキャッピング層中のゲルマニウムは、上方のゲルマニウムが乏しい層中へのｎ形ドーパントの拡散を最小限にする。
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不揮発性メモリセルが記載され、このメモリセルは、半導体ダイオード（３０）を含む。ダイオードを構成する半導体材料は、底部導体（６）と頂部導体（２２）との間でかなりの欠陥密度と共に形成され、典型的な読み出し電圧において非常に低い電流の流れを可能にする。プログラミング電圧の印加により、半導体材料の性質が永続的に変更され、改善されたダイオードという結果になる。プログラムされたダイオードは、ずっと高い電流の流れを可能にし、実施形態によっては、同じ読み出し電圧において、２〜３桁大きい。電流の違いにより、プログラムされたメモリセルを、プログラムされていないメモリセルと区別することが可能になる。有利なプログラムされていない欠陥密度を生成する製作技法が記載される。本発明のメモリセルは、単一の基板上に形成された複数の積層されたメモリレベルを有するモノリシックな三次元メモリアレイに形成することができる。
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【課題】誤書き込みを行った場合にはそれをリセットして初期化できる機構を備えたＯＴＰ回路を得ること。
【解決手段】選択用トランジスタＱ１，Ｑ２は選択されるとオン動作を行う。開閉用トランジスタＱａ，Ｑｂは、通常は、オン動作するように制御されている。この状態で、例えば、メモリトランジスタＱ３にビットデータの書き込みを行ったが、それが誤った書き込みであった場合にその誤った書き込みが行われた側の開閉用トランジスタＱａをオフ動作させ、メモリトランジスタＱ３への電源供給路を遮断し、メモリトランジスタＱ３を書き込みが行われる前の初期状態に戻す。もう一つのメモリトランジスタＱ４に正しいビットデータの書き込みを行い、その正しいビットデータをラッチ回路（Ｃ１，Ｃ２，ＦＦ）の制御用トランジスタＱ６側に保持させて使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で動作し、記憶情報の信頼性が高く、小型で軽量、安価な記憶装置とその駆動方法を提供することを課題とする。さらに低消費電力で動作し、記憶情報の信頼性が高く、無線通信距離の長い、小型で軽量、安価な半導体装置とその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】記憶装置は、少なくとも記憶素子がマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、書き込み回路とを有し、記憶素子は第一の導電層と、第二の導電層と第一の導電層と第二の導電層とに挟まれて設けられた有機化合物層とを有し、書き込み回路は、複数回印加する電圧を発生させる電圧発生回路と、電圧の出力時間を制御するタイミング制御回路とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、浮遊ゲート電極に尖端形状が形成され難い半導体記憶装置を製造する。
【解決手段】素子分離溝１０３内に堆積された絶縁材料１０４をエッチングする際に、埋込酸化膜１０５の表面高さを、素子形成領域１０６の表面高さよりも低くなるようにする。これにより、第１トンネル膜１０７上に浮遊ゲート電極用ポリシリコン膜１０８を形成する際に、このポリシリコン膜１０８が埋込酸化膜１０５上で下方に湾曲した形状になる。したがって、浮遊ゲート電極１０９の両端部には、尖端形状が形成されない。尖端形状の無い浮遊ゲートを形成することにより、半導体記憶装置のデータ保存特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】メモリを他の機能回路と同一の基板上に作製した時にも、メモリのための仕様の限定を生じず、生産性を向上し、使用者にとって使いやすく、安価な記憶装置を提供すること。
【解決手段】記憶装置は、絶縁表面上に、２つの不純物領域を有する半導体膜と、ゲート電極と、不純物領域にそれぞれ接続された２つの配線を含むメモリセルを有し、メモリセルは、ゲート電極と、２つの配線のうち少なくとも一方との間に電圧を印加して半導体膜を変質させることにより、２つの配線間が絶縁されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器１０１から出射したレーザ光１０４をスリット１０２を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー１０３で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ１０５，１０６または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 （もっと読む）

ホット・キャリア誘導劣化を使用して１つまたは複数のトランジスタ特性を変更してプログラムされるワン・タイム・プログラマブル・メモリ・デバイスが開示されている。ワン・タイム・プログラマブル・メモリ・デバイスは、トランジスタのアレイから構成される。このアレイ中のトランジスタは、これらのトランジスタの飽和電流、しきい値電圧またはこれらの両方に対する変化など１つまたは複数のトランジスタ特性のホット・キャリアにより引き起こされる変化を使用して選択的にプログラムされる。これらのトランジスタ特性に対する変更は、知られているホット・キャリア・トランジスタ・エージング原理と同様にして達成される。これらの開示されたワン・タイム・プログラマブル・メモリ・デバイスは、小型であり、低電圧および小電流でプログラム可能である。

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