【課題】有機化合物を含む層を有する素子が設けられたフレキシブルな記憶装置及び半導
体装置を歩留まり高く作製する。また、信頼性の高いフレキシブルな記憶装置及び半導体
装置を歩留まり高く作製する。
【解決手段】剥離層を有する基板上に素子層及び素子層を封止する絶縁層を有する積層体
を形成し、剥離層から積層体を剥離してフレキシブルな記憶装置及び半導体装置を作製す
る方法であって、素子層において第１の電極層及び第２の電極層からなる一対の電極間に
有機化合物を含む層を有する記憶素子を含み、少なくとも一方の電極層はスズを含む合金
層で形成する。また、第１の電極層及び第２の電極層からなる一対の電極間に有機化合物
を含む層を有する記憶素子を含み、少なくとも一方の電極層はスズを含む合金層で形成さ
れるフレキシブルな記憶装置及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリアレイのための高速感知スキームを提供する。
【解決手段】メモリアレイは、ビット線をVSSなどの第1電圧レベルまで予備充電するための予備充電回路を備えた、相補形ビット線構成で配置された不揮発性メモリセルと、相補形ビット線対の基準ビット線に基準電荷を印加するための基準回路と、相補形ビット線対の間の電圧差を感知するためのビット線感知増幅器とを備えている。データビット線の電圧は、起動されたワード線に接続されたプログラム済みの不揮発性メモリセルがワード線電圧をデータビット線に結合すると変化する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】より秘匿性の高いＯＴＰメモリを提供する。
【解決手段】メモリセルは、第１ノードと第２ノードとの間に電流経路を形成するメモリトランジスタと、第３ノードと第４ノードとの間に電流経路を形成し、第３ノードがメモリトランジスタのゲートと配線により接続された選択トランジスタと、第１ノードに接続されたキャパシタとを備える。メモリトランジスタに対して、ゲート酸化膜が破壊されず劣化してゲートリーク電流が増大する程度の高電圧を印加することによりデータが書き込まれる。キャパシタの蓄積電荷のリークの有無によりデータを読み出すことが可能となる。ゲート酸化膜の劣化箇所は物理解析で識別できないため、秘匿性が高い。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型記憶素子を用いた半導体装置の耐タンパ性を向上させること。
【解決手段】半導体装置は、１ビットのセルデータを記憶するユニットセル（１０）と、制御回路（１００）とを備える。ユニットセル（１０）は、ｎ個（ｎは２以上の整数）の抵抗変化型記憶素子（３１）を備える。それらｎ個の抵抗変化型記憶素子（３１）のうち少なくとも１つが、セルデータが記録される有効素子（４０）である。セルデータの読み出し時、制御回路（１００）は、少なくとも有効素子（４０）を選択し、有効素子（４０）に記録されているデータをセルデータとして読み出す。 （もっと読む）

【課題】カップリングチャネルを使用したアンチヒューズメモリ及びその操作方法を提供する。
【解決手段】カップリングチャネルを使用したアンチヒューズメモリは、第１導電型の基板と、第２導電型のドープ領域と、カップリングゲートと、ゲート誘電層と、アンチヒューズゲートと、アンチヒューズ層と、を含む。基板中に隔離構造を有する。ドープ領域が基板中に設置され、且つドープ領域及び隔離構造の間にチャネル領域を定義する。カップリングゲートがドープ領域及び隔離構造の間の基板上に設置され、且つカップリングゲートとドープ領域と隣り合う。ゲート誘電層がカップリングゲート及び基板の間に設置される。アンチヒューズゲートがカップリングゲート及び隔離構造の間の基板上に設置され、アンチヒューズゲート及びカップリングゲートの間に間隔を有する。アンチヒューズ層がアンチヒューズゲート及び基板の間に設置される。 （もっと読む）

【課題】プロセス技術が比較的簡単、且つ、少ない素子数で多値情報を記憶することがでるメモリを提供する。
【解決手段】メモリ素子４２６において、第１の記憶素子における第１の電極４１７の形状の一部を、第２の記憶素子における第１の電極４１７の形状と異ならせることで、第１の電極４１７と第２の電極４２０の間の電気抵抗が変化する電圧値を異ならせて、１ビットを越える多値の情報の記憶を一つのメモリセルで行う。第１の電極４１７を部分的に加工することで単位面積当たりの記憶容量を増大することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼でき、非常に小型の３次元集積回路メモリ用の構造を低い製造コストで提供する。
【解決手段】３次元アレイは第１の端部と第２の端部を含む２つの端部を有し、第１の端部と第２の端部の一方はビット線ＢＬに接続され、第１の端部と第２の端部の他方はソース線ＣＳＬに接続される不揮発性メモリセルのＮＡＮＤストリングのスタック１４１２、１４１３、１４１４と、ビット線ＢＬ及びソース線ＳＬの一方をメモリセルのストリング１４１２、１４１３、１４１４に接続させるダイオード１４９２を有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】デュアル機能を有する不揮発性半導体メモリセルは、基板、第１ゲート、第２ゲート、第３ゲート、電荷蓄積層、第１拡散領域、第２拡散領域及び第３拡散領域を有する。
【解決手段】第２ゲート及び第３ゲートは、デュアル機能のワンタイムプログラミング機能に対応する第１電圧及びデュアル機能のマルチタイムプログラミング機能に対応する第２電圧を受けるために用いられる。第１拡散領域は、ワンタイムプログラミング機能に対応する第３電圧及びマルチタイムプログラミング機能に対応する第４電圧を受けるために用いられる。第２拡散領域は、マルチタイムプログラミング機能に対応する第５電圧を受けるために用いられる。 （もっと読む）

【課題】コイル状のアンテナ部の内部に、占有面積が大きい導電層が設けられていると、電源を安定して供給することが困難になっていた。
【解決手段】記憶回路部とコイル状のアンテナ部とを積層して配置することにより、記憶回路部が含む占有面積の大きい導電層に電流が流れてしまうことを防止することができ、省電力化を図ることができる。また、記憶回路部とコイル状のアンテナ部とを積層して配置することにより、スペースを有効に利用することができる。従って、半導体装置の小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】３次元積層ＩＣデバイスにおいて、相互接続領域のコンタクトレベルのスタックへの電気接続形成工程を簡略化する製造方法を提供する。
【解決手段】各コンタクトレベルは導電層と絶縁層とを有する。コンタクト開口を作り出すために、第１のコンタクトレベルを露出させるように上部層の一部が除去される。Ｎ個のマスクを用いて、最大２^Ｎ個のコンタクトレベルまでコンタクト開口がエッチングされる。各マスクは、コンタクト開口のうちの実効的に半数をエッチングするために使用される。Ｎが３であるとき、第１のマスクにより１つのコンタクトレベルがエッチングされ、第２のマスクにより２つのコンタクトレベルがエッチングされ、第３のマスクにより４つのコンタクトレベルがエッチングされる。コンタクト開口の側壁に誘電体層が形成され得る。コンタクト開口内に導電体が形成され、前記誘電体層が該導電体を前記側壁から電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】集積度が高く、製造ばらつきの影響が小さく、製造歩留まりの高い多値ＲＯＭセルを提供する。
【解決手段】多値ＲＯＭセルは、ＲＯＭセルトランジスタＴｒと、複数のビット線ＢＴ１〜ＢＴ３と、第１金属配線３１〜４４とを具備している。ＲＯＭセルトランジスタＴｒは、基板表面の領域に設けられている。複数のビット線ＢＴ１〜ＢＴ３は、基板表面の上方に設けられ、Ｙ方向に伸び、Ｚ方向に並んで配置されている。第１金属配線３１〜４４は、ＲＯＭセルトランジスタＴｒのソース・ドレイン２２の一方に接続され、複数のビット線ＢＴ１〜ＢＴ３の各々の近傍にまで連なる。第１金属配線３１〜４４は、複数のビット線ＢＴ１〜ＢＴ３のうちのいずれかに接続されているか、又は、いずれにも接続されていない。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積の増大を抑制しつつ、容量を拡張することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセルに複数のアンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２を設け、各アンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２の電界効果トランジスタのゲートを互いに接続することで、アンチヒューズ素子Ｆ１、Ｆ２の一端をノードＡに共通に接続し、メモリセルを多値化する。 （もっと読む）

【課題】３Ｄ積層メモリ装置は、各接続レベル毎に別個のマスクが使用されるので必要なマスク数は多くなるが、パターンを工夫して必要マスク数を減らす。
【解決手段】３次元積層集積回路装置は配線領域に接続レベルの積層部を有する。接続レベルの積層部で２のＮ乗個のレベルまで含む配線接続領域を形成するためのＮ個のエッチングマスクの組だけが必要とされる。幾つかの例によれば、２のＸ−１乗（２^Ｘ−１）個の接続レベルは、連続番号Ｘのエッチングマスクでエッチングされ、１つのマスクがＸ＝１であり、他の１つのマスクがＸ＝２であり、Ｘ＝Ｎまで付与される。当該方法は接続レベルでの形成領域に整合した配線接続領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】省面積化を図ることが可能な半導体装置およびその動作方法を提供する。
【解決手段】各記憶素子２１は、Ｐ型の半導体層２１１Ｐと、半導体層２１１Ｐ内で互いに分離するように配設されたＮ型の半導体層２１２Ｎ，２１３Ｎと、半導体層２１１Ｐ上の半導体層２１２Ｎ，２１３Ｎ間に対応する領域に設けられた下層側の誘電体膜２１６および上層側の導電体膜２１７と、半導体層２１２Ｎと電気的に接続された電極２１５Ａと、半導体層２１３Ｎと電気的に接続された電極２１５Ｂと、導電体膜２１７と電気的に接続された電極２１５Ｃとを有する。駆動対象の記憶素子２１に対して、電極２１５Ｂ，２１５Ｃ間に所定の閾値以上の電圧Ｖ１を印加して、誘電体膜２１６の少なくとも一部分を絶縁破壊させて導電体膜２１７，半導体層２１３Ｎ間に電流を流し、半導体層２１２Ｎ，２１３Ｎ間の領域にフィラメント２１０を形成することにより、情報の書き込み動作を行う。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極へのチャージアップの有無を解析する手法を用いても、書き込まれた情報を解析することができないようにするアンチヒューズをメモリ素子として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０は第１導電型、例えばｐ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である。アンチヒューズは、ゲート電極１２０及び第２導電型拡散層１３０を有している。第２導電型拡散層１３０は基板１０に形成されており、例えばｎ型である。第１コンタクト１２２はゲート電極１２０に接続している。第２コンタクト１４２は第１コンタクト１２２と同一層に形成されており、基板１０のうち第２導電型拡散層１３０が形成されていない領域に接続している。第２コンタクト１４２は第１コンタクト１２２に隣接している。 （もっと読む）

【課題】アンチヒューズにおいて、電極へのチャージアップの有無を解析する手法を用いても、書き込まれた情報を解析することができないようにする。
【解決手段】アンチヒューズ１２は、ゲート絶縁膜、ゲート電極１１４、及び第１拡散層１１６を有している。第２拡散層１２６は、素子分離膜１０２を介して第１拡散層１１６と離間しており、第１拡散層１１６と同一導電型を有している。ゲート配線１２４はゲート電極１１４と一体として形成されており、素子分離膜１０２上を延伸している。共通コンタクト２２０は、ゲート配線１２４と第２拡散層１２６を接続している。そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。また第２拡散層１２６は、共通コンタクト２２０のみに接続している。 （もっと読む）

【課題】従来の調査方法では、質問事項に対して回答しない客がいるという問題があった
。また客の主観や見栄等による影響があり、客のニーズを的確に判断することが困難であ
った。
【解決手段】客に無線通信が可能なチップ（無線チップ）の装着された物を持たせる。更
に、店舗の売場の入口、出口、及び売場の内部の複数のポイント各々にアンテナを配置す
る。客が入口、出口及び複数のポイントに近づくと、近づいたポイントに配置されたアン
テナから無線チップに位置情報と時刻情報とを書き込む。無線チップに書き込まれた情報
を読み取ることで客の売場内での移動経路等を判断する。この結果をもとに客のニーズを
判断する。 （もっと読む）

【課題】前工程においてトランジスタごとに不純物の種類や量を変えることによる、製造コストや製造時間の増大を抑制する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、第１の閾値電圧及び第１のドレイン・ソース間電流を呈するようなデバイスパラメータをもって設計された第１のトランジスタを含む半導体回路を形成する半導体回路形成工程（ステップＳ１１）と、第１のトランジスタにストレス電圧を印加して第１の閾値電圧とは異なる第２の閾値電圧及び前記第１のドレイン・ソース間電流とは異なる第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を第１のトランジスタが呈するようにする特性制御工程（ステップＳ１４）と、第１のトランジスタが第２の閾値電圧及び第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を呈する状態で出荷する出荷工程（ステップＳ１６）とを備える。 （もっと読む）